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英飞凌推出静态开关用的全新工业级和车规级高压超接面MOSFET (2023.07.31)
在静态开关应用中，电源设计着重於得以降低导通损耗、优化热性能、实现精简轻便的系统设计；英飞凌科技（Infineon）正扩大其CoolMOS S7 系列高压超接面（SJ）MOSFET 的产品阵容因应所需 |
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英飞凌推出全新800V和950V AC-DC整合式功率级产品 (2022.09.26)
在提高高压电源的性能、效率和可靠性的同时，也需要减少元件的数量和材料清单（BOM）成本，并降低所需的设计工作量。为了满足这些需求，英飞凌科技股份有限公司推出第五代定频（FF）CoolSET产品组合，旨在提供合适的关键元件，以优化设计 |
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三星首款MOSFET冰箱变频器 采用英飞凌600V功率产品 (2021.05.27)
英飞凌科技向三星电子供应具有最高能源效率及最低噪音的功率产品。这些功率装置已整合在三星最新款的单门式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)与FDR(对开式：RF18A5101SR)变频式冰箱 |
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英飞凌全新EiceDRIVER X3 Compact系列 快速整合高切换频率应用设计 (2020.12.24)
英飞凌科技针对旗下EiceDRIVER 1ED Compact隔离闸极驱动器系列，推出新一代产品X3 Compact (1ED31xx)系列。此闸极驱动器采用DSO-8 300 mil封装，提供单独的输出选项，并具备主动关断和短路箝制功能 |
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英飞凌推出650V CoolMOS CFD7A系列 打造汽车应用的超接面MOSFET效能 (2020.05.08)
为满足电动车市场需求，英飞凌科技推出全新CoolMOS CFD7A产品系列。这些矽基高性能产品适用於车载充电器系统的PFC和DC-DC级，以及专为电动汽车应用优化的高低压DC-DC转换器 |
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英飞凌推出低频应用的600V CoolMOS S7超接面MOSFET (2020.03.03)
英飞凌科技股份有限公司成功开发出满足最高效率和品质要求的解决方案，针对MOSFET低频应用推出600V CoolMOS S7系列产品，带来优异的功率密度和能源效率。
CoolMOS S7系列产品的主要特点包括导通性能优化、热阻改善以及高脉冲电流能力，并且具备最高品质标准 |
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英飞凌CoolSiC 肖特基二极体 1200 V G5 系列增添新封装 (2019.06.19)
英飞凌科技扩充 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体系列，新增TO247-2 封装产品，可取代矽二极体并提供更高的效率。扩大的 8.7 mm 沿面与空间距离可为高污染环境提供额外的安全性 |
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英飞凌扩大量产并加速推出CoolSiC MOSFET分离式封装产品组合 (2019.05.17)
英飞凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 产品组合进入大量生产阶段。这些产品的额定值从 30 m? 至 350 m? ，并采用 TO247-3 与 TO247-4 封装。另更延伸产品系列，即将推出的新产品包括表面黏着装置 (SMD) 产品组合及 650 V CoolSiC MOSFET 产品系列 |
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意法半导体推出快速恢复的超接面MOSFET (2019.02.14)
意法半导体推出之MDmesh DM6 600V MOSFET具备一个快速恢复二极体，将最新超接面（Super-Junction）技术的性能优势导入全桥和半桥拓朴、零电压切换（Zero-Voltage Switching，ZVS）相移转换器等的拓朴结构里通常需要一个稳定可靠的二极体来处理动态dV/dt的应用 |
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意法半导体超接面MOSFET瞄准节能型功率转换拓朴 (2019.01.16)
意法半导体（ST）新款MDmesh系列600V超接面晶体管是为提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓朴的效能而设计。针对软开关技术优化的闸极开启电压使新型晶体管适用节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器 |
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英飞凌推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 适用於 PFC 与返驰拓扑 (2018.09.07)
英飞凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) CoolMOS? P7 系列推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 新产品，符合最为严格的设计要求：适用於照明、智慧电表、行动充电器、笔电电源供应器、辅助电源供应器，以及工业 SMPS 应用 |
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英飞凌CoolSET系列：定频整合PWM控制IC提供电路保护 (2018.04.03)
现今的电源供应器元件需求最隹的效能、效率、耐用性及设计易用性。为满足上述要求，英飞凌科技股份有限公司发表第五代定频 700 V/800 V CoolSET。此解决方案以单一封装整合PWM控制IC及最新700 V与800 V CoolMOS P7系列 ，支援隔离与非隔离返驰式拓扑 |
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意法半导体新MDmesh MOSFET内建快速恢复二极体 (2017.06.02)
意法半导体新MDmesh MOSFET内建快速恢复二极体
此系列为超接面MOSFET电晶体技术，新产品额定电压范围涵盖950V至1050V，开关性能、导通电阻（RDS(ON)）和矽单位面积流过的额定电流等技术参数均优于平面结构的普通MOSFET电晶体 |
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英飞凌推出适合低/高功率高效率应用的高压MOSFET (2017.03.31)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon) 扩增旗下CoolMOS技术产品系列，推出600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7) 系列，能够以600 V崩溃电压运作，具有更佳的超接面MOSFET效能，可让各种目标应用达到无可比拟的功率密度 |
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意法半导体最新900V MOSFET提升反激式转换器之输出功效 (2017.03.24)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）最新的900V MDmesh K5超接面MOSFET让电源设计人员能够满足更高功率和更高效的系统需求，其拥有同级最好的导通电阻（RDS(ON)）和动态特性。
900V崩溃电压确保在高汇流排电压系统应用下具有更高的安全系数 |
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Fairchild 推出SuperFET III MOSFET系列 具备更佳效率、EMI及耐用性 (2016.09.21)
Fairchild，现在是安森美半导体的一部分，今天推出其SuperFET III 650V N 通道MOSFET 系列，这是公司推出的新一代MOSFET，能够满足最新的电信、伺服器、电动汽车(EV) 充电器及光伏产品对于更高功率密度、系统效率及出色的可靠性方面的要求 |
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意法半导体推出1500V超接面功率MOSFET让电源应用环保又安全 (2015.11.09)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性及安全系数。 MDmeshTM K5产品是拥有超接面技术优势及1500V漏极-源极（drain-to-source）崩溃电压（breakdown voltage）的电晶体，并已获亚洲及欧美主要客户导入于其重要设计中 |
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英飞凌参加德国纽伦堡PCIM 2015展会 (2015.05.21)
（德国慕尼黑讯）英飞凌科技（Infineon）于欧洲PCIM 2015展会首度展出英飞凌与国际整流器公司（IR）整合后的功率产品组合，此外也将展出GaN（氮化镓）产品，以及许多源自英飞凌「从产品思维到系统洞察」策略的创新解决方案 |
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意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数 (2014.12.02)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求，同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项 |
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快捷半导体全新 MOTION SPM 5 系列产品 (2013.07.11)
马达控制系统设计人员需要能在严苛应用环境提供优化效率、确保最大可靠度的解决方案。为了应对这一挑战，快捷半导体公司已开发 SPM 5 智能型功率模块系列，提供 3 相 MOSFET 变频器(Inverter)解决方案 |
