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Bourns全新薄型高爬电距离隔离变压器适用於闸极驱动和高压电池管理系统 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200标准的车规级薄型、高爬电距离隔离变压器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列驰返变压器专为提供高功率密度设计，实现更高效能且具备紧凑的外形尺寸，适用於闸极驱动器和高压电池管理系统(BMS)等多项应用场合， |
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安森美第7代IGBT模组协助再生能源简化设计并降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模组，与其他同类产品相比，该模组的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。这800 安培 (A) QDual3 模组基於新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来出色的效能表现，有助於降低系统成本并简化设计 |
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Magnachip电动汽车PTC加热器用1200V和650V IGBT开始量产 (2023.09.12)
Magnachip半导体推出专为正温度系数设计的1200V和650V绝缘栅双极晶体管（IGBT）（PTC）电动汽车 （EV）加热器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的场截止沟槽技术，可提供10μs的最短短路耐受时间 |
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安森美於新罕布什尔州碳化矽工厂落成 提供客户必要供应保证 (2022.08.12)
安森美（onsemi），美国时间8月11日举行了剪彩仪式，厌祝其位於新罕布什尔州哈德逊（Hudson, New Hampshire）的碳化矽（SiC）工厂的落成。
该厂区将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加五倍，在哈德逊的员工人数也将成长近四倍 |
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东芝新建12寸晶圆厂 扩大功率半导体产能 (2022.02.06)
东芝(Toshiba)日前宣布，将在日本石川县建造一个新的12寸(300mm)晶圆制造厂，主要用於生产功率半导体。该厂预计於2024财年开始量产，整体供应的产能将会是目前的2.5倍。
东芝指出，新晶圆厂的建设将分两个阶段进行，第一阶段的生产计划在 2024 财年开始 |
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盛美半导体推出大功率半导体制造的薄片清洗设备 零接触制造优化良率 (2020.09.23)
半导体制造与先进晶圆级封装设备供应商盛美半导体设备近日推出了新款薄型晶圆清洗系统，这是一款高产能的四腔系统，可应用於单晶圆湿法制程，包括清洗、蚀刻、去胶和表面湿法减薄 |
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安森美半导体推出先进汽车照明的LED驱动器和控制器 (2020.02.05)
推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）推出由四个装置组成的新系列，促进汽车厂商和消费者现在所期??的汽车外部和内部照明的高水平性能和创新功能。新系列专门针对低功率固态照明，包括两个LED驱动器（NCV7683和NCV7685）和两个电流控制器（NCV7691和NCV7692） |
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Diodes的双极电晶体采用3.3mm x 3.3mm封装并提供更高的功率密度 (2019.03.12)
Diodes公司推出NPN与PNP功率双极电晶体，采用小尺寸封装(3.3mm x 3.3mm)，可为需要高达100V与3A的应用提供更高的功率密度。新款NPN与PNP电晶体的尺寸较小，可在闸极驱动功率MOSFET与IGBT、线性DC-DC降压稳压器、PNP LDO及负载开关电路，提供更高的功率密度设计 |
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Diodes全新微型晶体管占位面积缩减40% (2015.01.30)
Diodes公司推出采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0.36mm2，比采用DFN1006 (SOT883) 封装的同类型组件小40%，并能提供相等甚至更佳的电气效能 |
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IR扩充坚固可靠600V节能沟道IGBT系列 (2014.05.19)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充节能600V绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 系列，并提供多种封装选择。全新坚固可靠的IRxx46xx 组件系列为从小型马达及低负载产品以至工业应用的完整功率应用范围作出优化，包括不间断电源 (UPS)、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接应用 |
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[评析]没有退路的FPGA与晶圆代工业者 (2014.01.02)
Xilinx（赛灵思）与Altera在先进制程之间的激战，在Xilinx宣布新一代架构Ultrascale的FPGA产品以台积电的20奈米导入量产后，其战况开始产生了微妙的变化。很明显的，扣除ARM两边阵营都讨好外 |
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[白皮书]如何为您的设计选择最佳音频放大器 (2013.07.08)
音频市场的需求一直在变化，相对地，市场上也有很多种不同类型的音频放大器结构可供选择。为了替您的设计选择最适合的音频放大器IC，了解每一种音频放大器的特点和它们之间的关联性至关重要 |
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采用三闸极3D技术的新一代FPGA (2013.07.07)
2013年2月，Altera和英特尔(Intel)共同宣布新一代Altera的高性能FPGA产品将独家采用英特尔的14奈米3D三闸极晶体管技术。这代表着FPGA也已跨入3D晶体管世代了。
全球领先的半导体公司都不断地针对3D晶体管结构进行优化和可制造性研究 |
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Silicon Labs数字隔离解决方案提升马达控制的长期可靠性 (2013.05.09)
高效能模拟与混合讯号IC领导厂商Silicon Labs今日宣布推出业界首款基于CMOS技术的数字解决方案，可直接替换光耦合隔离式闸极驱动器（简称光耦合驱动器）。新型Si826x隔离式闸极驱动器支持高达5kV隔离等级和10kV电涌保护 |
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IR推出更强在线IGBT产品选择及效能评估工具 (2013.03.13)
功率半导体厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 提升绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 选择工具的效能，藉以优化马达驱动器、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器及焊接等多种应用的设计 |
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IR扩充600V沟道超高速IGBT阵容 (2013.02.21)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充600V绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 阵容，推出坚固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D及IRGP4660D，藉以优化不间断电源 (UPS)、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接应用 |
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快捷半导体SiC BJT上场 锁定5kW应用市场 (2012.11.21)
快捷半导体日前才完成收购碳化硅(SiC)功率晶体管企业TranSiC，掌握了最关键的SiC材料与制程技术，并且能够在超广温度范围下有亮眼出色的性能，以及高于金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）和接面场效晶体管（JFET）技术的双极SiC晶体管技术 |
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快捷半导体SiC BJT上场 锁定5kW应用市场 (2012.11.21)
快捷半导体日前才完成收购碳化硅(SiC)功率晶体管企业TranSiC，掌握了最关键的SiC材料与制程技术，并且能够在超广温度范围下有亮眼出色的性能，以及高于金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）和接面场效晶体管（JFET）技术的双极SiC晶体管技术 |
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IR Gen8 1200V IGBT技术平台提升效率及耐用性 (2012.11.21)
国际整流器公司(IR)日前推出新一代绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术。
Gen8设计让Vce(on) 能够减少功耗，增加功率密度，以及提供耐用性 |
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IR为家电马达驱动器扩充IGBT阵营 (2012.10.24)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF，藉以扩充绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 阵营。全新600V沟槽型超高速IGBT能够为洗衣机和冰箱等家电与轻工业马达驱动应用提升效能及效率 |
