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Linear发表0V至18V理想二极管控制器 (2008.08.04)
凌力尔特( Linear)发表0V至18V理想二极管控制器LTC4352。此组件能达到多重电源低损耗ORing ，并对供应电压具备最低的干扰。LTC4352可稳压横跨于外部N信道MOSFET的顺向压降，以于diode-OR应用中确保和缓的电流转换
Linear推出单一高压理想二极管控制器 (2008.08.01)
凌力尔特( Linear)发窗体一高压理想二极管控制器LTC4358，其采用内部5A MOSFET，以简单、低损耗的替代方案取代高电流应用中之萧特基二极管。此控制器及20m Ohm内部N信道MOSFET可展现低顺向电压二极管功能，于高电流应用中提供比萧特基二极管更低损耗的路径，并具备更高的效率


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