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海力士计划减少明年的设备投资并延缓中国计划 (2008.12.28)
外电消息报导，韩国内存供货商海力士计划减少韩国本土投资，并延迟与Numonyx B.V在中国的2.6亿美元合资案。
报导指出，由于内存价格大幅的下滑，在市场供需失衡与经济情况不佳的情况下，海力士已蒙受了巨大的损失，因此该公司计划将升级韩国厂的6460亿韩元（4.91亿美元）投资降低，减少到4910亿韩元（3.677亿美元） |
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美国SRAM反垄断调查结束 海力士声称无违法 (2008.12.25)
外电消息报导，美国司法部日前宣布，已结束自2006年10月份开始的SRAM反垄断法违法行为调查，而所有的结果也已寄交给接受调查的半导体公司。其中海力士即刻发布声明表示，该公司并未涉及任何的不法 |
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海力士可能考虑融资贷款来因应亏损 (2008.12.03)
外电消息报导，由于内存芯片价格持续滑落，加上全球景气衰退的因素，全球第二大内存芯片供货商海力士，正在考虑采取融资筹款的方式，来因应未见好转的亏损状况。
据报导，海力士受库存过剩导致内存芯片价格不振的拖累，目前已蒙受7年来最大亏损 |
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iSuppli公布2008年全球前20大半导体商排名 (2008.12.02)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli公布了2008年全球前20大半导体商排名。其中英特尔以12.8%的市占率稳坐第一，其次为三星电子的6.7%，第三为德州仪器的4.3%。而在前20大半导体供货商中，内存IC供货商的营收下滑幅度最大，海力士半导体则是表现最差的厂商，其排名下降了三个位置，来到第九名 |
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Numonyx暂缓意大利Catania 12吋厂计划 (2008.11.18)
外电消息报导，非挥发性内存供货商恒忆(Numonyx)日前表示，由于受全球经济成长趋缓的影响，原订在意大利Catania兴建12吋晶圆厂的计划将暂缓实施，最快要到2010年以后才会定案 |
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革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能，短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守，长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力（Scalability）、储存覆写次数耐久性（Endurance）和数据保存能力（Data Retention）的局限，使其面临技术上和经济上必须革新的关键 |
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08年上半年10大半导体商 英特尔续坐龙头 (2008.10.21)
外电消息报导，市场研究公司IC Insights，日前公布了2008年上半年的半导体市场排名，根据统计数据，英特尔仍排名第一，其次是三星电子，德州仪器则位居第三。、
根据IC Insights的统计数据，前十大的排名顺序为，英特尔、三星电子、德州仪器、东芝、台积电、意法半导体、瑞萨、海力士、新力及高通 |
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力晶与尔必达率先减少每月一成DRAM产量 (2008.09.11)
内存产量过剩，DRAM大厂力晶决定减产一成。此外，尔必达也传出将跟进减产一成的消息。据了解，这将有效减缓第四季DRAM产量过剩的状况，但对于长期效益来看，仍须持续观察 |
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記憶體發展走在十字路口，有什麼值得期待的應用可以帶動市場景氣？ (2008.09.08)
記憶體發展走在十字路口，有什麼值得期待的應用可以帶動市場景氣？ |
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海力士选用Blue Coat作网际安全网关的策略控管 (2008.09.03)
广域网应用传输与门道安全维护厂商Blue Coat，日前宣布海力士半导体（Hynix Semiconductor）选择部署Blue Coat ProxySG设备，来维护Web安全、策略控制、并防范有心人士藉由SSL加密信道外泄信息 |
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海力士清洲新NAND内存厂正式投产 (2008.08.31)
外电消息报导，韩国内存芯片制造商海力士（Hynix）日前表示，其在韩国清洲新建的新一代NAND闪存厂将正式投产，预计月产能将达到30万片。
Hynix表示，新的清州内存厂，预计月产量将可达到30万片，而依据进度来看，将有望在几个月之后，把产能提高到50万片左右 |
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恒忆与海力士将延长5年NAND Flash合作计划 (2008.08.19)
恒忆（Numonyx B.V.）和海力士半导体（Hynix Semiconductor）日前宣布，将延长两公司在NAND闪存升级产品和技术开发的合作计划。据了解，两公司未来将扩大NAND闪存产品和技术的合作开发范围，并将为加快开发速度而进行经营资源的一体化 |
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08年Q2全球内存销售 三星依旧称王 (2008.08.11)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli日前表示，根据统计数据，今年第二季三星电子在全球内存市场上依旧表现抢眼，市场占有率已超过了30%，持续维持第一大内存厂的龙头地位 |
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NAND闪存芯片销售额成长率下滑至12% (2008.07.02)
外电消息报导，市场研究公司Semico日前表示，尽管苹果即将开卖3G版iPhone，并在MacBook Air中采用固态硬盘，但过去所仰赖的「苹果效应」却未出现，今年NAND内存芯片销售额将出现衰退 |
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三星与海力士共同研发次世代内存技术 (2008.06.26)
外电消息报导，三星电子与海力士半导体于周三（6/25）共同宣布，将合作发展下一代的半导体芯片，并推动450mm的18吋晶圆厂标准。
据报导，三星与海力士共同表示，双方将合作进行旋转力矩转移-磁性随机内存(STT-MRAM)芯片的研发工作，并将致力于使其成为下一代450毫米晶圆的行业标准 |
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SPMT工作小组 推动新一代内存接口标准 (2008.05.02)
美商晶像、英商安谋、韩国海力士半导体、索尼爱立信行动通讯及法商意法半导体在4月30日宣布组织工作小组，为新世代内存接口技术，建立开放式标准。这项首创的内存标准乃针对动态随机存取内存（dynamic random access memory；DRAM） |
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Gartner:2007年十大半导体厂商排名出炉 (2007.12.16)
外电消息报导，市场研究公司Gartner日前公布最新的全球半导体营收统计资报告，报告中指出，2007年全球半导体营收达到2703亿美元，较去年同期成长2.9%。
而在全球半导体厂排名上，英特尔（Intel）仍为全球最大的半导体厂，市场占有率上升至12.2﹪ |
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第二季10大半导体厂排名公布 高通首次挤进 (2007.08.26)
外电消息报导，市场研究机构iSuppli日前公布了2007年第二季十大半导体厂商名单。其中英特尔(Intel)与三星电子(Samsung)仍高居第一、二名，而没有建置半导体生产工厂的高通（Qualcomm）则首次挤进前10名，成为第二季中意外的黑马 |
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韩系大厂将NAND Flash移至海外生产 (2007.04.19)
根据外电报导，海力士、三星电子计划将分别于今年第3季、第4季将NAND Flash移至中国无锡厂及美国奥斯汀厂生产。
三星电子计划将NAND Flash移至美国奥斯汀厂生产，以改善与当地国的贸易关系，并做好当地客户管理 |
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Hynix宣布首款Fusion Memory产品已可量产 (2007.04.14)
南韩海力士半导体（Hynix Semiconductor）正式发表首款DOC（Disk On Chip）H3产品并开始量产。该公司宣布计划到2010年能将该产品销售额提升到10亿美元。而Hynix的竞争对手包括三星电子的One NAND产品正在瓜分市场 |
