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ROHM新款SiC萧特基二极体支援xEV系统高电压需求 (2024.11.14)
半导体制造商ROHM开发出引脚间沿面距离更长、绝缘电阻更高的表面安装型SiC萧特基二极体（SBD）。目前产品阵容中已经有适用於车载充电器（OBC）等车载应用的「SCS2xxxNHR」8款机型 |
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ROHM第4代1200V IGBT实现顶级低损耗和高短路耐受能力 (2024.11.12)
近年来，汽车和工业设备朝高电压化方向发展，市场开始要求安装在车载电动压缩机、HV加热器和工业设备逆变器等应用中的功率元件支援高电压。半导体制造商ROHM针对车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101、1200V耐压、实现业界顶级低损耗和高短路耐受能力的第4代IGBT |
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数位电源驱动双轴转型 绿色革命蓄势待发 (2024.10.01)
CTIMES日前举办了「数位电源驱动双轴转型：电子系统开发的绿色革命」为主题的东西讲座研讨会，此次会议深入探讨了数位电源技术在推动电子系统开发的双轴转型中的关键作用，即实现更高的能源效率和更快的产品创新 |
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ROHM推出车电Nch MOSFET 适用於车门、座椅等多种马达及LED头灯应用 (2024.08.28)
在汽车领域，随着安全性和便利性的提高，电子产品逐渐增加，电子元件数量也与日俱增，而为了提高燃油效率和降低电耗，更是要求需降低上述产品的功耗。其中针对车电开关应用不可或缺的MOSFET市场，对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求逐渐高涨 |
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ROHM高可靠性车电Nch MOSFET适用於多种车用马达及LED头灯应用 (2024.08.22)
随着车用电子元件提高安全性和便利性的需求，为了提高燃油效率和降低电耗，更是要求需降低车用产品的功耗。其中针对车电开关应用不可或缺的MOSFET市场，对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求逐渐高涨 |
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意法半导体36V工业和汽车运算放大器 兼具高性能、高效能与省空间特性 (2024.07.22)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出TSB952双运算放大器。新产品具有52MHz增益频宽，在36V电压时，电流每通道仅3.3mA，为注重功耗的设计提供高性能。
TSB952的电源电压范围4.5V-36V，具备很高的设计弹性，可使用包括产业标准电压轨在内的多种电源 |
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Microchip全新车载充电器解决方案支援车辆关键应用 (2024.06.11)
因应节能减碳排放的迫切需求，电池电动汽车（BEV）和??电式混合动力电动汽车（PHEV）市场持续增长。车载充电器是电动汽车的关键应用之一，将交流电转换为直流电，为汽车高压电池充电 |
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英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飞凌科技（Infineon）推出最新先进功率 MOSFET 技术 OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显着提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm2SMD封装 |
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提升汽车安全功能 掌握ESD实现无干扰的资料传输 (2024.02.01)
在现阶段，电子元件大约占据一辆汽车总价值的三分之一，而且此比例持续上升。汽车中17%的半导体故障是由静电放电（ESD）造成的，因而必需采取适当的ESD保护措施。 |
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通过车用被动元件AEC-Q200规范的测试要点 (2023.12.25)
想知道最新AEC-Q200改版，到底改了什麽吗? 又该如何测试才能通过AEC-Q200验证，打入大厂车用供应链呢？ |
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Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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「科技始之於你」首届ST Taiwan Tech Day聚焦四大趋势 展示创新成果 (2023.10.31)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）将於11月2日在台北文创举办首届ST Taiwan Tech Day。该活动旨在为客户和合作夥伴提供创新和成功所需之产品和解决方案的相关资讯。
本次活动以「科技始之於你」为主题，针对四大趋势：智慧出行、电源与能源、物联网与连接，以及感知世界等方向规划多场演讲，同步展示多达40个精心策划的解决方案 |
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Transphorm最新技术白皮书： 常闭型D-Mode与增强型E-Mode氮化??电晶体平台关键优势 (2023.10.19)
氮化??功率半导体产品的先锋企业Transphorm今（19）日发布《Normally-off D-Mode 氮化??电晶体的根本优势》最新白皮书。该技术白皮书科普了共源共栅 （常闭） d-mode氮化??平台固有的优势 |
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Transphorm氮化??元件助力DAH Solar微型逆变器光伏系统 (2023.10.12)
世界首个整合型光伏（PV）系统采用Transphorm氮化??平台，DAH Solar是安徽大恒新能源技术公司子公司。该整合型光伏系统已应用在大恒能源的最新SolarUnit 产品。DAH Solar认为系统中所使用的Transphorm的GaN FET元件，能够生产出更小、更轻、更可靠的太阳能电池板系统，同时还能以更低的能耗提供更高的总发电量，关键在於使用Transphorm的功率元件 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI应用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管（FET），导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案 |
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Magnachip电动汽车PTC加热器用1200V和650V IGBT开始量产 (2023.09.12)
Magnachip半导体推出专为正温度系数设计的1200V和650V绝缘栅双极晶体管（IGBT）（PTC）电动汽车 （EV）加热器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的场截止沟槽技术，可提供10μs的最短短路耐受时间 |
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Diodes新款碳化矽MOSFET符合车规 可提升车用子系统效率 (2023.07.19)
Diodes公司推出两款符合汽车规格的碳化矽 (SiC) MOSFETDMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q，进一步强化宽能隙 (Wide-Bandgap) 产品阵容。此系列N通道MOSFET产品可满足市场对SiC解决方案不断成长的需求，提升电动与混合动力汽车 (EV/HEV)车用子系统的效率及功率密度，例如电池充电器、车载充电器(OBC)、高效DC-DC转换器、马达驱动器及牵引变流器 |
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Transphorm发布首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模拟模型 (2023.06.19)
全球高可靠性、高性能氮化??（GaN）电源转换产品供应商Transphorm推出新款1200伏功率管模拟模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今业界可见推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体 |
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ST推出ACEPACK SMIT功率元件封装 提升散热效率 (2023.01.17)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出多种常用桥式拓扑的ACEPACK SMIT封装功率半导体元件。相较於传统穿孔型封装，意法半导体先进之ACEPACK SMIT封装能够简化组装制程，提升模组的功率密度 |
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贸泽供应英飞凌通用型MOSFET 满足电源转换和管理应用 (2022.11.30)
贸泽电子（Mouser Electronics）供应多款英飞凌通用型MOSFET。对於正在寻找MOSFET以求满足专案、定价或物流要求的设计人员，英飞凌提供广泛的高电压和低电压MOSFET产品组合，能为各种应用提供弹性、价值和调整能力 |
