 |
美光NAND闪存产品前进3G市场 (2007.03.26)
美光科技（Micron Technology）将把NAND闪存业务推向手机市场。该公司将把控制器电路设计于NAND闪存芯片珠，以及制定与设备端LSI间的接口标准。美光此举是希望能使产品厂商省去在设备端LSI中配备控制器电路的麻烦，以提供终端产品厂商更高便利性 |
|
Intel的Turbo Memory技术将在新迅驰平台上现踪 (2007.03.26)
透过日前在德国所举行的汉诺威计算机展（CeBIT），Intel已经将Robson技术，正式更名为Turbo Memory技术，下一世代迅驰平台Santa Rosa主板中，也都将预留Turbo Memory专用插槽。而Intel初期将推出的512MB及1GB Turbo Memory技术NAND加速模块，也已经由鸿海为其开模试产成功，下半年将配合Santa Rosa平台共同出货 |
|
三星发表8GB之moviNAND闪存 (2007.03.21)
南韩三星电子发表了可将NAND Flash与MMC控制器一起封装在同一芯片中的技术，并推出高达8GB的moviNAND产品，其访问速度为原来4GB规格的两倍，并采用50nm制程的16Gbit NAND Flash。主要应用领域将是具备音乐播放功能的手机和车用GPS等导航系统 |
|
苹果可能推出闪存架构的轻型笔记本电脑 (2007.03.13)
据外电消息报导，一家美国的市场分析机构表示，苹果（Apple）将有可能在今年下半年时，推出以闪存（Flash Memory）为主要储存架构的新款笔记本电脑。
该公司表示，这项预测的消息来源是来自业界，而且此新型闪存笔电将搭载Mac OS X操作系统的精简版 |
 |
ST推出65nm PR系列NOR闪存产品 (2007.02.27)
手机闪存解决方案供货商意法半导体（ST），宣布推出65nm PR系列NOR闪存产品。基于第四代multi-level cell（MLC）技术，65nm PR系列闪存的软硬件可完全兼容于现有的90nm PR系列NOR闪存，并提供更高的内存容量和更佳的性能，为客户提供一条简单的系统升级途径 |
|
Spansion成为全球最大NOR Flash供货商 (2007.02.15)
根据调查，2006年Spansion已经取代Intel（英特尔），成为全球最大的NOR闪存供货商。
市场研究机构iSuppli指出，2006年Spansion销售额成长25.1％，而总体NOR市场仅成长8.1％。Spansion销售额达25.8亿美元，市场占有率为30.4％，超过英特尔，成为NOR闪存市场的龙头厂商 |
|
高通与Spansion合作开发新兴市场低阶CDMA手机 (2007.02.14)
3G CDMA手机通讯芯片大厂高通（Qualcomm）与储存芯片与内存制造商Spansion联合宣布将合作生产低阶价廉的手机芯片产品，以便降低成本，能在新兴市场销售更为廉价的CDMA手机，双方认为此举将能下降近25％的成本 |
|
Intel将于2008年生产35奈米NAND Flash (2007.02.13)
Intel（英特尔）宣布与美光（Micron）合资的新加坡新厂中，将在2008年将以先进的35奈米制程技术，生产NAND型闪存（Flash）产品，而透过35奈米制程技术，英特尔将可大幅增加其成本竞争力；此外，随着Santa Rosa平台的问世，Robson技术将结合NAND型Flash作为储存的媒介，提高硬盘读写速度，且在手机内存当中，NAND型Flash也将扮演要角 |
|
旺宏正式启动NAND闪存开发计划 (2007.02.01)
旺宏将正式启动NAND闪存的开发计划，以SONOS技术为基础，预期四年后完成，届时以45奈米制程技术投入量产，初期生产16GB与32GB的产品，今年并有意寻求策略合作伙伴。
旺宏今年资本支出预计为30亿元至35亿元 |
 |
消费电子应开始思考舍弃记忆卡设计 (2007.01.31)
现在的时间点为重新思考舍弃内嵌快闪记忆卡设计的好时机 |
|
常忆0.25µm嵌入式OTP与标准逻辑制程兼容 (2007.01.23)
非挥发性内存产品厂商常忆科技(Chingis Technology Corp.)，于2007年一月正式宣布0.25µm 一次性写入式内存（OTP）通过全球半导体晶圆专工厂商联电之认证。此项认证为常忆科技pFusion非挥发性内存逻辑及嵌入式闪存专利权之一，为目前可提供Macro size最小、可靠度最佳之产品 |
|
三星电子推出内建闪存硬盘UMPC (2007.01.11)
三星电子（Samsung Electronics）这次在拉斯韦加斯国际消费电子大展（CES 2007）展会上，新推出改良版的UMPC Q1P SSD，首次内建闪存硬盘，并且容量可达到32GB。
三星电子曾在去年2006年10月推出型号为Q1-Pentium以及Q1P的UMPC，不过其配备都是一般的1.8吋硬盘，Q1搭配的是Intel 1GHz的Pentium M 723处理器、60GB硬盘和1GB的内部存储器 |
|
新技术＋新市场＝日立面对Flash之攻防策略 (2007.01.10)
日立环球于2007年1月10号发表两款产品，1TB的Deskstar 7 K 1000与1TB CinemaStar 7 K 1000，Deskstar主要为PC方面的应用，售价为＄399。而CinemaStar主要用于DVR/STB的应用，价格未定。日立环球指出HD视讯已经成为消费者要求增加储存空间的重要动力，此外，混合式硬盘将会是2008后的硬盘新趋势 |
|
300TB容量的新技术硬盘产品可在2010年实现 (2007.01.05)
全球硬盘大厂希捷（Seagate）宣布今年2007年上半年将推出容量1TB的硬盘产品。
Seagate目前容量最高的硬盘产品为750GB。Seagate表示最快今年上半年，将向一部分专业计算机系统厂商推出容量1TB的硬盘产品 |
|
SanDisk加快进度推出Flash硬盘期占市场先机 (2007.01.05)
记忆卡制造大厂SanDisk正在加紧脚步，欲以闪存取代笔记本电脑中的硬盘，1月4日SanDisk推出新款应用在笔记本电脑用的闪存硬盘，预计在2007年上半年上市销售。这个举动，颇有与5大家硬盘储存大厂成立的混合硬盘联盟互别苗头的意味 |
|
不以现状自满 SanDisk积极抢占记忆卡市场 (2006.12.19)
闪存储存记忆卡大厂SanDisk今日（19日）在台举办联合产品发表会，展示包括影片记忆卡录像机、MP3播放器系列、USB快闪随身碟、MMC记忆卡（Multi-Media Card）、SDHC（SD High Capacity）记忆卡等等 |
|
奇梦达将暂停生产NAND Flash (2006.12.18)
在NAND型闪存（Flash）市场上，先前已有瑞萨（Renesas）选择暂时退出此一市场，而德国内存大厂奇梦达（Qimonda）近期也正式表示，待现有库存出清至本季为止，将暂时不再生产NAND型Flash产品，等到往后推出自行开发且跟得上市场的NAND型Flash产品技术后，奇梦达将再视市场状态重回到NAND型Flash领域 |
|
ST NAND闪存产品转换为70nm制程 (2006.12.05)
意法半导体(ST)宣布该公司全线采用70nm制程的NAND闪存产品现已上市。随着512-Mbit(Small Page)和1/2/4/8-Gbit(Large Page)闪存转换为ST先进的70nm制程，使该系列产品拥有领先的NAND闪存技术，并具有价格较低及功率消耗较小等特色 |
|
ST新款串行闪存 针对PC BIOS应用 (2006.11.27)
串行闪存供货商意法半导体(ST)，宣布推出可抹除页面M25PE系列串行闪存产品新增加的一个拥有4-Kbyte区块的16-Mbit内存芯片，该产品可用于PC BIOS应用、光驱、数字录音机、网络产品以及机顶盒(STB)等消费电子储存应用 |
|
晶圆级封装产业现况 (2006.11.23)
封装技术的发展日新月异，晶片设计已经进入了奈米时代，封装也由传统配角的角色，渐渐跃居晶片设计的重要环节。 WLCSP不仅仅让晶片体积缩小，得以满足消费电子的需求，SiP封装更能使各种不同制程的晶片，顺利整合为成单颗，达到SoC的设计精神 |
硬件组装在一起，只是一堆相互无法联系的零件，零件要能相互联络、沟通与协调，才能构成整体的「系统」的基础，而BIOS便扮演这样的角色。
