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英飞凌针对汽车应用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飞凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列，作为最新一代适合汽车应用的功率MOSFET，提供多种无引脚、强固的功率封装。该系列产品采用了300毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比於其它采用微型封装的元件，具有显着的性能优势 |
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英飞凌推出MOSFET OptiMOS 5功率 小尺寸封装提高灵活性 (2022.03.15)
英飞凌科技股份有限公司，推出全新采用PQFN 2 x 2 mm2封装的OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立式功率MOSFET技术树立全新的业界标准。这些新元件采用薄晶圆技术和创新的封装，尺寸极小，却具有显着的性能优势 |
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安森美推出全新650V碳化矽MOSFET系列 满足车规与工规应用需求 (2021.02.18)
安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET装置，适用於对功率密度、能效和可靠性要求极高的应用。设计人员用新的SiC装置取代现有的矽开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、伺服器电源(PSU)、电信和不断电供应系统(UPS)等应用中实现显着的更隹性能 |
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英飞凌携手GT Advanced Technologies 扩大碳化矽供应 (2020.11.13)
英飞凌科技与GT Advanced Technologies签署碳化矽（SiC）晶棒供货协议，该合约的初始期限为五年。透过这份供货合约，英飞凌进一步确保满足其在该领域不断增长的需求。
英飞凌工业电源控制事业部总裁Peter Wawer表示：「我们看到对碳化矽开关的需求在稳步增长，特别是在工业应用方面 |
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英飞凌推出全新OptiMOS 6 40 V 系列：具备优异的RDS(on)与切换效能 (2019.03.21)
英飞凌科技推出全新OptiMOS 6系列，为分立式功率MOSFET技术奠定新技术标准。新产品系列采用英飞凌薄晶圆技术，提供显着的效能优势，并涵盖宽广的电压范围。全新40 V MOSFET系列已针对SMPS的同步整流进行最隹化，适用於伺服器、桌上型电脑、无线充电器、快速充电器及ORing电路 |
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英飞凌收购碳化矽商Siltectra SiC晶片产能将倍增 (2018.11.19)
英飞凌科技宣布收购位於德国德勒斯登的新创公司 Siltectra 。该新创公司开发一种创新的冷切割技术 ( Cold Split )，可有效处理晶体材料，并可大幅减少材料损耗。英飞凌将采用此 Cold Split 技术分割碳化矽 (SiC) 晶圆，使晶圆产出双倍的晶片数量 |
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英飞凌推出车用CoolSiC肖特基二极体 结合效能与耐用性 (2018.06.19)
英飞凌科技股份有限公司首款车用碳化矽系列CoolSiC肖特基二极体系列於日前PCIM展会上亮相，该款肖特基二极体已准备就绪，可用於目前和未来油电混合车和电动车中的车载充电器 (OBC) 应用 |
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英飞凌推出表面黏着 D2PAK 封装650V IGBT 提供最高功率密度 (2018.05.30)
英飞凌科技股份有限公司扩展TRENCHSTOP 5薄晶圆技术产品组合，推出IGBT与全额定电流 40 A 二极体共同封装於表面黏着 TO-263-3 外型 (也就是 D2PAK) ，最高达40 A的 650V IGBT。
全新的 TRENCHSTOP 5 IGBT 采用 D2PAK 封装，可满足自动化表面黏着组装的电源装置对於更高功率密度日益增加的需求 |
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英飞凌推出智慧电源开关PROFET+2与High Current PROFET (2017.07.04)
具备更隹的能源效率与微型化尺寸
【德国慕尼黑讯】汽车制造商都希??车载电子系统能够以最小的空间提供最多样的节能功能，英飞凌科技因应此项趋势，推出最新 SMART7功率IC制造技术，适用於车身控制模组或配电中心等汽车应用 |
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英飞凌高效率650V IGBT支持电动车与油电混合车的快速切换技术 (2015.04.08)
英飞凌科技（Infineon）推出 650V IGBT 系列，为快速切换的汽车应用提供最佳效率。荣获汽车电子协会认证（AEC-Q）的 TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT 可有效降低功率损耗，提升电动车（EV）与油电混合车（HEV）应用的可靠性，例如：车用充电、功率因子校正（PFC）、DC-DC 与 DC/AC 之转换等 |
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英飞凌专为50Hz至20kHz的低切换频率设计全新等级 IGBT (2015.01.30)
英飞凌科技（Infineon）推出全新等级的低饱和电压 VCE(sat) IGBT，专为 50Hz 至 20 kHz 的低切换频率所设计，适用于不断电系统（UPS）以及太阳光电与焊接系统中的变频器等应用 |
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IR扩充超高速沟道IGBT系列 (2014.10.22)
因应多样化系统应用的需求，国际整流器公司（International Rectifier；IR）推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx组件，藉以扩充绝缘闸双极晶体管（IGBT）系列。新产品旨在为多种快速开关应用作出优化，包括太阳能逆变器、焊接设备、工业用马达、感应加热及不间断电源 |
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IR推出高效能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列 (2014.08.19)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出高效能600V超高速沟道场截止绝缘闸双极晶体管 (IGBT) IR66xx系列。全新坚固可靠的组件系列提供极低的导通损耗和开关损耗，旨在为焊接应用作出优化 |
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迈向 12吋薄晶功率技术之挑战 (2014.04.22)
英飞凌在 2013 年 2 月推出于奥地利维拉赫 (Villach) 厂全新 12吋生产线制造 的首批CoolMOS 系列产品。英飞凌为此进行超过三年的密集研发活动，并与全欧洲各个领域的合作伙伴合作，其中包括制程技术、生产技术，以及进阶功率技术(以12吋晶圆为基础) 的处理和自动化 |
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英飞凌荣获奥地利国家创新奖 (2013.04.09)
英飞凌科技荣获 2013 奥地利国家创新奖 (National Innovation Prize)，该公司因其在奥地利菲拉赫(Villach) 厂所开发的 12吋薄晶圆技术而获奖。英飞凌(奥地利)董事会成员，负责技术及创新的 Sabine Herlitschka 博士代表英飞凌从奥地利经济部长 Reinhold Mitterlehner 手上接下这座奖项 |
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英飞凌 12吋薄晶圆制造通过质量认证开始出货 (2013.02.26)
英飞凌科技股份有限公司在 12 吋薄晶圆功率半导体的制程上取得重大突破，公司的 CoolMOS系列产品在二月份取得首笔客户订单，由位于奥地利维拉赫 (Villach) 厂房的 12 吋生产线负责生产 |
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IR扩充600V沟道超高速IGBT阵容 (2013.02.21)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充600V绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 阵容，推出坚固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D及IRGP4660D，藉以优化不间断电源 (UPS)、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接应用 |
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IR Gen8 1200V IGBT技术平台提升效率及耐用性 (2012.11.21)
国际整流器公司(IR)日前推出新一代绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术。
Gen8设计让Vce(on) 能够减少功耗，增加功率密度，以及提供耐用性 |
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英飞凌再度荣膺功率半导体市场宝座 (2012.10.19)
英飞凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 连续九年成为功率半导体市场的领导者。根据市调机构 IMS Research（属IHS公司）最新报告指出，2011 年全球功率半导体市场总值达 176 亿美元，而英飞凌的市占率达 11.9% |
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IR宣布扩充其600 V沟道绝缘栅双极晶体管阵营 (2011.11.18)
国际整流器公司（IR）日前宣布扩充其600 V沟道绝缘栅双极晶体管（IGBT）阵营，为不断电系统（UPS）、太阳能、工业用马达及焊接应用推出IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF组件。
IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF组件利用沟道纤薄晶圆技术，减低导通及开关损耗 |
