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美光NAND闪存产品前进3G市场 (2007.03.26) 美光科技(Micron Technology)将把NAND闪存业务推向手机市场。该公司将把控制器电路设计于NAND闪存芯片珠,以及制定与设备端LSI间的接口标准。美光此举是希望能使产品厂商省去在设备端LSI中配备控制器电路的麻烦,以提供终端产品厂商更高便利性 |
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Intel的Turbo Memory技术将在新迅驰平台上现踪 (2007.03.26) 透过日前在德国所举行的汉诺威计算机展(CeBIT),Intel已经将Robson技术,正式更名为Turbo Memory技术,下一世代迅驰平台Santa Rosa主板中,也都将预留Turbo Memory专用插槽。而Intel初期将推出的512MB及1GB Turbo Memory技术NAND加速模块,也已经由鸿海为其开模试产成功,下半年将配合Santa Rosa平台共同出货 |
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三星发表8GB之moviNAND闪存 (2007.03.21) 南韩三星电子发表了可将NAND Flash与MMC控制器一起封装在同一芯片中的技术,并推出高达8GB的moviNAND产品,其访问速度为原来4GB规格的两倍,并采用50nm制程的16Gbit NAND Flash。主要应用领域将是具备音乐播放功能的手机和车用GPS等导航系统 |
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苹果可能推出闪存架构的轻型笔记本电脑 (2007.03.13) 据外电消息报导,一家美国的市场分析机构表示,苹果(Apple)将有可能在今年下半年时,推出以闪存(Flash Memory)为主要储存架构的新款笔记本电脑。
该公司表示,这项预测的消息来源是来自业界,而且此新型闪存笔电将搭载Mac OS X操作系统的精简版 |
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ST推出65nm PR系列NOR闪存产品 (2007.02.27) 手机闪存解决方案供货商意法半导体(ST),宣布推出65nm PR系列NOR闪存产品。基于第四代multi-level cell(MLC)技术,65nm PR系列闪存的软硬件可完全兼容于现有的90nm PR系列NOR闪存,并提供更高的内存容量和更佳的性能,为客户提供一条简单的系统升级途径 |
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Spansion成为全球最大NOR Flash供货商 (2007.02.15) 根据调查,2006年Spansion已经取代Intel(英特尔),成为全球最大的NOR闪存供货商。
市场研究机构iSuppli指出,2006年Spansion销售额成长25.1%,而总体NOR市场仅成长8.1%。Spansion销售额达25.8亿美元,市场占有率为30.4%,超过英特尔,成为NOR闪存市场的龙头厂商 |
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高通与Spansion合作开发新兴市场低阶CDMA手机 (2007.02.14) 3G CDMA手机通讯芯片大厂高通(Qualcomm)与储存芯片与内存制造商Spansion联合宣布将合作生产低阶价廉的手机芯片产品,以便降低成本,能在新兴市场销售更为廉价的CDMA手机,双方认为此举将能下降近25%的成本 |
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Intel将于2008年生产35奈米NAND Flash (2007.02.13) Intel(英特尔)宣布与美光(Micron)合资的新加坡新厂中,将在2008年将以先进的35奈米制程技术,生产NAND型闪存(Flash)产品,而透过35奈米制程技术,英特尔将可大幅增加其成本竞争力;此外,随着Santa Rosa平台的问世,Robson技术将结合NAND型Flash作为储存的媒介,提高硬盘读写速度,且在手机内存当中,NAND型Flash也将扮演要角 |
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旺宏正式启动NAND闪存开发计划 (2007.02.01) 旺宏将正式启动NAND闪存的开发计划,以SONOS技术为基础,预期四年后完成,届时以45奈米制程技术投入量产,初期生产16GB与32GB的产品,今年并有意寻求策略合作伙伴。
旺宏今年资本支出预计为30亿元至35亿元 |
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消费电子应开始思考舍弃记忆卡设计 (2007.01.31) 现在的时间点为重新思考舍弃内嵌快闪记忆卡设计的好时机 |
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常忆0.25µm嵌入式OTP与标准逻辑制程兼容 (2007.01.23) 非挥发性内存产品厂商常忆科技(Chingis Technology Corp.),于2007年一月正式宣布0.25µm 一次性写入式内存(OTP)通过全球半导体晶圆专工厂商联电之认证。此项认证为常忆科技pFusion非挥发性内存逻辑及嵌入式闪存专利权之一,为目前可提供Macro size最小、可靠度最佳之产品 |
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三星电子推出内建闪存硬盘UMPC (2007.01.11) 三星电子(Samsung Electronics)这次在拉斯韦加斯国际消费电子大展(CES 2007)展会上,新推出改良版的UMPC Q1P SSD,首次内建闪存硬盘,并且容量可达到32GB。
三星电子曾在去年2006年10月推出型号为Q1-Pentium以及Q1P的UMPC,不过其配备都是一般的1.8吋硬盘,Q1搭配的是Intel 1GHz的Pentium M 723处理器、60GB硬盘和1GB的内部存储器 |
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新技术+新市场=日立面对Flash之攻防策略 (2007.01.10) 日立环球于2007年1月10号发表两款产品,1TB的Deskstar 7 K 1000与1TB CinemaStar 7 K 1000,Deskstar主要为PC方面的应用,售价为$399。而CinemaStar主要用于DVR/STB的应用,价格未定。日立环球指出HD视讯已经成为消费者要求增加储存空间的重要动力,此外,混合式硬盘将会是2008后的硬盘新趋势 |
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300TB容量的新技术硬盘产品可在2010年实现 (2007.01.05) 全球硬盘大厂希捷(Seagate)宣布今年2007年上半年将推出容量1TB的硬盘产品。
Seagate目前容量最高的硬盘产品为750GB。Seagate表示最快今年上半年,将向一部分专业计算机系统厂商推出容量1TB的硬盘产品 |
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SanDisk加快进度推出Flash硬盘期占市场先机 (2007.01.05) 记忆卡制造大厂SanDisk正在加紧脚步,欲以闪存取代笔记本电脑中的硬盘,1月4日SanDisk推出新款应用在笔记本电脑用的闪存硬盘,预计在2007年上半年上市销售。这个举动,颇有与5大家硬盘储存大厂成立的混合硬盘联盟互别苗头的意味 |
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不以现状自满  SanDisk积极抢占记忆卡市场 (2006.12.19) 闪存储存记忆卡大厂SanDisk今日(19日)在台举办联合产品发表会,展示包括影片记忆卡录像机、MP3播放器系列、USB快闪随身碟、MMC记忆卡(Multi-Media Card)、SDHC(SD High Capacity)记忆卡等等 |
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奇梦达将暂停生产NAND Flash (2006.12.18) 在NAND型闪存(Flash)市场上,先前已有瑞萨(Renesas)选择暂时退出此一市场,而德国内存大厂奇梦达(Qimonda)近期也正式表示,待现有库存出清至本季为止,将暂时不再生产NAND型Flash产品,等到往后推出自行开发且跟得上市场的NAND型Flash产品技术后,奇梦达将再视市场状态重回到NAND型Flash领域 |
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ST NAND闪存产品转换为70nm制程 (2006.12.05) 意法半导体(ST)宣布该公司全线采用70nm制程的NAND闪存产品现已上市。随着512-Mbit(Small Page)和1/2/4/8-Gbit(Large Page)闪存转换为ST先进的70nm制程,使该系列产品拥有领先的NAND闪存技术,并具有价格较低及功率消耗较小等特色 |
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ST新款串行闪存 针对PC BIOS应用 (2006.11.27) 串行闪存供货商意法半导体(ST),宣布推出可抹除页面M25PE系列串行闪存产品新增加的一个拥有4-Kbyte区块的16-Mbit内存芯片,该产品可用于PC BIOS应用、光驱、数字录音机、网络产品以及机顶盒(STB)等消费电子储存应用 |
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晶圆级封装产业现况 (2006.11.23) 封装技术的发展日新月异,晶片设计已经进入了奈米时代,封装也由传统配角的角色,渐渐跃居晶片设计的重要环节。 WLCSP不仅仅让晶片体积缩小,得以满足消费电子的需求,SiP封装更能使各种不同制程的晶片,顺利整合为成单颗,达到SoC的设计精神 |