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美光NAND闪存产品前进3G市场 (2007.03.26)
美光科技（Micron Technology）将把NAND闪存业务推向手机市场。该公司将把控制器电路设计于NAND闪存芯片珠，以及制定与设备端LSI间的接口标准。美光此举是希望能使产品厂商省去在设备端LSI中配备控制器电路的麻烦，以提供终端产品厂商更高便利性 |
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Intel的Turbo Memory技术将在新迅驰平台上现踪 (2007.03.26)
透过日前在德国所举行的汉诺威计算机展（CeBIT），Intel已经将Robson技术，正式更名为Turbo Memory技术，下一世代迅驰平台Santa Rosa主板中，也都将预留Turbo Memory专用插槽。而Intel初期将推出的512MB及1GB Turbo Memory技术NAND加速模块，也已经由鸿海为其开模试产成功，下半年将配合Santa Rosa平台共同出货 |
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三星发表8GB之moviNAND闪存 (2007.03.21)
南韩三星电子发表了可将NAND Flash与MMC控制器一起封装在同一芯片中的技术，并推出高达8GB的moviNAND产品，其访问速度为原来4GB规格的两倍，并采用50nm制程的16Gbit NAND Flash。主要应用领域将是具备音乐播放功能的手机和车用GPS等导航系统 |
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苹果可能推出闪存架构的轻型笔记本电脑 (2007.03.13)
据外电消息报导，一家美国的市场分析机构表示，苹果（Apple）将有可能在今年下半年时，推出以闪存（Flash Memory）为主要储存架构的新款笔记本电脑。
该公司表示，这项预测的消息来源是来自业界，而且此新型闪存笔电将搭载Mac OS X操作系统的精简版 |
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ST推出65nm PR系列NOR闪存产品 (2007.02.27)
手机闪存解决方案供货商意法半导体（ST），宣布推出65nm PR系列NOR闪存产品。基于第四代multi-level cell（MLC）技术，65nm PR系列闪存的软硬件可完全兼容于现有的90nm PR系列NOR闪存，并提供更高的内存容量和更佳的性能，为客户提供一条简单的系统升级途径 |
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Spansion成为全球最大NOR Flash供货商 (2007.02.15)
根据调查，2006年Spansion已经取代Intel（英特尔），成为全球最大的NOR闪存供货商。
市场研究机构iSuppli指出，2006年Spansion销售额成长25.1％，而总体NOR市场仅成长8.1％。Spansion销售额达25.8亿美元，市场占有率为30.4％，超过英特尔，成为NOR闪存市场的龙头厂商 |
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高通与Spansion合作开发新兴市场低阶CDMA手机 (2007.02.14)
3G CDMA手机通讯芯片大厂高通（Qualcomm）与储存芯片与内存制造商Spansion联合宣布将合作生产低阶价廉的手机芯片产品，以便降低成本，能在新兴市场销售更为廉价的CDMA手机，双方认为此举将能下降近25％的成本 |
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Intel将于2008年生产35奈米NAND Flash (2007.02.13)
Intel（英特尔）宣布与美光（Micron）合资的新加坡新厂中，将在2008年将以先进的35奈米制程技术，生产NAND型闪存（Flash）产品，而透过35奈米制程技术，英特尔将可大幅增加其成本竞争力；此外，随着Santa Rosa平台的问世，Robson技术将结合NAND型Flash作为储存的媒介，提高硬盘读写速度，且在手机内存当中，NAND型Flash也将扮演要角 |
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旺宏正式启动NAND闪存开发计划 (2007.02.01)
旺宏将正式启动NAND闪存的开发计划，以SONOS技术为基础，预期四年后完成，届时以45奈米制程技术投入量产，初期生产16GB与32GB的产品，今年并有意寻求策略合作伙伴。
旺宏今年资本支出预计为30亿元至35亿元 |
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消费电子应开始思考舍弃记忆卡设计 (2007.01.31)
现在的时间点为重新思考舍弃内嵌快闪记忆卡设计的好时机 |
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常忆0.25µm嵌入式OTP与标准逻辑制程兼容 (2007.01.23)
非挥发性内存产品厂商常忆科技(Chingis Technology Corp.)，于2007年一月正式宣布0.25µm 一次性写入式内存（OTP）通过全球半导体晶圆专工厂商联电之认证。此项认证为常忆科技pFusion非挥发性内存逻辑及嵌入式闪存专利权之一，为目前可提供Macro size最小、可靠度最佳之产品 |
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三星电子推出内建闪存硬盘UMPC (2007.01.11)
三星电子（Samsung Electronics）这次在拉斯韦加斯国际消费电子大展（CES 2007）展会上，新推出改良版的UMPC Q1P SSD，首次内建闪存硬盘，并且容量可达到32GB。
三星电子曾在去年2006年10月推出型号为Q1-Pentium以及Q1P的UMPC，不过其配备都是一般的1.8吋硬盘，Q1搭配的是Intel 1GHz的Pentium M 723处理器、60GB硬盘和1GB的内部存储器 |
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新技术＋新市场＝日立面对Flash之攻防策略 (2007.01.10)
日立环球于2007年1月10号发表两款产品，1TB的Deskstar 7 K 1000与1TB CinemaStar 7 K 1000，Deskstar主要为PC方面的应用，售价为＄399。而CinemaStar主要用于DVR/STB的应用，价格未定。日立环球指出HD视讯已经成为消费者要求增加储存空间的重要动力，此外，混合式硬盘将会是2008后的硬盘新趋势 |
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300TB容量的新技术硬盘产品可在2010年实现 (2007.01.05)
全球硬盘大厂希捷（Seagate）宣布今年2007年上半年将推出容量1TB的硬盘产品。
Seagate目前容量最高的硬盘产品为750GB。Seagate表示最快今年上半年，将向一部分专业计算机系统厂商推出容量1TB的硬盘产品 |
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SanDisk加快进度推出Flash硬盘期占市场先机 (2007.01.05)
记忆卡制造大厂SanDisk正在加紧脚步，欲以闪存取代笔记本电脑中的硬盘，1月4日SanDisk推出新款应用在笔记本电脑用的闪存硬盘，预计在2007年上半年上市销售。这个举动，颇有与5大家硬盘储存大厂成立的混合硬盘联盟互别苗头的意味 |
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不以现状自满 SanDisk积极抢占记忆卡市场 (2006.12.19)
闪存储存记忆卡大厂SanDisk今日（19日）在台举办联合产品发表会，展示包括影片记忆卡录像机、MP3播放器系列、USB快闪随身碟、MMC记忆卡（Multi-Media Card）、SDHC（SD High Capacity）记忆卡等等 |
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奇梦达将暂停生产NAND Flash (2006.12.18)
在NAND型闪存（Flash）市场上，先前已有瑞萨（Renesas）选择暂时退出此一市场，而德国内存大厂奇梦达（Qimonda）近期也正式表示，待现有库存出清至本季为止，将暂时不再生产NAND型Flash产品，等到往后推出自行开发且跟得上市场的NAND型Flash产品技术后，奇梦达将再视市场状态重回到NAND型Flash领域 |
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ST NAND闪存产品转换为70nm制程 (2006.12.05)
意法半导体(ST)宣布该公司全线采用70nm制程的NAND闪存产品现已上市。随着512-Mbit(Small Page)和1/2/4/8-Gbit(Large Page)闪存转换为ST先进的70nm制程，使该系列产品拥有领先的NAND闪存技术，并具有价格较低及功率消耗较小等特色 |
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ST新款串行闪存 针对PC BIOS应用 (2006.11.27)
串行闪存供货商意法半导体(ST)，宣布推出可抹除页面M25PE系列串行闪存产品新增加的一个拥有4-Kbyte区块的16-Mbit内存芯片，该产品可用于PC BIOS应用、光驱、数字录音机、网络产品以及机顶盒(STB)等消费电子储存应用 |
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晶圆级封装产业现况 (2006.11.23)
封装技术的发展日新月异，晶片设计已经进入了奈米时代，封装也由传统配角的角色，渐渐跃居晶片设计的重要环节。 WLCSP不仅仅让晶片体积缩小，得以满足消费电子的需求，SiP封装更能使各种不同制程的晶片，顺利整合为成单颗，达到SoC的设计精神 |
IETF是Internet Engineering Task Force (国际网络工程研究团队)是一个开放性的国际组织，其作用在于汇集网络设计师、网络操作员、网络厂商，以及研究人员共同研发改进网络的工程架构与建立起一个平稳的网络环境。
