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日本NIR近外线广域LED开发技术课题
 


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開始時間﹕ 八月三十日(二) 09:30 結束時間﹕ 八月三十日(二) 16:30
主办单位﹕ 台灣日本產研資訊
活動地點﹕ 台北市中正区馆前路49号4楼
联 络 人 ﹕ sumken@sum-ken.com 联络电话﹕ 02-2536-4647
報名網頁﹕ http://goo.gl/KTa8Kr
相关网址﹕ http://goo.gl/zkZde8

当初IR/LED是1mW程度的,但之后在导入类似半导体雷射构造的具有多层构造异质结合磊晶技术及使用MOCVD等的气相沉积技术后,现在的IR/LED有数mW级~数W级高出力的产品被实用、贩卖。而且其波长带主要以850nm, 870nm, 940 nm为中心的800 nm~1500 nm之间变得更被广泛运用,它的周波数特性及回应速度也变得更高速了。像这样高出力的红外线LED登场后,可以预期应用于监视大规模、广域停车场夜视相机的IR光源及大规格、高速通信用途上。虽然IR/LED不像红色、蓝色、绿色等可视光源受瞩目,但其可运用范围的市场是超越你我想像之外的广泛,其今后市场成长可见预期。

(一)红外线IR安全监控(Surveillance)应用与LED替代光源的未来发展

(二)红外光对植物光合作用之影响

(三)New classes of Infrared femtosecond lasers using transition metals doped II–VI materials

(四)日本近红外线广域LED开发技术课题(中文翻译)

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