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M31验证完成7奈米ONFI 5.1 I/O IP 布局全球AI大数据储存 (2023.11.29)
M31科技今日宣布，其7奈米制程快闪记忆体接囗ONFI-v5.1 I/O IP已完成矽验证，支援最高速达3.2GB/s，同时内部已着手开发5奈米ONFI 5.1 IP与3奈米ONFI 6.0 IP，并且已获美国一线大厂采用，积极布局人工智慧与边缘运算应用的大数据存储市场 |
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美光176层3D NAND正式出货 瞄准5G手机及智慧边缘运算商机 (2020.11.10)
美光科技今日宣布首款176层3D NAND快闪记忆体已正式出货，实现前所未有的储存容量和效能。美光最新的176层技术及先进架构为一重大突破，可大幅提高资料中心、智慧边缘运算以及手机装置等储存使用案例的应用效能 |
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M31开发PCIe4.0/3.0 IP和ONFi 4.1 I/O IP 获SSD存储晶片公司InnoGrit采用 (2019.09.04)
全球精品矽智财开发商?星科技(M31 Technology)与存储晶片新创公司━英韧科技(InnoGrit)今日宣布，双方将建立长期的合作夥伴关系。英韧科技开发的存储晶片已采用?星科技的PCIe 4.0/3.0 IP与ONFi 4.1 I/OIP，积极布局全球针对AI应用的大数据存储市场 |
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美高森美以量产版本Flashtec PCIe控制器推动企业级SSD实现 (2017.08.14)
美高森美(Microsemi) 宣布 Flashtec NVM Express (NVMe) 2108八通道控制器的量产版本，推动世界各地主要的企业和资料中心实现高成本效益和高功效的大容量固态硬碟(SSD)。这个器件具有主流的性能，并且支援16GB和更大容量 |
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开放式 NAND 快闪储存接口接口规范 R2-开放式 NAND 快闪储存接口接口规范 R2 (2011.12.12)
开放式 NAND 快闪储存接口接口规范 R2 |
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ONFI 2.1标准问世 NAND传输提升至200MB/s (2009.02.11)
开放式NAND闪存接口（ONFI）工作小组今日（2/11）发布了ONFI 2.1版技术规范。ONFI 2.1版本除具备更简化的闪存控制器设计，并将传输性能提升至每秒166MB/s到200MB/s间。目前ONFI工作组已着手制订ONFI 3.0版，预计速度将可达400MB/s |
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美光NAND闪存产品前进3G市场 (2007.03.26)
美光科技（Micron Technology）将把NAND闪存业务推向手机市场。该公司将把控制器电路设计于NAND闪存芯片珠，以及制定与设备端LSI间的接口标准。美光此举是希望能使产品厂商省去在设备端LSI中配备控制器电路的麻烦，以提供终端产品厂商更高便利性 |
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台控制芯片业者参与ONFI联盟 ONFI 1.0规格豋场 (2006.08.30)
英特尔（Intel）登高一呼所成立的ONFI（Open NAND Flash Interface）联盟，于8月29日在美国举行规格讨论大会，台湾多家记忆卡控制芯片设计公司与会，针对第一版的规格ONFI 1.0进行讨论 |
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LSI (2003.06.13)
LSI Corporation is a leading provider of innovative silicon, systems and software technologies that enable products which seamlessly bring people, information and digital content together. We offer a broad portfolio of capabilities and services including custom and standard product ICs, adapters, systems and software that are trusted by the world’s best known brands to power solutions for the Storage and Networking markets |
