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工业储存技术再进化！ (2022.08.26)
近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智慧、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智慧城市到国防航太等领域都可以应用大量晶片记录海量数据 |
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低价刺激消费需求 SSD强势跃居主流 (2019.06.10)
2019年似乎是购买SSD的绝佳时机，市场开始转向QLC NAND，而采用96层的3D NAND架构也可有效提高密度，并降低成本。接下来容量更高的消费型SSD将变得更为普遍。 |
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TrendForce：次世代记忆体有??於2020年打入市场 (2019.05.20)
不论是DRAM或NAND Flash，现有的记忆体解决方案面临制程持续微缩的物理极限，意即要持续提升性能与降低成本都更加困难。因此，Intel Optane等次世代记忆体近年来广受讨论，希??在有限度或甚至不改变现有平台架构的前提下，找到新的解决方案 |
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[Tech Spot]四大闪存替代技术 (2012.12.06)
闪存仍如日中天，智能手机消费型设备，例如平板计算机和智能手机，强劲地推动了闪存及整个半导体市场。未来几年，平板计算机的市占率将不断增加，目前最常见的闪存类型是 NAND，一位市场分析师预测：2011 至 2015 年之间， NAND的市场复合年增长率将达到 7% |
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PRAM的技术：从非高性能波动-PRAM的技术：从非高性能波动 (2011.06.03)
PRAM的技术：从非高性能波动 |
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-XMTC: PRAM-like Programming (2010.10.09)
A modest extension to C, XMTC allows representing parallel (PRAM) algorithms as parallel programs, and run XMTC code using a compiler and cycle accurate simulator of the University of Maryland explicit multi-threaded (XMT) many-core architecture |
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三星推出多芯片封装PRAM芯片 移动电话设计专用 (2010.05.03)
三星电子（Samsung）日前发表一款多芯片封装 （multi-chip package; MCP）的PRAM，将在本季度稍晚专门提供给移动电话设计使用。
此款三星的512Mb MCP PRAM与40奈米级NOR Flash的软硬件功能皆兼容，此MCP亦可完全兼容于以往独立式 （stand-alone）PRAM芯片技术，可带给移动电话设计人员相当的便利性 |
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尔必达与奇梦达将合作开发新一代DRAM (2008.04.29)
DRAM产业将有一番重组了。据了解，全球第三大厂德国奇梦达与第四大厂商尔必达内存将就合作开发DRAM技术签署备忘录，并将在近期正式签订协议。备忘录内容将包括：合作开发40nm制程以下的DRAM产品、并包括设计和制程技术在内的IP交叉授权，未来并将成立合资工厂，共同生产产品并统合经营策略等 |
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海力士获Grandis授权 将共同开发STT-RAM技术 (2008.04.10)
南韩海力士半导体（Hynix Semiconductor）宣布，该公司已经与新一代内存STT-RAM（Spin-Transfer Torque RAM）的技术开发商Grandis，签订了STT-RAM的技术授权及共同开发协议。根据协议内容，海力士将从Grandis获得STT-RAM技术授权，未来两公司的研究人员也将在产品开发领域进行合作 |
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联电技术授权尔必达 广岛厂产能将用于代工 (2008.03.20)
尔必达与联电（UMC）就合作发展日本的芯片代工业务达成协议。据了解，尔必达将获得联电的IP内核与先进逻辑技术，在广岛尔必达内存的12吋晶圆厂（E300 Fab）进行晶圆生产 |
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联电跨足内存 与尔必达交互授权技术 (2007.10.25)
联电积极布局内存市场，将与日本尔必达（Elpida）合作进行交互授权，由尔必达提供联电SOC内嵌DRAM所需的技术，联电则提供尔必达发展先进制程所需的低介电质铜导线（low-k/Cu）专利 |
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非挥发性内存的竞合市场 (2007.10.24)
内存本身就具有通用与中介的性质，所以发展出来的各类内存组件，多能通用于不同系统之间。新一代的内存为了更通用之故，所发展的都是非挥发性的内存，这样才能既做为系统随机存取之用，又能组成各类的储存装置，例如嵌入在便携设备中的储存容量、弹性应用的记忆卡或固态硬盘等 |
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检视STT-RAM记忆体应用优势 (2007.10.19)
旋转力矩转移随机存取记忆体（STT-RAM）是一种透过自旋电流移转效应所开发而出的新记忆体技术，属于非挥发性记忆体的一种，其应用优势包括无限次数的读写周期、低耗电，以及运算速度更快等，更适合嵌入式设计应用 |
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内存技术竞赛 Intel看好PRAM (2007.04.17)
英特尔（Intel）在英特尔开发商论坛（IDF）上首次公开演示其PRAM技术。PRAM是由英特尔和数家其他公司联合开发的一种相变随机内存，被认为可能取代Flash，甚至是DRAM。与DRAM不同的是，Flash等非挥发性内存不会因没电而丢失存储的信息 |
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日本尔必达将在明年初决定新厂落脚何处 (2006.08.01)
根据路透社消息指出，全球第五大动态随机存取内存（DRAM）芯片制造商－日本尔必达内存（Elpida Memory）于2006年8月1号表示，将在明年初以前决定新芯片厂，在海外选择方面，考虑过税率和补贴事宜后，目标缩小到三个地方，考虑的建厂地点包括台湾、中国和新加坡 |
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尔必达考虑于台湾设立DRAM新厂 (2006.07.20)
根据报导，日本DRAM制造厂尔必达（Elpida）考虑将计划中的先进工厂设在台湾。该公司将和在日本国内设厂的优劣进行比较之后，再作出最后决定。
据了解，尔必达计划的新厂设备可制造加工宽度只有70奈米的DRAM半导体回路线，预定月产10万片，同时也计划生产下一代的半导体PRAM |
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日商开发稳定省电之PRAM内存 (2005.10.07)
根据日经产业新闻报导指出，日立制作所与日本瑞萨（Renesas）就新一代的半导体内存PRAM（Phase Change Random Access Memory；阶段变化随机存取内存）的实用化已取得重大进展。根据了解，日制PRAM比起南韩三星电子开发的产品，消费电力仅为其一半，而且内存的密集化、驱动上的稳定性，有过之而无不及 |
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快闪IC「RRAM」发展动向 (2005.09.05)
随着各种可携式电子产品的记忆容量不断扩张，传统的Flash Memory已很难满足市场需求。虽然FeRAM曾经是各半导体厂商嘱目的焦点，不过随着RRAM的出现，也代表着非挥发性内存即将进入崭新的纪元 |
