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NXP针对L波段雷达应用推出RF功率晶体管 (2008.11.24)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）扩张其RF Power 晶体管产品线，推出最新针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下简称LDMOS)晶体管，该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间提供高达500W的突破性的RF输出功率


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