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英飞凌新款MOSFET优化高功率密度、效率和系统可靠性 (2024.03.28)
英飞凌科技（Infineon）推出全新的OptiMOS 6 200 V MOSFET产品系列，全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动堆高机等应用提供出色的性能。新款MOSFET产品的导通损耗和开关性能都更加优化，降低电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益於用於伺服器、电信、储能系统（ESS）、音讯、太阳能等用途的各种开关应用 |
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贸泽提供广泛英飞凌产品组合 持续扩大其最新解决方案范围 (2023.02.17)
贸泽电子（Mouser Electronics）为英飞凌的全球原厂授权代理商，供应各种英飞凌解决方案。从2008年起，贸泽持续扩大来自该制造商的最新解决方案范围，并不断加入新产品 |
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Transphorm 240瓦电源适配器叁考设计使用TO-220封装氮化??功率管 (2023.01.13)
氮化??（GAN）电源转换产品供应商Transphorm公司推出新的240瓦电源适配器叁考设计。TDAIO-TPH-ON-240W-RD设计方案采用CCM升压PFC+半桥LLC拓扑结构，功率密度高达30W/in3，最大功率转换效率超过96% |
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英飞凌推出全新PQFN 系列源极底置功率MOSFET (2022.12.23)
为了满足电力电子系统设计趋向追求更先进的效能和功率密度，英飞凌科技（Infineon）在 25-150 V 等级产品中推出全新源极底置 3.3 x 3.3 mm2 PQFN 系列，包括有底部冷却（BSC）和双面冷却（DSC）两个版本 |
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贸泽供应英飞凌通用型MOSFET 满足电源转换和管理应用 (2022.11.30)
贸泽电子（Mouser Electronics）供应多款英飞凌通用型MOSFET。对於正在寻找MOSFET以求满足专案、定价或物流要求的设计人员，英飞凌提供广泛的高电压和低电压MOSFET产品组合，能为各种应用提供弹性、价值和调整能力 |
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英飞凌推出OptiMOS 5 IPOL降压稳压器 大幅缩短设计开发时程 (2022.09.20)
随着超大型资料中心陆续整合人工智慧（AI）技术，对於更高效能的追求也将不断增加。在此趋势之下，智慧企业系统所需的高功率密度与节能高效率解决方案也因而变得充满挑战性 |
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大联大世平推出基於onsemi产品之5G基站电源方案 (2022.08.09)
大联大控股宣布，其旗下世平推出基於安森美（onsemi）FAN65008B同步降压IC的5G基站电源方案。
5G时代的到来，从根本上颠覆了现有的传统通讯方式，它加速了现实社会与互联网空间的快速融合，让人与人、人与机器的交互都步入了一个全新的水平 |
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Transphorm推出叁考设计 加速氮化??电源配接器开发 (2022.06.27)
Transphorm推出七款叁考设计，旨在加快采用氮化??的USB-C PD电源配接器的研发。该叁考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，涵盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W） |
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英飞凌推出MOSFET OptiMOS 5功率 小尺寸封装提高灵活性 (2022.03.15)
英飞凌科技股份有限公司，推出全新采用PQFN 2 x 2 mm2封装的OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立式功率MOSFET技术树立全新的业界标准。这些新元件采用薄晶圆技术和创新的封装，尺寸极小，却具有显着的性能优势 |
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Ampleon推挽式整合型Doherty电晶体 Sub-6GHz频段减少布局工作 (2022.02.25)
埃赋隆半导体（Ampleon）利用先进的LDMOS电晶体技术，推出B11G3338N80D推挽式3级全整合型Doherty射频电晶体，该电晶体是GEN11 Macro驱动器系列的载体产品，涵盖所有Sub-6GHz频段。
这种高效的多频段器件覆盖3.3至3.8GHz的频率范围，可实现下一代大功率和具有市场领先效率的大型基地台 |
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英飞凌推出OptiMOS源极底置功率MOSFET 展现优异热性能 (2022.02.16)
英飞凌科技股份有限公司推出新一代OptiMOS源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
新款功率MOSFET采用PQFN封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm2，支援从25 V到100 V的宽电压范围 |
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意法半导体推出高效节能且更纤薄的首款PowerGaN产品 (2022.01.12)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出了属於STPOWER产品组合的新系列GaN功率半导体产品，能大幅降低各种电子产品的能量消耗并缩小尺寸。主要应用於消费性电子产品，例如，充电器、PC外接电源适配器、LED照明驱动器、电视机等家电内部电源 |
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英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET 新添PQFN封装40V装置 (2020.11.03)
当代的电源系统设计需要高功率密度和精巧的外型尺寸，进而得到最高的系统级效能。英飞凌科技专注於强化元件级的系统创新，来应对上述挑战。继2月份推出25V装置後，英飞凌再推出OptiMOS 40V低电压功率MOSFET，采用源极底置(Source-Down；SD)的PQFN封装，尺寸为3 |
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英飞凌推出COT引擎的OptiMOS IPOL稳压器 强化瞬态效能 (2020.03.26)
英飞凌科技推出搭载高速恒定导通时间(COT)引擎的整合负载点稳压器系列，其中包含IR3887M、IR3888M和IR3889M产品。该产品专为现今的伺服器、基地台和电信设备(作业环境温度达85?C)及需求高效率和高密度的储存应用所设计 |
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英飞凌推出OptiMOS源极底置25V功率MOSFET 采用PQFN 3.3x3.3mm封装 (2020.02.18)
英飞凌科技持续专注於解决现今电源管理设计面临的挑战，透过元件层级的强化实现系统创新。源极底置(Source Down)是符合业界标准的全新封装概念，英飞凌已推出首批基於该封装概念的功率MOSFET－采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS 25V |
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英飞凌全新整合式负载点稳压器 提升高密度应用效率 (2019.10.02)
英飞凌科技推出新款OptiMOS IR3826(A)M整合式负载点DC-DC稳压器。这是一款完全整合且高效的装置，目前有两个版本(16A的IR3826AM和23A的IR3826M)，适用於网通路由器和交换器、资料通讯、电信基地台、伺服器及企业储存等应用 |
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英飞凌新款iMOTION IMM100 系列可大幅缩减PCB面积 (2019.03.05)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技 (Infineon) 推出智慧型 IPM 马达控制器，针对高至80W的 BLDC马达的完整软硬体整合，而且无需散热器。新款iMOTION IMM100系列将马达控制IC和三相变频器级整合於单一且精简的12 x 12 mm2 PQFN封装 |
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MACOM宣布推出全新的优化负电压驱动器 (2019.01.21)
MACOM Technology Solutions Inc.宣布推出两款全新的负电压驱动器，能够无缝兼容MACOM全系列AlGaAs和HMIC PIN二级管开关产品。相比分立元件的驱动方案，全新集成的MADR-011020和MADR-011022用於驱动MACOM的PIN二级管，可有效简化PCB布局，降低元器件成本并缩短项目研发周期 |
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安森美半导体提供全面的云端电源方案 (2018.08.23)
云端电源是指传输、储存及处理云端数据设备的电源。在电信或传输应用中，云端电源将为基带单元及远程无线电单元供电。在用於储存及处理的伺服器机群中，大型不间断电源（UPS）可以确保用户在暂时断电时仍能连接云端 |
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搭载整合型MOSFET的最佳化降压稳压器将功率密度提升至新水准 (2018.07.26)
整合是固态电子产品的基础，理想的方案是将所有降压转换器功能整合到一个单一、小型及高能效的元件中，以提供更强大的整体系统优势。 |
