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Ramtron在V系列增添串行512Kb FRAM (2008.11.20)
Ramtron International推出F-RAM系列产品中的第二款串行组件FM25V05，提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行周边接口（SPI）的非挥发性RAM，采用8脚SOIC封装，特点包括快速访问、无延迟（NoDelay）写入、1E14读/写次数和低功耗 |
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Ramtron推出1Mb并行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新并行和串行FRAM系列中的首款并行产品，提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选组件的特性。Ramtron的V系列FRAM产品中的最新组件FM28V100，是100万位、2.0至3.6V的并行非挥发性RAM，采用32脚TSOP-I封装，具备快速访问、无延迟（NoDelay）写入、无乎无限的读写次数和低功耗特性 |
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Ramtron串行F-RAM达汽车电子AEC-Q100标准 (2008.05.28)
Ramtron International扩展其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM内存产品，FM24CL64 64Kb串行F-RAM已通过认证，可在-40至+85℃的Grade 3汽车温度范围内使用。FM24CL64是Ramtron不断扩充的通过Grade 1（+125℃）和Grade 3 AEC-Q100认证的汽车内存产品的一部分 |
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Ramtron将于AES 2008上 展示F-RAM技术 (2008.05.12)
Ramtron International Corporation将参加今年在中国上海举行的中国国际汽车电子产品与技术展览会暨国际汽车电子行业高层论坛（AES）。Ramtron将于会上展示其非挥发性F-RAM内存产品如何推动引擎盖下和车舱内的新一代汽车应用创新，如信息娱乐、安全及事件数据记录 |
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Ramtron推出首款2Mb串行FRAM内存 (2008.04.21)
Ramtron成功开发业界首款200万位（Mb）、采用8脚TDFN（5.0×6.0mm）封装的串行F-RAM内存。FM25H20以130奈米CMOS制程生产，是一款高密度的非挥发性F-RAM内存，它以低功耗操作，并且具有高速串行周边接口（SPI） |
