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Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q，并采用真正的双引脚（R2P） DPAK （TO -252-2）封装，适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外，为了扩展 SiC 二极体产品组合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性
ROHM推出100V耐压SBD「YQ系列」 采用沟槽MOS结构 (2024.01.31)
半导体制造商ROHM针对车载设备、工业设备、消费性电子设备等电源电路和保护电路，推出业界最高等级trr的100V耐压萧特基二极体（SBD）「YQ系列」。 二极体的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用於各种应用
东芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工业设备效率 (2023.07.13)
东芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD），这是该公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工业设备开关电源、电动汽车充电站、光伏逆变器为应用领域
ROHM SiC MOSFET/SiC SBD结合Apex Microtechnology模组提升工控设备功率 (2023.03.31)
电源和马达占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高其效率已成为全球性的社会问题，而功率元件是提高效率的关键。ROHM的SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（简称SiC SBD）已被成功应用於大功率类比模组制造商Apex Microtechnology的功率模组系列产品
Littelfuse扩展eFuse保护IC系列 满足多样化和高标准应用需求 (2023.03.21)
Littelfuse宣布公司的电子保险丝（eFuse）保护IC产品系列最新推出四款多功能电路保护元件。 最新推出的电子保险丝保护IC产品采用了创新设计，是3.3V至28V广泛电源输入应用的理想选择，具有高度整合的保护功能
ROHM SiC SBD成功应用於Murata Power Solutions D1U系列 (2023.03.15)
ROHM（总公司：日本京都市）开发的第3代SiC萧特基二极体（以下简称 SBD）已成功应用於Murata Power Solutions的产品上。Murata Power Solutions是擅长电子元件、电池、电源领域的日本着名制造商村田制作所集团旗下的企业
Diodes推出碳化矽萧特基势垒二极体 提高效率和高温可靠性 (2023.02.08)
Diodes公司今日宣布推出首款碳化矽（SiC）萧特基势垒二极体（SBD）。产品组合包含DIODES DSCxxA065系列，共有十一项650V额定电压（4A、6A、8A和10A）的产品，以及DIODES DSCxx120系列，共有八款1200V额定电压（2A、5A和10A）产品
以降压稳压器解决电流??路发送器功耗问题 (2022.10.27)
本文介绍如何使用 100 mA高速同步单晶片降压型切换稳压器取代LDO稳压器，为电流??路发送器设计精巧型电源。文中评估其性能，并选择符合严格的工业标准的元件。并提供效率、启动和涟波测试资料
HOLTEK推出6V/2A/1.2MHz同步降压转换器IC--HT74153 (2022.07.04)
盛群（Holtek）新推出同步降压转换器IC--HT74153，输入电压范围2.5V至6V，可应用於3至4节乾电池及单节锂电池的产品；2A的输出电流能力，可提供稳定的电压，能驱动低压直流马达及雷射二极体等大电流负载的应用，适用於携带式产品如按摩器、玩具及雷射投线仪等
Diodes推出超小型CSP萧特基整流器 可节省电路板空间 (2022.05.04)
Diodes公司（Diodes）宣布推出一系列以超小型晶片级封装（CSP）的高电流萧特基（Schottky）整流器，SDM5U45EP3（5A、45V）、SDM4A40EP3（4A、40V）及SDT4U40EP3（4A、40V）达到业界同级最高电流密度，满足市场对於尺寸更小、更高功率的电子系统需求
罗姆推出小型PMDE封装二极体 助力应用小型化 (2022.04.11)
ROHM为满足车电装置、工控装置和消费性电子装置等各类型应用中，保护电路和开关电路的小型化需求，推出了PMDE封装（2.5mm×1.3mm）产品，此次又在产品系列中新增了14款机型
Diodes推出反向放电理想二极体控制器 提高保护电路效率 (2022.03.22)
Diodes公司宣布推出一款用於保护系统，免遭反向放电的理想二极体控制器产品。DZDH0401DW控制器驱动P通道MOSFET来模拟理想二极体，在高达40V的系统中，提供阻断反向电流所需的高侧导轨绝缘
Microchip扩大氮化镓（GaN）射频功率元件产品组合 (2021.12.02)
Microchip今日宣布扩大其氮化镓（GaN）射频（RF）功率元件产品组合，推出频率最高可达20 GHz的新款单晶微波积体电路（MMIC）和分离电晶体。这些元件同时具备高功率附加效率（PAE）和高线性度，为5G、电子作战、卫星通讯、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的效能水准
HOLTEK推出新款低功耗200mA同步升压转换器--HT77xxFA (2021.11.29)
盛群半导体(Holtek)新推出一款高效同步升压转换器IC，HT77xxFA。适用于遥控器、无线滑鼠、血糖仪、电动剪及温湿度计等产品。内置萧特基二极体的设计可减少布局面积，对于行动装置的设备具有帮助
Littelfuse新增1700 V碳化矽萧特基阻障二极体提供更快和低损耗开关 (2021.08.17)
Littelfuse公司今（17）日宣布扩充其碳化矽（SiC）二极体产品组合，新增1700 V级产品适用于资料中心、建筑物自动化和其他高功率电子应用。 LSIC2SD170Bxx系列碳化矽萧特基二极体采用TO-247-2L封装，可选择额定电流10A、25A或50A
ROHM扩大车电小型SBD RBR/RBQ产品线 增至178款 (2021.08.11)
半导体制造商ROHM研发出小型高效萧特基二极体（SBD）「RBR系列」、「RBQ系列」各12款产品，适用于车电、工控和消费性电子装置等电路整流和保护用途。目前该二个系列的产品线总计已达178款
碳化矽迈入新时代 ST 25年研发突破技术挑战 (2021.07.30)
本文探讨碳化矽在当今半导体产业中所扮演的角色、碳化矽的研发历程，以及未来发展方向。以及意法半导体研发碳化矽25年如何克服技术挑战及创新技术的历程。
Microchip推出耐固性最强的碳化矽功率解决方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣布扩大其碳化矽产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分离元件和电源模组。 Microchip的1700V碳化矽技术是矽IGBT的替代产品
ROHM内建SiC二极体IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 损耗减少67% (2021.07.13)
半导体制造商ROHM开发出650V耐压、内建SiC萧特基二极体的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准「AEC-Q101」
英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立元件系列 (2021.02.18)
英飞凌科技推出具 650 V 阻断电压，采独立封装的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 产品组合。新款 CoolSiC 混合型产品系列结合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技术的主要优点及共同封装单极结构的CoolSiC 萧特基二极体


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