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罗姆量产沟槽式SiC 导通电阻降低再下一城 (2015.08.14)
在全球功率半导体市场，SiC（碳化矽）元件的发展，一直是主要业者所十分在意的重点，理由在于它与传统的MOSFET或是IGBT元件相较，SiC可以同时兼顾高开关频率或高操作电压，反观MOSFET与IGBT只能各自顾及开关频率与操作电压，显然地SiC元件相对地较有技术优势 |
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英飞凌购入韩国合资制造商LSPS流通股份 巩固主要家电市场地位 (2015.05.13)
（德国慕尼黑讯）英飞凌科技（Infineon）宣布购入 LS Power Semitech 公司的所有在外流通股份。 该公司为英飞凌与 LS Industrial Systems 于 2009 年于韩国合资设立。 此项收购策略将提升英飞凌在智能型电源模块 (IPM) 成长市场上的全球竞争力 |
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ROHM创新SiC驱动用AC/DC转换控制IC (2015.05.12)
ROHM全新研发能将尖端SiC功率半导体性能发挥至极致的AC/DC转换器控制IC。研发出在处理大功率（高电压×大电流）之变频器与伺服马达等工具机上被采用之SiC-MOSFET驱动用AC/DC转换器控制IC─BD7682FJ-LB |
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英飞凌与Panasonic为常关型600V氮化镓功率半导体建立双供应源 (2015.03.17)
英飞凌科技（Infineon）与 Panasonic公司宣布双方将共同开发以 Panasonic 常关型（强化模式）硅基板氮化镓晶体管结构为基础的氮化镓 (GaN) 产品，并整合至英飞凌的表面黏着装置（SMD）封装 |
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英飞凌顺利收购美国国际整流器公司 (2015.01.14)
英飞凌科技（Infineon）宣布完成收购美国国际整流器公司（International Rectifier；IR）。在获得所有相关主管机关与该公司股东的核准之后，自今日起总部位于美国加州艾尔塞贡多（El Segundo）的国际整流器公司正式成为英飞凌旗下公司 |
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英飞凌收购Schweizer 9.4%股份 芯片嵌入封装应用多 (2014.12.02)
英飞凌科技 (Infineon) 和印刷电路板 (PCB) 制造商德国Schweizer Electronic AG宣布，英飞凌将购入Schweizer 9.4% 的股份。英飞凌藉由投资Schweizer强化双方合作，共同开发可将功率半导体整合进PCB的技术，深化在高功率汽车及工业应用芯片嵌入市场的发展 |
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Littelfuse推出额订值高达1700V和450A模块 (2014.11.19)
Littelfuse公司从全球电路保护领域扩充到其专为电机控制和反向器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A |
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功率半导体市场大地震 英飞凌并购国际整流器 (2014.08.21)
近年来半导体市场的并购案件不断，像是英特尔并购英飞凌的无线射频部门、或是德州仪器一次买下美国国家半导体（NS）等，都是全球半导体产业十分关注的焦点，而此次英飞凌以以每股 40 美元、总计约 30 亿美元的现金出手买下国际整流器（IR），更是撼动了全球功率半导体市场 |
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挽救半导体声势 日本成立PDEA (2013.08.05)
日本近期传出日本半导体产业成立功率组件促进协会（Power Device Enabling Association，PDEA），主要的原因在于，日本在功率组件的技术发展，约略落后全球的平均水平，故成立该协会希望能迎头赶上，同时也能在各类重工业或是大功率等相关应用中，发展完整的生态系统以取得领导地位 |
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英飞凌与博世合作 共同生产功率半导体 (2009.04.05)
英飞凌科技（Infineon Technologies AG）与全球汽车及工业技术厂商罗伯特博世（Robert Bosch GmbH）公司宣布将双方的合作范围扩展至功率半导体领域。
此次双方合作的内容主要包含两方面： 第一、博世取得英飞凌有关功率半导体之特定制程的授权，特别是低压MOSFET及必要的制造技术 |
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东芝功率半导体12吋新厂启用 目标世界第一 (2007.10.18)
东芝旗下的加贺东芝电子正式启用了首座功率半导体12吋晶圆厂生产线，新产线将用于功率半导体的前段制程。东芝表示，此次生产线的启用是东芝的功率半导体业务迈向世界第一的第一步 |
为了整合电子位信息交换的共同标准，统一全球各国分歧殊异的文字符号，独霸全球字符编码标准，ASCII与Unicode的分分合合就此展开........
