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ROHM与台积公司在车载氮化??功率元件领域建立战略合作夥伴关系 (2024.12.10)
半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）宣布与Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited （以下简称 台积公司）在车载氮化??功率元件的开发和量产事宜建立战略合作夥伴关系 |
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半导体业界持续革命性创新 有助於实现兆级电晶体时代微缩需求 (2024.12.09)
随着人工智慧（AI）应用迅速崛起，从生成式AI到自动驾驶和边缘运算，对半导体晶片的需求也随之激增。这些应用要求更高效能、更低功耗以及更高的设计灵活性。尤其在2030年实现单晶片容纳1兆个电晶体的目标下，半导体产业面临着重大挑战：电晶体和晶片内互连的持续微缩、材料创新以突破传统设计的限制，以及先进封装技术的提升 |
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贸泽电子、ADI和Bourns合作出版全新电子书 探索电力电子装置基於GaN的优势 (2024.12.03)
贸泽电子（Mouser Electronics）与ADI和Bourns合作出版最新的电子书，探索氮化??（GaN）技术在追求效率、效能和永续性的过程中所面对的挑战和优势所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位专家谈论氮化??技术）探讨GaN技术如何彻底改变电力电子技术，达到比矽更高的效率、更快的开关速度和更大的功率密度 |
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筑波举办化合物半导体与矽光子技术研讨会 引领智慧制造未来 (2024.11.15)
筑波科技（ACE Solution）携手美商泰瑞达（Teradyne）近日举办年度压轴「化合物半导体与矽光子技术研讨会」。本次活动由国立阳明交通大学、中原大学电子工程学系共同主办，打造产官学交流平台 |
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贸泽与ADI合作全新电子书探索电子设计电源效率与耐用性 (2024.11.13)
贸泽电子（Mouser Electronics）与美商亚德诺（ADI）合作出版全新的电子书，重点介绍最隹化电源系统的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（为未来提供动力：实现效率和耐用性的进阶电源解决方案）中，ADI和贸泽的主题专家针对电源系统中最重要的元件、架构和应用提供深入分析 |
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SiC MOSFET：意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术 (2024.11.11)
意法半导体中国及APeC车用SiC产品部门经理Gaetano Pignataro分享了他对碳化矽（SiC）市场的观点、行业面临的挑战以及ST应对不断增长需求的策略。 |
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ROHM叁展2024慕尼黑电子展以E-Mobility、车用和工控为展示主轴 (2024.11.06)
现今电子系统的需求日益成长，尤其是在永续经营和急需创新的市场方面，先进技术将成为助力。半导体制造商ROHM将於11月12日至15日叁加在德国慕尼黑举办的2024慕尼黑电子展（electronica 2024），展示提高车用和工控中功率密度、效率和可靠性的先进功率和类比技术，并进行技术交流合作 |
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Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关 |
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国科会新增10项核心关键技术 强化太空、量子、半导体领域保护 (2024.11.03)
为强化国家核心关键技术保护，避免国家安全、产业竞争力及经济发展受损，国科会预告修正「国家核心关键技术项目及其技术主管机关」草案，新增10项太空、量子科技、半导体及能源领域之关键技术，预告期至11月15日止 |
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可实现更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高电源效率并降低待机功耗
Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器，扩展电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基於GaN的反激式转换器而设计，用於PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式??座、条形??座、工业电源和辅助电源等设备及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用 |
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Bourns全新薄型高爬电距离隔离变压器适用於闸极驱动和高压电池管理系统 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200标准的车规级薄型、高爬电距离隔离变压器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列驰返变压器专为提供高功率密度设计，实现更高效能且具备紧凑的外形尺寸，适用於闸极驱动器和高压电池管理系统(BMS)等多项应用场合， |
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德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍 (2024.10.25)
德州仪器 （TI） 已开始在日本会津的工厂生产氮化?? （GaN） 功率半导体。随着会津厂进入生产，加上位於德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多 |
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国科会专案研发 MIMO 4D感测技术 实现通感算融合 (2024.10.24)
中山大学、清华大学、阳明交通大学及国研院台湾半导体研究中心组成的研究团队，在国科会「下世代通讯系统关键技术研发专案」的支持下，成功研发了多输入多输出(MIMO) 4D感测技术，可??提升生活便利性与安全性，促进健康照护发展 |
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格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术 (2024.10.23)
格棋化合物半导体中坜新厂落成，同时宣布与国家中山科学研究院（中科院）合作，双方将共同强化在高频通讯技术领域的应用。此外，格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社签署合作协议，双方将致力於扩大日本民生用品和车用市场的布局 |
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Nexperia交流/直流反激式控制器IC可提高电源效率并降低待机功耗 (2024.10.17)
Nexperia推出一系列新的交流/直流反激式控制器，为扩展电源IC产品组合的最新成员。 NEX806/8xx和NEX8180x专为诸如供电（PD）充电器、适配器、墙壁??座、条形??座、工业电源和辅助电源以及其他需要高功率的AC/DC转换应用等设备中的以GaN为基础的反激式转换器而设计 |
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是德科技3kV高电压晶圆测试系统专为功率半导体设计 (2024.10.15)
是德科技（Keysight）推出4881HV高电压晶圆测试系统，扩展其半导体测试产品组合。该解决方案可实现高达3kV的叁数测试，支援一次性完成高、低电压测试，进而提高功率半导体制造商的生产效率 |
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ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求 (2024.10.07)
ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求，具备低缺陷率、高制程稳定性，成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本，促进了碳化矽元件的更广泛应用 |
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数位电源驱动双轴转型 绿色革命蓄势待发 (2024.10.01)
CTIMES日前举办了「数位电源驱动双轴转型：电子系统开发的绿色革命」为主题的东西讲座研讨会，此次会议深入探讨了数位电源技术在推动电子系统开发的双轴转型中的关键作用，即实现更高的能源效率和更快的产品创新 |
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英飞凌全新CoolGaN Drive产品系列整合驱动器单开关和半桥 (2024.09.20)
消费电子和工业应用领域正趋向便携化、电气化、轻量化等多样化发展，因此需要紧凑高效的设计，同时还需采用非常规PCB设计，但此类设计面临严格的空间限制，从而限制外部元件的使用 |
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英飞凌首创12寸氮化??功率半导体制程技术 推动市场快速增长 (2024.09.11)
英飞凌科技（Infineon）宣布成功开发出全球首创12寸氮化??（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握此一技术的企业，这项突破将大幅推动GaN功率半导体市场的发展 |
