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CTIMES / 勢壘整流器
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
Diodes沟槽型超级势垒整流器提高新一代充电器效率 (2014.12.12)
Diodes公司全新推出两款采用旗下专利沟槽型超级势垒整流（Trench SBR）技术的组件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格需求。 两款全新沟槽型超级势垒整流器具有极低的正向电压、低漏电流

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