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ROHM新款SiC萧特基二极体支援xEV系统高电压需求 (2024.11.14)
半导体制造商ROHM开发出引脚间沿面距离更长、绝缘电阻更高的表面安装型SiC萧特基二极体（SBD）。目前产品阵容中已经有适用於车载充电器（OBC）等车载应用的「SCS2xxxNHR」8款机型
ROHM叁展2024慕尼黑电子展以E-Mobility、车用和工控为展示主轴 (2024.11.06)
现今电子系统的需求日益成长，尤其是在永续经营和急需创新的市场方面，先进技术将成为助力。半导体制造商ROHM将於11月12日至15日叁加在德国慕尼黑举办的2024慕尼黑电子展（electronica 2024），展示提高车用和工控中功率密度、效率和可靠性的先进功率和类比技术，并进行技术交流合作
ROHM的EcoSiC导入COSEL的3.5Kw输出AC-DC电源产品 (2024.10.30)
半导体制造商ROHM生产的EcoSiC产品SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（SBD），被日本先进电源制造商COSEL生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元「HFA／HCA系列」采用。强制风冷型HFA系列和传导散热型HCA系列均搭载ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD，实现最大的工作效率（94%）
英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC (2024.10.28)
许多工业应用如今可以透过提高直流母线电压以求功率损耗最低时，也朝向更高的功率水准。因应此需求，英飞凌科技（Infineon）推出CoolSiC萧特基二极体2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立式SiC二极体，适用於直流母线电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A 至80 A，符合光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用
ROHM推出100V耐压SBD「YQ系列」 采用沟槽MOS结构 (2024.01.31)
半导体制造商ROHM针对车载设备、工业设备、消费性电子设备等电源电路和保护电路，推出业界最高等级trr的100V耐压萧特基二极体（SBD）「YQ系列」。 二极体的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用於各种应用
东芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工业设备效率 (2023.07.13)
东芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD），这是该公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工业设备开关电源、电动汽车充电站、光伏逆变器为应用领域
ROHM SiC MOSFET/SiC SBD结合Apex Microtechnology模组提升工控设备功率 (2023.03.31)
电源和马达占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高其效率已成为全球性的社会问题，而功率元件是提高效率的关键。ROHM的SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（简称SiC SBD）已被成功应用於大功率类比模组制造商Apex Microtechnology的功率模组系列产品
Littelfuse扩展eFuse保护IC系列 满足多样化和高标准应用需求 (2023.03.21)
Littelfuse宣布公司的电子保险丝（eFuse）保护IC产品系列最新推出四款多功能电路保护元件。 最新推出的电子保险丝保护IC产品采用了创新设计，是3.3V至28V广泛电源输入应用的理想选择，具有高度整合的保护功能
ROHM SiC SBD成功应用於Murata Power Solutions D1U系列 (2023.03.15)
ROHM（总公司：日本京都市）开发的第3代SiC萧特基二极体（以下简称 SBD）已成功应用於Murata Power Solutions的产品上。Murata Power Solutions是擅长电子元件、电池、电源领域的日本着名制造商村田制作所集团旗下的企业
以降压稳压器解决电流??路发送器功耗问题 (2022.10.27)
本文介绍如何使用 100 mA高速同步单晶片降压型切换稳压器取代LDO稳压器，为电流??路发送器设计精巧型电源。文中评估其性能，并选择符合严格的工业标准的元件。并提供效率、启动和涟波测试资料
HOLTEK推出6V/2A/1.2MHz同步降压转换器IC--HT74153 (2022.07.04)
盛群（Holtek）新推出同步降压转换器IC--HT74153，输入电压范围2.5V至6V，可应用於3至4节乾电池及单节锂电池的产品；2A的输出电流能力，可提供稳定的电压，能驱动低压直流马达及雷射二极体等大电流负载的应用，适用於携带式产品如按摩器、玩具及雷射投线仪等
罗姆推出小型PMDE封装二极体 助力应用小型化 (2022.04.11)
ROHM为满足车电装置、工控装置和消费性电子装置等各类型应用中，保护电路和开关电路的小型化需求，推出了PMDE封装（2.5mm×1.3mm）产品，此次又在产品系列中新增了14款机型
Diodes推出反向放电理想二极体控制器 提高保护电路效率 (2022.03.22)
Diodes公司宣布推出一款用於保护系统，免遭反向放电的理想二极体控制器产品。DZDH0401DW控制器驱动P通道MOSFET来模拟理想二极体，在高达40V的系统中，提供阻断反向电流所需的高侧导轨绝缘
HOLTEK推出新款低功耗200mA同步升压转换器--HT77xxFA (2021.11.29)
盛群半导体(Holtek)新推出一款高效同步升压转换器IC，HT77xxFA。适用于遥控器、无线滑鼠、血糖仪、电动剪及温湿度计等产品。内置萧特基二极体的设计可减少布局面积，对于行动装置的设备具有帮助
Littelfuse新增1700 V碳化矽萧特基阻障二极体提供更快和低损耗开关 (2021.08.17)
Littelfuse公司今（17）日宣布扩充其碳化矽（SiC）二极体产品组合，新增1700 V级产品适用于资料中心、建筑物自动化和其他高功率电子应用。 LSIC2SD170Bxx系列碳化矽萧特基二极体采用TO-247-2L封装，可选择额定电流10A、25A或50A
ROHM扩大车电小型SBD RBR/RBQ产品线 增至178款 (2021.08.11)
半导体制造商ROHM研发出小型高效萧特基二极体（SBD）「RBR系列」、「RBQ系列」各12款产品，适用于车电、工控和消费性电子装置等电路整流和保护用途。目前该二个系列的产品线总计已达178款
Microchip推出耐固性最强的碳化矽功率解决方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣布扩大其碳化矽产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分离元件和电源模组。 Microchip的1700V碳化矽技术是矽IGBT的替代产品
ROHM内建SiC二极体IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 损耗减少67% (2021.07.13)
半导体制造商ROHM开发出650V耐压、内建SiC萧特基二极体的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准「AEC-Q101」
英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立元件系列 (2021.02.18)
英飞凌科技推出具 650 V 阻断电压，采独立封装的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 产品组合。新款 CoolSiC 混合型产品系列结合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技术的主要优点及共同封装单极结构的CoolSiC 萧特基二极体
电源元件市场高成长 激化品牌创新与纵横合作 (2020.12.02)
再生能源、智慧运算与无线互联的科技愿景当前，寻获最适的新兴材料、元件架构与系统设计，成为全球电源元件供应大厂争相追求的火种—迸发创新的束束火光，已然在全球前沿电力电子市场发散热力


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