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台湾AI关键元件的发展现况与布局 (2024.06.13)
就人工智慧（AI）装置的硬体来看，关键的零组件共有四大块，分别是逻辑运算、记忆体、PCB板、以及散热元件。他们扮演着建构稳定运算处理的要角，更是使用者体验能否优化的重要辅助 |
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下一个自动化时代的新网宇实体系统影响 (2022.05.25)
工业发展的驱动力为何？ ST突破感测器、人工智慧、通讯等领域的技术，以创新的网宇实体系统开启下一个自动化时代。 |
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低价刺激消费需求 SSD强势跃居主流 (2019.06.10)
2019年似乎是购买SSD的绝佳时机，市场开始转向QLC NAND，而采用96层的3D NAND架构也可有效提高密度，并降低成本。接下来容量更高的消费型SSD将变得更为普遍。 |
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QLC强势跃居主流 2019年SSD价格将再现新低点 (2019.05.21)
在近期，所有关於固态硬碟（SSD）的消息大多是正面且令人雀跃的，随着时间来到2019年，价格下调和产能增加，可能都是今年SSD会持续的趋势。目前至少有一家制造商（如WD/Sandisk）似??正透过调整生产策略来应对价格下跌的影响，而我们也看到许多分析师预测2019年SSD价格可能下跌超过50％ |
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研发存储级记忆体！ 旺宏与IBM续攻相变化记忆体技术 (2018.12.25)
旺宏电子（Macronix）董事会昨日决议通过，将与IBM签订合约，继续进行「相变化记忆体（PCM）」的合作开发。双方将共同分担研发费用，为期3年，合约计画期间为明年1月22日至2022年1月21日 |
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旺宏电子3D NAND记忆体等四篇论文入选2017 IEDM (2017.11.29)
旺宏电子今日宣布，今年计有四篇论文入选国际电子元件大会IEDM，其中一篇探讨3D NAND创新结构的论文更获得大会评选为”亮点论文”（Highlight Paper），是今年台湾产学研界唯一获选的亮点论文 |
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HGST研究团队于2015快闪记忆体高峰会展示常驻记忆技术 (2015.09.14)
Western Digital 旗下公司HGST去年展出创记录每秒300万I/O的相变化记忆体（PCM），今年将继续应用此技术并与Mellanox Technologies合作，展示创新性的记忆体内运算丛集架构。该架构将搭载PCM技术、具备RDMA功能，效能接近DRAM，但总体拥有成本更低且扩充能力更佳 |
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旺宏电子五篇论文入选2013 VLSI技术会议 (2013.06.13)
全球超大规模集成电路技术及电路国际会议( IEEE Symposia on VLSI Technology & Circuits)即将于6月11日至14日于日本举办。旺宏电子今年共有六篇论文获选：其中一篇入选电路会议(VLSI Circuits) |
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如何让芯片记忆更多？Rice大学和惠普告诉您 (2010.09.01)
有没有另一种新的半导体技术，能够在更短的时间内缩小芯片尺寸、又能提高储存容量？答案正在呼之欲出。美国德州莱斯大学（Rice Univ.）的科学家们与惠普（HP）的研发团队不约而同地，在这礼拜公布两项关键技术和合作计划，宣布可以克服最基本的物理限制，能够更快速地将内存芯片微型化，他们认为是消费电子芯片的革命性突破 |
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可取代NAND快闪的新内存技术问世 (2010.05.20)
Unity半导体公司不断致力于新内存技术的开发，不久前该公司宣布成功开发一种可取代NAND Flash的新内存技术，相信不久以后，NAND Flash为记忆卡和固态硬盘唯一解决方案的局面将出现大幅改变 |
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ST退出闪存业务 恒忆并入美光科技 (2010.02.11)
意法半导体（ST）今（11）日宣布，意法半导体、英特尔（Intel）及Francisco Partners三方，与美光科技（Micron Technology Inc.）签署正式并购协议。根据协议，美光将以全额股票形式收购恒忆控股公司（Numonyx Holding B.V.） |
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针对奈米电子时代的非挥发性内存 (2010.02.02)
目前主流的基于浮闸闪存技术的非挥发性内存（NVM）技术有望成为未来几年的参考技术。但是，闪存本身固有的技术和物理局限性使其很难再缩小技术节点。在这样的环境驱使下，业界试图运用新的材料和概念研发更好的内存技术，以替代闪存，并更有效地缩小内存，提高储存效能 |
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恒忆与Intel合作研究PCM技术 获关键性突破 (2009.11.02)
恒忆（Numonyx）与英特尔（Intel）宣布，相变化内存（PCM）研究的关键性突破，此项非挥发性内存技术结合了现今多种类型内存的优点。研究人员也首度展示可于单一芯片堆栈多层PCM 数组的64Mb测试芯片 |
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恒忆与三星电子共同开发相变化内存 (2009.06.26)
恒忆（Numonyx B.V.）与三星电子（Samsung Electronics Co.,Ltd）宣布共同开发相变化内存（Phase Change Memory，PCM）产品的市场规格，此新一代内存技术可协助多功能手机及行动应用、嵌入式系统及高阶运算装置的制造商，满足处理大量内容及数据的平台所需之高效能及功耗需求 |
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恒忆推出新系列NAND闪存 (2008.12.22)
恒忆（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据储存应用推出新系列NAND闪存产品，持续为业界提供完整的 NOR、NAND、RAM和PCM（相变化内存）解决方案。新系列产品包括高达32Gb（gigabits）的MLC NAND、32GB（gigabytes）的eMMC和高达8 GB的microSD产品，均采用先进的41奈米制程 |
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革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能，短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守，长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力（Scalability）、储存覆写次数耐久性（Endurance）和数据保存能力（Data Retention）的局限，使其面临技术上和经济上必须革新的关键 |
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97年科专计划优良成果联合表扬 (2008.07.10)
一年一度经济部科专家族盛会「科专优良成果表扬活动」以「创新科技、领航国际」为主轴，于7月10日至11日假台大医院国际会议中心2楼扩大办理成果展示及联合颁奖典礼 |
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Numonyx现身Computex 锁定台湾嵌入式市场 (2008.06.04)
充满话题性的恒忆(Numonyx)内存公司也在今年的Computex展上现身，除了正式向台湾宣布其成立消息外，同时也点明其在台湾的业务策略。未来Numonyx将主攻嵌入式应用市场，积极进入有线通讯业、汽车业、消费电子产业、制造业及计算机信息业等领域 |
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Computex 2008展后报导 (2008.06.03)
全球第二大资讯展「Computex Taipei 2008」于6月6日圆满落幕。今年的展会首度启用南港展览馆，并与信义馆同步展出，有1725家厂商参展，共4492个摊位，较2007年成长了53％。此外 |
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VLSI WEEK 25周年 后CMOS时代为议题主轴 (2008.04.22)
走过1/4世纪的VLSI WEEK于4月21日在新竹国宾饭店开幕，由工业技术研究院及国际电机电子工程师学会共同主办，一连举行5天。VLSI是国际上引领全球、最先进的半导体及系统芯片国际学术会议之一 |
