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充电转接器更高效率／小体积 Dialog推GaN功率IC (2016.08.25)
随着智慧型手机、平板电脑中的应用程式推陈出新，消费者越来越依赖行动装置中的社交软体，另一方面，前阵子手机游戏Pokemon Go（宝可梦Go）在台正式上线，这些应用程式对于功耗的需求相当强烈，消费者无不希望电源补给速度可更加提升 |
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一起实现氮化镓的可靠运行 (2016.06.24)
我经常感到不解，为何我们的产业不在加快氮化镓 (GaN) 电晶体的部署和采用方面增强合作力度；毕竟，浪潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不甚令人满意 |
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是德科技与三安集成策略合作推出HBT、pHEMT制程设计套件 (2016.05.03)
是德科技软体和服务可协助三安集成加速完成HBT和pHEMT制程PDK的开发制作可靠、高功率的先进pHEMT及HBT元件，缩短产品上市时间。
是德科技（Keysight）日前宣布与中国厦门三安集成签署合作备忘录（MoU），双方将以是德科技先进设计系统（ADS）软体为基础，共同合作开发适用于三安集成的HBT和pHEMT制程的先进制程设计套件（PDK） |
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宜普电源推出全新增?型氮化镓功率电晶体 (2015.08.27)
宜普电源（EPC）推出EPC2039功率电晶体。该产品是一种具备高功率密度的增?型氮化镓（eGaN）功率电晶体，其尺寸只是1.82mm2、80 VDS、6.8 A及在闸极上施加5 V电压时的最大阻抗? 22 微欧姆 |
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英飞凌与Panasonic为常关型600V氮化镓功率半导体建立双供应源 (2015.03.17)
英飞凌科技（Infineon）与 Panasonic公司宣布双方将共同开发以 Panasonic 常关型（强化模式）硅基板氮化镓晶体管结构为基础的氮化镓 (GaN) 产品，并整合至英飞凌的表面黏着装置（SMD）封装 |
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宜普电源推出单片式氮化镓半桥功率晶体管 (2015.01.23)
宜普电源转换公司（EPC）推出EPC2102(60 V)及EPC2103（80 V）增强型单片式氮化镓半桥元件。可推动48 V转12 V降压转换器在20 A输出电流下实现超过97%的系统效率。在于透过整合两个eGaN功率场效应电晶体而成为单个元件可以除去印刷电路板上元件之间的相连电感及空隙，使电晶体的占板面积减少50% |
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宜普电源推出450 V增强型氮化镓功率晶体管 (2015.01.15)
具备４奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(eGaN FET)并适合于高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。
宜普电源（EPC）推出450 V并通常处于关断状态的增?型功率晶体管（EPC2027），可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度 |
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宜普展示采用氮化镓场效应晶体管可提高无线电源传送应用的效率达20% (2014.03.17)
硅基增强型功率氮化镓(eGaN)功率晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将于亚太区业界技术研讨会进行三场技术演讲。
于3月18日在中国上海举行的两场业界研讨会中，宜普公司技术专家将与您分享更高效的氮化镓（GaN）功率器件如何替代陈旧的硅MOSFET器件，并如何在无线电源传送（WiPo）应用取得更高性能 |
尽管DOS的大受欢迎，是伴随IBM个人PC的功成名就而来，不过要追溯它的起源，可要从较早期的微处理器时代开始说起。
