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ROHM新款热感写印字头用一颗锂离子电池可高速清晰列印 (2024.01.24)
近年来,可携式标签印表机及电子钱包支付等支付终端装置变得越来越重要。在可携式标签印表机和支付终端装置等可携式热感写印表机市场,由於列印速度和列印品质的关系,由2-cell锂离子电池驱动的机型是主流产品
瑞萨新型可程式马达驱动器IC无需感测器实现零速全扭矩 (2023.12.12)
瑞萨电子(Renesas)推出一系列用於直流无刷(BLDC)马达应用的马达驱动器IC,采用独家新技术,无需感测器即可在零速下实现全扭矩,为业界创下先例。经由新款马达驱动器IC能够设计出在设定扭矩下具有更高马力和速度的无感测器BLDC马达系统,除了改善功耗和可靠度,并可减少外部元件使用数量来降低成本和电路板空间
ROHM超高速奈秒级闸极驱动器IC可大幅发挥GaN元件性能 (2023.10.19)
近年来在伺服器系统等应用领域,由於物联网(IoT)设备的需求渐增,关於电源部分的功率转换效率提升和设备小型化已成为重要课题,要求功率元件需不断进行优化。另外,不仅在自动驾驶、工控设备和社会基础建设监控等应用领域中也非常广泛的LiDAR,也需要透过高速脉冲雷射光照射来进一步提高辨识精度
ROHM推出5款全新超低导通电阻100V耐压Dual MOSFET (2023.08.22)
近年来,在通讯基地台和工控设备的应用领域,为了降低电流值并提高效率,以往的12V和24V系统逐渐转换为48V系统,电源电压呈提高趋势。半导体制造商ROHM针对通讯基地台和工控设备等风扇马达驱动应用,推出将二颗100V耐压MOSFET一体化封装的Dual MOSFET新产品
ROHM推出车用液晶背光矩阵式LED驱动器「BD94130xxx-M」 (2023.06.29)
近年来先进驾驶辅助系统(ADAS)进展迅速,车用显示器需要具备更高的清晰度以便提高易辨性。针对该需求,具有Local Dimming功能的LED驱动器由於可以只关闭液晶显示器暗部的背光,有助提高液晶显示的清晰度并降低功耗,开发新世代驾驶舱的制造商正在考虑采用此种LED驱动器
英飞凌推出新双通道电气隔离EiceDRIVER闸极驱动器IC (2023.05.24)
如今,3.3 kW的开关式电源(SMPS)透过采用图腾柱PFC级中的超接面(SJ矽)功率MOSFET和碳化矽(SiC)功率MOSFET,以及能够满足高压DC-DC功率转换要求的氮化??(GaN)功率开关等最新技术,使得功率密度可以达到100 W/inch3
英飞凌推出全新EiceDRIVER 1200 V半桥驱动器IC系列 (2023.05.12)
英飞凌科技股份有限公司继推出EiceDRIVER 6ED223xS12T系列1200 V绝缘体上矽(SOI)三相闸极驱动器之後,现又推出EiceDRIVER 2ED132xS12x系列,进一步扩展其产品组合。该驱动器IC系列的半桥配置补充了现有的1200V SOI系列,为客户提供了更多的选择以及设计灵活性
ROHM SiC MOSFET/SiC SBD结合Apex Microtechnology模组提升工控设备功率 (2023.03.31)
电源和马达占全世界用电量的一大半,为实现无碳社会,如何提高其效率已成为全球性的社会问题,而功率元件是提高效率的关键。ROHM的SiC MOSFET和SiC萧特基二极体(简称SiC SBD)已被成功应用於大功率类比模组制造商Apex Microtechnology的功率模组系列产品
Diodes新款自激式压电发声器驱动器可延长运行时间 (2023.03.21)
因应压电发声器(Piezo Sounder)输出增加的需求,Diodes 公司将推出新款驱动器 IC--PAM8906,它具备整合式同步升压转换器,提供更高声压级 (SPL),能够让声音传送到更远的距离
ROHM第4代SiC MOSFET成功导入日立安斯泰莫电动车逆变器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和闸极驱动器IC已被日本知名汽车零件制造商日立安斯泰莫株式会社(以下简称日立安斯泰莫)使用於电动车(以下简称EV)逆变器。 在全球实现减碳社会的过程中,汽车的电动化进程持续加速,在此背景下,开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路
德州仪器与群光电能合作 将GaN解决方案导入节能笔电电源供应器 (2022.12.14)
德州仪器(TI)宣布与群光电能(群电)於其最新款 65W 笔电电源供应器「Le Petit」中导入 TI 高整合式氮化??(GaN、Gallium nitride)解决方案。搭载 TI 的整合式闸极驱动器 LMG2610 半桥 GaN FET,群电与 TI 成功缩小电源供应器体积达 1/2 ,并提升电源转换效率至高达 94%
瑞萨推出新一代用於电动汽车逆变器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞萨电子(Renesas Electronics)宣布开发新一代矽绝缘栅双极电晶体(Si-IGBT),以提供低功率损耗且小型的封装。针对新一代电动汽车(EV)逆变器的AE5 IGBT将於2023年上半年开始在瑞萨位於日本那??市工厂的200和300毫米产线上生产
SiC牵引逆变器降低功率损耗和热散逸 (2022.08.25)
本文说明如何在EV牵引逆变器中驱动碳化矽(SiC)MOSFET,透过降低电阻和开关损耗来提高效率,同时增加功率和电流密度。
以碳化矽MOSFET实现闸极驱动器及运作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驱动方式与传统的矽MOSFET和绝缘闸双极电晶体(IGBT)不同,本文叙述在碳化矽应用进行闸极驱动时,设计人员如何确保驱动器具备足够的驱动能力。
TI 30A闸极驱动器 减少SiC MOSFET功率损耗和热散逸 (2022.08.11)
随着电动车(EV)制造商之间为了开发成本更低、续航里程更长的车型所进行的竞争日益激烈,电力系统工程师必须设法藉由降低功率损耗和提高牵引逆变器系统效率,来提升续航里程并增加竞争优势
ROHM SiC技术助力SEMIKRON eMPack功率模组 打造次世代电动车 (2022.07.15)
SEMIKRON和半导体制造商ROHM在开发碳化矽(SiC)功率模组方面已经有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被运用於SEMIKRON车规级功率模组「eMPack」,开启了双方合作的全新里程碑
英飞凌携手台达 以宽能隙元件抢攻伺服器及电竞市场 (2022.07.08)
数位化、低碳等全球大趋势推升了采用宽能隙(WBG)元件碳化矽/氮化??(SiC/GaN)的需求。这类元件具备独特的技术特性,能够助力电源产品优化性能和能源效率。 英飞凌科技股份有限公司与台达电子工业股份有限公司两家全球电子大厂
东芝五款MOSFET闸极驱动器IC新品采用超小型封装 (2022.06.09)
东芝电子元件及储存装置株式会社(简称东芝)为其TCK42xG系列MOSFET闸极驱动器IC 产品系列增加适用於穿戴式装置等行动装置的五款新品。该系列的新产品配备过压锁定功能,并根据输入电压控制外部MOSFET的闸极电压
PI推出符合汽车产业标准的IGBT/SiC模组驱动器系列 (2022.05.10)
Power Integrations推出SCALE EV 该驱动器适用於原创、再制和新型 SiC 变体,适用目标为电动车辆、混合动力和燃料电池车辆 (包括公车和卡车) 以及建筑、采矿和农业设备的大功率汽车和牵引变频器
英飞凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展现极高系统可靠性 (2022.04.01)
英飞凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点,能够提供卓越的性能。 这些SiC元件采用英飞凌先进的SiC沟槽式工艺、精简的D2PAK表面贴装 7 引脚封装和


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