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NAND Flash市场发展与应用趋势 (2005.04.01) 4GB的NAND Flash将会是2005年和2006年的行动装置系统设计主流,除了取代行动装置的DVD和小型微型硬碟的使用外,并有效地完成行动数位影音录制所有需求;由于NAND Flash的售价持续下滑,将提供消费者真实的行动储存需求,而微型硬碟也将很快地功成身退 |
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三星承诺将尽快纾解闪存供货不足问题 (2005.03.23) 三星半导体执行长(CEO)黄昌圭来台参与该公司科技论坛时,行动电子产品市场对闪存(Flash)需求,估计2007年手机等可携式产品对内存的需求将超越PC。黄昌圭并对与会的台湾内存模块表示,三星将自4月起纾解闪存供货不足的问题 |
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英特尔发表新款NOR闪存技术 (2005.03.09) 英特尔公布多款即将推出的NOR闪存产品,扩大其2005年手机与嵌入型方案产品的阵容。针对手机市场推出的第一款产品代号为 Sibley,这是第一款采用英特尔90奈米制程技术的NOR多层Cell(multi-level cell;MLC)闪存 |
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ST瞄准3G移动电话市场 发布256Mbit NOR型闪存 (2005.03.08) ST日前发布了256Mbit的NOR型闪存芯片,该组件采用已建构的每单元(cell)2位架构,能在更小的裸晶尺寸中强化内存密度。ST的M30L0R8000x0是2位/cell系列的首款组件,目前ST也正在研发128Mbit与512Mbit的芯片 |
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M-Systems DiskOnChip将获得TTPCom支持 (2005.02.24) M-Systems与数字无线技术厂商TTPCom于24日宣布:TTPCom的2.5G协议软件将支持DiskOnChip,藉此为日益成长的多功能手机市场,带来进一步的扩充性。这项新发展显示,多媒体多功能手机对于高容量嵌入式内存解决方案的迫切需求,亦让M-Systems的DiskOnChip能仰赖TTPCom的技术,内建至全球数百万部手机之中 |
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东芝NAND闪存12吋厂正式开工 (2005.02.21) NAND闪存市场供不应求,东芝去年四月宣布兴建的12吋NAND闪存厂,即将在2月21日于日本四日市正式开工;据了解,东芝也决定将12吋厂的NAND芯片后段封测订单交予台湾封测厂力成代工,预计六月起就会开始释出订单 |
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三星以先进制程站稳NAND型Flash市场优势 (2005.02.17) 据南韩媒体报导,NAND型Flash龙头大厂三星电子(Samsung Electronics)正积极由90奈米制程转入70奈米制程,量产高容量4Gb NAND型Flash,而紧追在后的日本东芝(Toshiba)亦宣布计划于今年夏天导入70奈米制程科技投产8Gb NAND型Flash,两大厂积极以先进制程拉大与其他NAND型Flash后进者的差距 |
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闪存2004年成长表现亮眼 (2005.02.04) 市调机构iSuppli针对全球闪存(Flash)发表最新报告指出,由于多媒体手机、数字相机、MP3等产品热销,NOR及NAND两种规格闪存2004年表现皆佳。在NOR芯片部份,营业额高达95亿5800万美元,成长28.7%;至于NAND芯片成长最大,全球营业额达63亿3700万美元,年成长率高达50.1% |
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IDM厂释单 内存测试代工产能吃紧 (2005.01.27) 据业界消息,国际IDM业者陆续释出内存委外测试代工订单,也让台湾测试代工业者首季业绩可望再创新高;其中京元电可望取得瑞萨(Renesas)、英飞凌的NOR规格闪存订单,力成也将接受超捷(SST)及超威的闪存晶圆测试(Wafer Sort)代工订单 |
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不敌Intel削价竞争 AMD闪存恐陷亏损 (2005.01.18) 据外电消息,英特尔(Intel)和超威(AMD)在闪存(Flash)市场的消长之势又出现变化,Intel在2004年第四季成功以削价策略挽回市占,使得AMD的Flash事业大受打击,该部门恐陷入营运净损的窘境 |
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厂商竞逐奈米制程 NAND Flash价格再跌 (2005.01.12) 据业界消息,NAND型闪存(Flash)价格竞争激烈,内存业者为降低成本,将以奈米制程全面迎战;市场龙头大厂三星即宣布已成功开发出63奈米的8Gb NAND Flash生产技术。而因每片晶圆产出量将因制程微缩而增多二成至三成以上,将再进一步压低芯片价格,三星预估NAND Flash芯片价格2005年至少要再跌四成 |
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M-Systems推出新一代行动内存解决方案 (2005.01.11) M-Systems正式推出DiskOnChip G4,专为主流多媒体行动装置设计的新一代内存解决方案。采用MLC(多层式单元格)NAND技术的DiskOnChip G4,正是为了提供同类产品中最佳的成本结构而设计,同时具备优于DiskOnChip G3三倍、MLC NOR二十倍的写入性能,读取性能更胜于其他NAND装置 |
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力晶1Gb AG-AND Flash良率获突破 迈入量产 (2005.01.03) 据业界消息,内存大厂力晶12吋厂第四季在代工生产日本瑞萨科技(Renesas)的1Gb AG-AND Flash(闪存)产品上获得重大突破,目前良率已经有所突破,投片量也达每月1000片左右,是台湾第一家量产1Gb NAND Flash的晶圆厂 |
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英飞凌打造全世界最小的非挥发性闪存单元 (2004.12.28) 英飞凌科技的科学家打造出了全世界最小的非挥发性闪存单元。这种新内存单元小达20奈米,大约比人的毛发细5,000倍。由于所有制造方面的挑战,包括微影,都能够被解决,所以这种新的发展将在近年内就可能使非挥发性内存芯片有高达32 Gbit 的容量 |
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美光90奈米高容量NAND型Flash顺利量产 (2004.12.22) DRAM大厂美光(Micron)宣布,该公司以90奈米制程制造的首款2G NAND型闪存(Flash)产品,已按照规划时程进入量产阶段。该公司切入高容量NAND型Flash领域动作迅速,从初期设计时间到量产在不到两年的时间内就完成 |
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英特尔夺回NOR型闪存龙头宝座 (2004.11.23) 据市调机构iSuppli最新报告指出,全球半导体大厂英特尔降价策略奏效,旗下NOR型闪存终于得以重振雄风,打败劲敌Spansion,夺得市场占有率第一的位置;此外,第三季NOR型flash市场规模比Q2衰退8.9%,除英特尔和三星外,前10名厂商表现纷纷退步,而Spansion该季销售额更是掉了2成 |
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抢占PROMISE REV超值优惠,就在12月信息展 (2004.11.22) 为让消费者可以近距离体验PROMISE REV分离式硬盘技术所带来的极速便利,乔鼎信息将在12月4日至12日信息月展览期间,于世贸一馆志旭国际摊位(C626-628;C725-727)实机展示,并提供超值优惠供民众现场抢购 |
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Intel闪存业务表现佳 跃居全球第二 (2004.11.21) 市调机构iSuppli针对全球闪存(Flash)市场公布最新调查指出,2004年第三季全球Flash销售额为39.9亿美元,较2004年第二季的42亿美元下滑4%。而在厂商排名方面,大厂英特尔(Intel)的Flash业务在第三季度表现亮眼强劲,市场占有率从先前的第四跃居至第二位 |
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挑战Flash市场龙头 Spansion推ORNAND架构 (2004.11.10) 外电消息,富士通(Fujitsu)与超威(AMD)合资成立的闪存(Flash)大厂Spansion,宣布将以其MirrorBit专利技术生产结合NOR与NAND型Flash特长的新产品;该公司执行长Bertrand Cambou表示,此一名为ORNAND架构的产品未来将横扫全球Flash市场 |
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AMD更新最新之第三季业务展望 (2004.10.07) AMD宣布,甫于2004年9月26日截止之2004会计年度第三季的业绩,净收入可望超越第二季的3200万美元。AMD先前原来预期,第三季的业绩将会较第二季营收之12.62亿美元持续微幅成长 |