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ASM研发提升45nm High-k制程1倍产量的ALD技术 (2009.02.09)
ASM日前宣布，其已成功开发出一种高速原子层沈积制程，能够为45nm high-K 闸极制程提升一倍氧化铪(HfO2) 薄膜的产量，进而延伸在关键原子层沉积(ALD)市场的领导地位。 新的高速ALD制程是专门设计在ASM的Pulsar制程模块上运作，并可使用既有的反应炉设备设计透过专利的制程最适化技术达成产能的提升
ASM提出新技术解决high k与金属栅的挑战 (2008.05.22)
ASM推出一个全新的原子层沈积（ALD）制程。该制程采用氧化镧（LaOx）及氧化铝（AlOx）高介电值覆盖层，使得32纳米high k金属闸极堆栈采用单一金属，而不是之前CMOS所需要的两种不同的金属


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