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CTIMES / 散熱性
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
英飞凌800 V CoolMOS P7系列为效率和散热性树立新标竿 (2016.09.21)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出 800 V CoolMOS P7 系列产品。采用 Superjunction 技术，800 V MOSFET 不但拥有同级最佳化效能且相当易于使用。新产品适用于低功率 SMPS 应用，完全符合市场对于效能、简易设计和性价比的需求，并主要着重于充电器、LED 照明、音讯、工业与辅助电力等应用中常见的返驰式拓朴

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