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英飞凌荣获群光电能颁发「氮化??策略合作夥伴奖」 (2024.04.15)
群光电能(Chicony Power;简称群电)宣布其年度合作夥伴英飞凌科技(Infineon)脱颖而出,荣获2023年度「氮化??策略合作夥伴奖」。英飞凌凭藉其运用於笔电、电竞、伺服器与储存设备等资通讯(ICT)应用的氮化??(GaN)电源供应器解决方案
英飞凌与安克成立创新应用中心 合作开发PD快充领域与节能解决方案 (2024.01.26)
随着行动装置、笔记型电脑和电池供电设备的不断增加,消费者对提高充电功率和充电速度的需求与日俱增。英飞凌科技(infineon)近日宣布与安克创新(Anker Innovations)在深圳联合成立创新应用中心
Transphorm两款全新叁考设计应用於两轮和三轮电动车电池充电器 (2023.12.21)
全球氮化??(GaN)功率半导体供应商Transphorm推出两款针对电动车充电应用的全新叁考设计。300W和600W??流/??压(CC/CV)电池充电器采用Transphorm的70毫欧和150毫欧SuperGaN元件,以成本实现高效的AC-DC 功率转换和高功率密度
Transphorm新款TOLT封装形式的SuperGaN FET提供更灵活的热管理 (2023.11.29)
Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後,推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET,新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧,为采用JEDEC标准(MO-332)TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件
英飞凌完成收购GaN Systems 成为氮化??龙头企业 (2023.10.25)
英飞凌科技宣布完成收购 GaN Systems 公司。这家总部位於加拿大渥太华的公司,为英飞凌带来了丰富的氮化?? (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批,交易结束後,GaN Systems 已正式成为英飞凌的一部分
宜普:氮化??将取代650伏特以下MOFEST市场 市场规模约数十亿美元 (2023.09.04)
随着氮化?? (GaN)技术在各产业中扮演起重要的角色,中国政府已积极透过资助计画、研发补助以及激励政策等方式来支持氮化??技术在中国的发展。此外,中国近年来出现了许多专注於研发氮化??的公司,并且包括复旦大学、南京大学、浙江大学及中国科学院等大学或研究机构也积极地投入氮化??相关领域的研究及发展
英飞凌携手群光电能提升氮化??PD3.1笔电电源供应器效能 (2023.08.17)
英飞凌科技(Infineon)透过运用氮化??(GaN)半导体赋予电源转换器更高的效能、更精简的体积以及更低的能耗。群光电能(Chicony Power)与英飞凌强化合作,提高其最新PD3.1笔记型电脑电源供应器系列的效能
氮化??在采用图腾柱 PFC 的电源设计中达到高效率 (2023.08.04)
世界各地的政府法规要求在交流/直流电源中使用 PFC 级,藉以促进从电网获得洁净电力。PFC 对交流输入电流进行调整以遵循与交流输入电压相同的形状...
Transphorm发布首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模拟模型 (2023.06.19)
全球高可靠性、高性能氮化??(GaN)电源转换产品供应商Transphorm推出新款1200伏功率管模拟模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今业界可见推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体
电气化趋势不可逆 宽能隙技术助电动车市场跃升 (2023.04.17)
汽车动力系统正从内燃机转向电动机,这是一个不可阻挡的趋势。 宽能隙半导体材料在功率利用和开关频率方面具有独特的优势。 只有宽能隙半导体能够实现电动车的目标,协助汽车向永续出行的发展
CGD ICeGaN产品技术经维吉尼亚理工大学研究获验证 (2023.04.10)
无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices(CGD)使用氮化?? (GaN)开发出多款高能效功率装置,协助打造出更为环保的电子产品;CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现,CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性
英飞凌将收购GaN Systems 进一步强化电源系统领导地位 (2023.03.03)
英飞凌与GaN Systems公司宣布两家公司已签署最终协议,英飞凌将以8.3亿美元的价格收购GaN Systems。GaN Systems是开发基於氮化??的电源转换解决方案的全球技术领导者,总部位於加拿大渥太华,拥有200多名员工
大联大诠鼎推出高效超薄型200W LED驱动电源方案 (2022.09.15)
大联大控股宣布,其旗下诠鼎推出基於英诺赛科(Innoscience)INN650D01场效应晶体管的高效超薄型200W LED驱动电源方案。 随着人们对灯具品质的要求越来越高,传统的LED驱动器已经无法满足小而薄的灯具设计
Transphorm获得美国能源部合约 提供新型四象限氮化??开关管 (2022.09.05)
Transphorm宣布赢得一份美国能源部先进能源研究计画署(ARPA-E)的合约。该专案是ARPA-E CIRCUITS计画的一部分,透过与伊利诺理工学院的转包合约展开,包括提供采用氮化??的四象限双向开关管(FQS)
EPC推出ePower功率级积体电路 实现更高功率密度和简化设计 (2022.08.11)
宜普电源转换公司(EPC)推出ePower功率级积体电路,它整合了整个半桥功率级,可在1 MHz工作时实现高达35 A的输出电流,为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案,包括DC/DC转换、马达控制和D类音频放大器等应用
安克创采用英飞凌HFB控制器XDP与CoolGaN IPS 实现高功率密度 (2022.08.04)
随着行动装置、笔记型电脑和电池供电设备的不断增加,消费者对提高充电功率和充电速度的需求与日俱增。这一趋势也为工程师带来一道「难题」:如何在更小的尺寸内实现更高的功率水准,同时满足散热要求
飞宏新款65W配接器采用Transphorm氮化??技术 (2022.08.02)
全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(Phihong)新推出65W 2C1A USB PD配接器,其中采用Transphorm公司的氮化??(GaN)技术。这款配接器采用Transphorm的SuperGaN第四代技术,这是一种氮化??场效应管(FET)平台,具有系统设计简单,元件数量少,高性能,高可靠等优点
节能降耗势在必行 宽能隙半导体发展加速 (2022.07.27)
宽能隙半导体拥有许多优势,其节能效果非常出色。 碳化矽和氮化??两种技术各有特点,各自的应用情境也有所不同。 宽能隙技术已经催生出一系列相关应用,协助达成碳中和的企业目标
与病毒共存的COMPUTEX少了人潮多了看展乐趣! (2022.06.25)
COMPUTEX 2022实体展,受到疫情的影响,实体的展览摊位数与面积都较以往缩减,叁观人数也大不如前。然而整体的看展品质,却受惠於更馀裕的交流空间而有所提升,多添了新的乐趣
ST与MACOM射频矽基氮化??原型晶片达成技术和性能里程碑 (2022.06.14)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??(RF GaN-on-Si)原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作,并加强双方的合作关系。 射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力


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