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CTIMES / Helmut Vogler
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
英飞凌推出新型高功率LDMOS晶体管系列产品 (2009.06.18)
英飞凌科技于在美国波士顿所举办的IEEE MTT-S国际微波技术研讨会(International Microwave Symposium)上宣布推出可供设计宽带无线网络基地台的高功率LDMOS晶体管系列产品。新型晶体管的功率位准高达300W，视讯带宽超过90 MHz，完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比(peak to average power ratio)以及高数据传输速率规格
英飞凌推出新款无线基础设施专用射频功率晶体 (2008.06.30)
英飞凌科技(Infineon)宣布推出新款 700 MHz 频段无线基础设施专用射频功率晶体系列。 这个频段将在美国用来导入 4G（第四代）移动电话、行动电视广播与其他行动宽带服务，包括下一代的无线网络标准-LTE（长期演进技术）
英飞凌推出700 MHz频段射频功率晶体系列 (2008.06.27)
英飞凌科技(Infineon)宣布推出新款 700 MHz 频段无线基础设施专用射频功率晶体系列。 这个频段将在美国用来导入 4G（第四代）移动电话、行动电视广播与其他行动宽带服务，包括下一代的无线网络标准-LTE（长期演进技术）

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