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三菱电机将交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片样品 (2024.11.12)
三菱电机株式会社(Mitsubishi Electric)宣布,将开始发货用於驱动马达的碳化矽 (SiC) 金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)裸晶片样品11月14日,三菱电机推出电动车(EV)、??电式混合动力车(PHEV)和其他电动车(xEV)的逆变器
东芝推出高额定无电阻步进马达驱动器TB67S559FTG (2024.11.08)
东芝在步进马达驱动器系列加入新产品TB67S559FTG,该产品支援办公室自动化设备和工业设备(例如机器人、金融设备等)中使用的恒流控制,无需电流检测电阻即可控制恒定电流电机已新增
意法半导体新款750W马达驱动叁考板适用於家用和工业设备 (2024.10.27)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)新款EVLDRIVE101-HPD(高功率密度)马达驱动叁考设计在直径仅5公分的圆形PCB电路板上整合三相闸极驱动器、STM32G0微控制器和750W功率级。该电路板的休眠模式下功耗极低
意法半导体为电动车牵引变频器打造新一代碳化矽功率技术 (2024.10.08)
全球半导体领导厂商意法半导体(STMicroelectronics;ST)正式推出第四代STPOWER碳化矽(SiC)MOSFET技术。这项新技术不仅满足车用及工业市场的需求,还针对电动车(EV)动力系统中的关键元件牵引变频器进行专门优化,在功率效率、功率密度及稳定性上树立全新的标竿
贸泽电子供应Toshiba各种电子元件与半导体 (2024.09.18)
贸泽电子(Mouser Electronics)为Toshiba原厂授权代理商,贸泽备有超过7,000种Toshiba产品可供订购,包括超过3,000种的库存,提供最多样化、最新的Toshiba元件产品组合,帮助买家和工程师开发满足市场需求的产品
纬湃采用英飞凌CoolGaN电晶体打造高功率密度DC-DC转换器 (2024.09.03)
在电动汽车和混合动力汽车中,少不了用於连接高电压电池和低电压辅助电路的DC-DC转换器,而它对於开发更多具有低压功能的经济节能车型也很重要。由TechInsights的资料显示,2023年全球汽车DC-DC转换器的市场规模为40亿美元,预计到2030年将增长至110亿美元,预测期内的复合年增长率为15%
ROHM推出车电Nch MOSFET 适用於车门、座椅等多种马达及LED头灯应用 (2024.08.28)
在汽车领域,随着安全性和便利性的提高,电子产品逐渐增加,电子元件数量也与日俱增,而为了提高燃油效率和降低电耗,更是要求需降低上述产品的功耗。其中针对车电开关应用不可或缺的MOSFET市场,对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求逐渐高涨
ROHM高可靠性车电Nch MOSFET适用於多种车用马达及LED头灯应用 (2024.08.22)
随着车用电子元件提高安全性和便利性的需求,为了提高燃油效率和降低电耗,更是要求需降低车用产品的功耗。其中针对车电开关应用不可或缺的MOSFET市场,对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求逐渐高涨
开启HVAC高效、静音、节能的新时代 (2024.08.01)
文:本次要介绍的产品,是来自德州仪器(TI)一款业界首创的650V三相智慧功率模组(Intelligent Power Module;IPM)━「DRV7308」,适用於250W马达驱动器应用。
意法半导体新款高压侧开关整合智慧多功能 提供系统设计高弹性 (2024.05.09)
全球半导体厂商意法半导体(STMicroelectronics;ST)新推出八路高边开关兼具智慧功能和设计灵活性,每条通道导通电阻RDS(on)(典型值)仅110mΩ,拥有小尺寸,并确保系统效能,还能够节省PCB 空间
英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飞凌科技(Infineon)推出最新先进功率 MOSFET 技术 OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显着提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm2SMD封装
Transphorm新型SuperGaN器件采用4引脚TO-247封装 (2024.01.18)
全球氮化??(GaN)功率半导体供应商Transphorm推出两款采用4引脚TO-247封装的新型SuperGaN器件TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET,各别具有35毫欧和50毫欧的导通电阻,并配有一个开尔文源极端子,以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能,因应高功率伺服器、可再生能源、工业电力转换领域的需求
英飞凌全新 CoolMOS S7T系列整合温度感测器性能 (2024.01.11)
英飞凌科技(Infineon)推出整合温度感测器的全新 CoolMOS S7T 产品系列,具有出色的导通电阻和高精度嵌入式感测器,能够提高功率电晶体接面温度感测的精度,适用於提高固态继电器(SSR)应用的性能和可靠性
碳化矽电子保险丝展示板提升电动汽车电路保护效能 (2023.12.25)
电动汽车开发设计人员现在正专注於增强高压保护电路的效能,并且提高可靠性,而电子保险丝作为电路保护解决方案不断发展,成为优先采用的方法。
ROHM推出SOT-223-3小型封装600V耐压Super Junction MOSFET (2023.12.12)
近年来随着照明用小型电源和泵浦用马达的性能提升,对於在应用中发挥开关作用的MOSFET小型化产品需求渐增。半导体制造商ROHM推出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」,适用於照明用小型电源、空调、泵浦和马达等应用
意法半导体STSPIN9系列新款高扩充性大电流马达驱动晶片量产 (2023.12.08)
全球半导体厂商意法半导体(STMicroelectronics;ST)推出STSPIN9系列大电流马达驱动晶片,首波推出两款产品,应用定位高阶工业设备、家电和专业设备。4.5A STSPIN948和5.0A STSPIN958整合PWM控制逻辑电路和58V功率级
Transphorm新款TOLT封装形式的SuperGaN FET提供更灵活的热管理 (2023.11.29)
Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後,推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET,新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧,为采用JEDEC标准(MO-332)TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件
自走式电器上的电池放电保护 (2023.11.26)
使用MOSFET作为理想二极体,能够为新一代自动化电器提供稳健可靠的安全防护。
Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??(GaN)功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET,导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准,可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件
Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI应用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管(FET),导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准,意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案


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