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CGD与Qorvo合作开发马达控制应用的GaN叁考设计及评估套件 (2024.06.07)
无晶圆厂洁净技术半导体Cambridge GaN Devices（CGD）致力於开发氮化??（GaN）器件，近日与全球连接和电源解决方案供应商Qorvo合作开发 GaN 在马达控制应用中的叁考设计和评估套件（EVK） |
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意法半导体推出灵活同步整流控制器 提升矽基或氮化??功率转换器效能 (2024.05.14)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）新款SRK1004同步整流控制器降低采用矽基或GaN电晶体之功率转换器的设计难度并提升转换效能，目标应用包括工业电源、携带式装置充电器和AC／DC转接器 |
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意法半导体GaN驱动器整合电流隔离功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出首款具有电流隔离功能的氮化??（GaN）电晶体闸极驱动器，新款STGAP2GS缩小了晶片尺寸，同时降低物料清单成本，能够满足应用对宽能隙晶片的效能以及安全性和电气保护的更高需求 |
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以碳化矽MOSFET实现闸极驱动器及运作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驱动方式与传统的矽MOSFET和绝缘闸双极电晶体（IGBT）不同，本文叙述在碳化矽应用进行闸极驱动时，设计人员如何确保驱动器具备足够的驱动能力。 |
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ST隔离式SiC闸极驱动器问世 采用窄型SO-8封装节省空间 (2021.11.04)
意法半导体（STMicroelectronics）新推出之STGAP2SiCSN是为控制碳化矽MOSFET而优化的单通道闸极驱动器，其采用了节省空间的窄体SO-8封装，具备稳定的效能和精准的PWM控制。
SiC功率技术被广泛使用于提升功率转换效率，而STGAP2SiCSN SiC驱动器可简化节能型电源系统、驱动和控制电路设计以节省空间，并加强稳定性和可靠性 |
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ST和Exagan携手开启GaN发展新章节 (2021.08.17)
GaN的固有特性，让元件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，亦即相较于同尺寸的矽基元件，GaN可处理更大的负载、效能更高，而且物料清单成本更低。 |
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ROHM成功研发150V GaN元件技术 提升闸极耐压至8V (2021.04.14)
半导体制造商ROHM针对工控装置和通讯装置等电源电路，将150V GaN HEMT（GaN元件）的闸极耐压（闸极-源极额定电压）提升至8V。
近年来，在伺服器系统等设备中，由於IoT装置的需求日益增长，功率转换效率的提升和装置小型化已成为开发重点 |
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ST推出隔离式闸极驱动器 可安全控制碳化矽MOSFET (2021.03.30)
半导体供应商意法半导体（ST）宣布推出STGAP系列隔离式闸极驱动器的最新产品STGAP2SiCS，可安全控制碳化矽（SiC）MOSFET，且作业电源电压高达1200V。
STGAP2SiCS能够产生高达26V的闸极驱动电压，将欠压锁定（UVLO）??压提升到15.5V，满足SiC MOSFET开关二极体正常导电要求 |
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使用多功能相位扩展器让升压转换器功率翻倍 (2020.12.18)
设计多相位升压转换器时，困难处在于连接误差放大器的输出和相位控制器的回馈接脚，以确保实现平衡均流和正确的相位同步。 |
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SiC MOSFET适用的PI SCALE-iDriver符合AEC-Q100汽车认证 (2020.03.18)
中高压变频器应用闸极驱动器技术厂商Power Integrations(PI)今日宣布推出用於碳化矽(SiC) MOSFET的高效单通道闸极驱动器SIC118xKQ SCALE-iDriver，该产品现已通过AEC-Q100认证，可供汽车使用 |
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PI推出用於紧压包装IGBT模组的SCALE-2随??即用闸极驱动器 (2020.03.04)
中高压变频器应用的闸极驱动器技术厂商Power Integrations(PI)今日推出1SP0351 SCALE-2 单通道+15/-10V随??即用闸极驱动器，专为来自Toshiba、Westcode和ABB等制造商的全新4500V紧压包装IGBT(PPI)模组而开发 |
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Power Integrations SCALE-iDriver IC现已通过汽车AEC-Q100认证 (2018.06.12)
Power Integrations宣布其SCALE-iDriver闸极驱动IC系列的两个成员现已通过AEC-Q1001级认证，可供汽车使用。
SID1132KQ和SID1182KQ这两个零件适用於驱动650V、750V和1200V汽车IGBT和SiC-MOSFET模组，其额定峰值电流分别为+/-2.5A和+/-8A |
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智慧功率模组用於汽车高压辅助马达负载应用 (2017.11.09)
整合的智慧功率模组将对汽车功能电子化发挥关键作用，促成新一代简洁、高能效可靠的马达驱动器，免除内燃机的机械式驱动负荷。 |
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150V同步降压DC/DC控制器不需外部涌浪保护元件 (2017.06.12)
150V同步降压DC/DC控制器不需外部涌浪保护元件
亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear Technology)日前推出高压非隔离式同步降压开关稳压器控制器LTC7801，该元件采用精小的24接脚封装，以用来驱动全N通道MOSFET功率级 |
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英飞凌SiC MOSFET新技术 让功率转换设计效能再创高峰 (2016.05.11)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出革命性的 SiC (碳化矽) MOSFET 技术，让产品设计达到前所未有的功率密度和效能水平。英飞凌的 CoolSiC MOSFET在提升效率与频率上，提供更高的灵活度，协助功率转换配置的开发人员达到节省空间和重量、减少冷却需求、提升可靠性并缩减系统成本 |
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凌力尔特推出双组输出、升压+降压同步 DC/DC 控制器 (2016.03.31)
凌力尔特（Linear Technology）日前推出双组输出（升压+降压）、低静态电流同步DC/ DC控制器LTC7813。当级联时，其独立的升压及降压控制器可从高于、低于或等于输出电压的输入电压调节输出电压，并可在冷启动和负载突降的情况下保持输出稳压 |
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Diodes车用MOSFET为汽车电子控制单元提供电池反向保护 (2015.11.05)
Diodes公司推出DMP4015SPSQ 40V P通道MOSFET，旨在为车用电子控制单元提供电池反向保护。电子控制单元在愈来愈多车用控制应用内使用，有些汽车更安装了多达80个电子控制部件 |
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凌力尔特双组输出同步降压控制器具备可调的5V至10V 闸极驱动器 (2015.04.17)
凌力尔特（Linear）日前发表高压双组输出同步降压DC / DC控制器LTC3892。当一组输出运作时只耗29uA的静态电流，两组均运作时则只耗34uA。4.5V至60V的输入供应范围专为提供高压瞬变之保护而设计，可于汽车冷启动时确保连续操作，并包含广泛的输入源及电池化学 |
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Diodes推出适用于高电流应用装置的双相位降压控制器 (2014.05.19)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出双相位同步整流降压控制器AP3595，可为分布式高功率架构提供高度整合的电路支持。AP3595每相位的操作频率可于50Hz到1MHz之间调节，提供高达60A的输出电流，并满足高端图像处理器和核心内存磁芯的需求 |
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凌力尔特高端、高频 MOSFET 闸极驱动器具备 -55°C 至150°C 操作接面温度范围 (2013.10.02)
凌力尔特（Linear Technology Corporation）日前发表高端、高频N信道MOSFET闸极驱动器LTC4440A-5 ，可透过高达80V的输入电压操作，并可于达100V的瞬变过程连续操作。该驱动器可与功率MOSFET、凌力尔特的众多DC / DC控制器之一结合，以构成一完整的电源方案 |
