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三星正式量产20奈米级NAND Flash内存 (2010.04.27)
三星电子（Samsung）宣布正式领先量产业界第一款20奈米级NAND芯片，可用在SD记忆卡与嵌入式内存解决方案，基于这先进的技术而发表的32Gb MLC NAND，更进一步扩展三星的记忆卡解决方案，可提供智能型 手机、高阶IT应用与高效能记忆卡更多开发选择
再进一程：三星40奈米DDR3样本已送达 (2010.03.30)
根据研究机构Gartner报告预测，2010年全球服务器出货量成长率将有5至9%的成长，面对此波市场机会，三星电子今日（3/30）宣布旗下专门提供服务器系统使用的32Gb内存模块已开始送交样品


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