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Littelfuse新款低侧栅极驱动器适用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低侧SiC MOSFET和IGBT闸极驱动器IX4352NE，这款创新的驱动器专门设计用於驱动工业应用中的碳化矽（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极电晶体（IGBT）。IX4352NE的主要优势在於其独立的9A拉/灌电流输出，支援量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低 |
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Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q，并采用真正的双引脚（R2P） DPAK （TO -252-2）封装，适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外，为了扩展 SiC 二极体产品组合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性 |
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台达「解密Cloud to Edge AI」 展出电源散热基础方案 (2024.06.05)
台达今（5）日於台北国际电脑展（COMPUTEX TAIPEI 2024）聚焦AI人工智慧，以「解密 Cloud to Edge AI」为主题，全方位展出涵盖云端到边缘的资料中心基础设施方案，以及应用於AI运算及终端设备的高效电源、散热、被动元件等领先技术，包含多款首次亮相的AI伺服器电源及液冷散热方案、领先全球的晶片垂直供电技术等，持续驱动AI产业发展 |
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高频宽电源模组消除高压线路纹波抑制干扰 (2024.04.26)
车厂从内燃机向纯电动汽车转型的过程中所面临的一大挑战，就是如何找到更好的解决方案来解决新旧电源的难题。对於实现高效的电磁干扰滤波，软开关拓扑的高开关频率至关重要 |
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低 IQ技术无需牺牲系统性能即可延长电池续航力 (2024.04.17)
由於电池制造的功率需求带来全新且复杂的限制，使得现今电池续航力必须具备最长的运作时间与更长的保存寿命，且无需牺牲系统性能。 |
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P通道功率MOSFET及其应用 (2024.04.17)
本文透过对N通道和P通道MOSFET进行比较，并介绍说明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目标应用。 |
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ROHM推SOT23封装小型节能DC-DC转换器IC 助电源小型化 (2024.03.28)
半导体制造商ROHM针对冰箱、洗衣机、PLC、逆变器等消费性电子和工业设备应用，开发出4款小型DC-DC转换器IC「BD9E105FP4-Z / BD9E202FP4-Z / BD9E304FP4-LBZ / BD9A201FP4-LBZ」。另外ROHM还计画推出最大输出电流2A、开关频率350kHz的BD9E203FP4-Z，进一步扩大产品阵容 |
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以霍尔效应电流感测器简化高电压感测 (2024.03.27)
在电动车（EV）充电和太阳能逆变器系统中，电流感测器会透过监测分流电阻器中的压降，或是流过导体电流所产生的磁场来量测电流。这些高压系统使用电流资讯来控制与监测电源转换、充电与放电 |
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瑞萨新款通用32位元RISC-V MCU采用自研CPU核心 (2024.03.26)
最近许多微控制器供应商都加入RISC-V联盟以促进产品的开发，瑞萨电子（Renesas Electronics）推出首款基於自研核心的RISC-V通用微控制器（MCU）。瑞萨已独立设计并测试新的RISC-V核心，现已完成商业化产品并在全球推广 |
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台达於NVIDIA GTC展示数位孪生应用 兼顾高效AI伺服器电源需求 (2024.03.22)
台达近日於叁加NVIDIA GTC AI大会期间，除了发表利用NVIDIA Omniverse所开发的创新数位孪生平台，可持续提升智能制造实力。同时展示旗下ORV3 AI伺服器基础设施解决方案，包括效率高达97.5%的电源供应器；可协助GPU运行的一系列关键产品，包括DC/DC转换器、功率电感（Power choke）和3D Vapor Chamber散热解决方案等 |
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意法半导体智慧致动器STSPIN叁考设计 整合马达控制、感测器和边缘AI (2024.02.21)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出搭载STSPIN32G4智慧三相马达驱动器的EVLSPIN32G4-ACT边缘AI马达驱动叁考设计，使智慧致动器的开发变得更加简单。该电路板与意法半导体的无线工业感测器节点STWIN.box（STEVAL-STWINBX1）连接，加速结合马达控制、环境资料即时分析，以及物联网连接系统的开发 |
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电源模组在过渡到48V 区域架构提供决定性优势 (2024.02.06)
xEV应用的48V电源架构、zonal架构、模组化方法、以及48V电源架构的电气化挑战。 |
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ROHM推出100V耐压SBD「YQ系列」 采用沟槽MOS结构 (2024.01.31)
半导体制造商ROHM针对车载设备、工业设备、消费性电子设备等电源电路和保护电路，推出业界最高等级trr的100V耐压萧特基二极体（SBD）「YQ系列」。
二极体的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用於各种应用 |
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适用於整合太阳能和储能系统的转换器拓扑结构 (2023.12.27)
许多住宅使用的是组合太阳能发电和电池储能系统，这种类型的系统具有用於AC/DC和DC/DC转换的高效电源管理元件和高功率密度，但需要在子区块的电源转换拓扑上取舍，本文说明不同转换器拓扑结构的优点和挑战 |
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抛离传统驱动概念 加速下一代EV车的开发 (2023.12.26)
电动车越来越多地采用E轴三合一装置，将马达、逆变器和齿轮整合在一起，以实现车辆更小、更轻、成本更低，同时提高车辆性能。因此愈来愈多的汽车业者，开发出了基於X-in-1单元的多功能平台，并大量的应用於多款车型 |
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Nordic Semiconductor量产高整合nPM1300 PMIC (2023.12.19)
Nordic Semiconductor宣布客户现可於Nordic分销网路大量采购最新发布的nPM1300电源管理积体电路（PMIC）产品。nPM1300目前采用方形扁平无引脚封装（QFN），即将推出晶片级封装（CSP） |
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高密度电源模组可实现减少重量和功耗的 48V系统 (2023.12.14)
采用传统银盒和分立式元件的12V集中式架构需要升级到48V分散式架构，以最隹化电动汽车的供电网路和散热管理系统。分散式架构可将每年的行驶里程增加 4000 英里，也可用於实现额外的安全或电子功能 |
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创新模组化电源系统设计提升骑乘体验 (2023.11.20)
Lightning Motorcycles公司以超过215英里的时速行驶，保持着电动摩托车的极速驾驶世界纪录。 |
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顶部散热MOSFET助提高汽车系统设计的功率密度 (2023.11.20)
本文讨论顶部散热（TSC）作为一种创新的元件封装技术能够如何帮助解决多馀热量的散热问题，从而在更小、更轻的汽车中实现更高的功率密度。 |
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Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
