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意法半导体於义大利打造世界首座一站式碳化矽产业园区 (2024.06.24)
意法半导体(STMicroelectronics,ST),将於义大利卡塔尼亚打造一座结合8寸碳化矽(SiC)功率元件和模组制造、封装、测试於一体的综合性大型制造基地。透过整合同一地点现有之碳化矽基板制造厂,意法半导体将打造一个碳化矽产业园区,达成在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化矽之愿景
吉利汽车与ST签署碳化矽长期供应协定 共同推动新能源汽车转型 (2024.06.05)
吉利汽车与ST成立创新联合实验室 推动新能源汽车转型 签署碳化矽长期供应协定 · 意法半导体第三代SiC MOSFET协助吉利汽车集团纯电车型提升电驱效能 全球半导体厂商意法半导体(STMicroelectronics;ST)与全球汽车及新能源汽车车商吉利汽车集团宣布,双方签署碳化矽(SiC)元件长期供应协议,加速碳化矽元件的合作
挥别续航里程焦虑 打造电动车最隹化充电策略 (2024.04.29)
随着电动车持续发展,300英里成为标准,续航里程焦虑开始消散。 各国已制定不同的电动车标准,以因应不同的需求和应用。 透过实验室模拟,才是验证电动车和充电桩互通性的最隹方法
ST碳化矽数位电源解决方案被肯微科技采用於高效伺服器电源供应器设计 (2024.03.22)
意法半导体(STMicroelectronics,ST)与高效能电源供应领导厂商肯微科技合作,设计及研发使用ST领先业界的碳化矽(SiC)、电气隔离和微控制器的伺服器电源叁考设计技术
意法半导体碳化矽协助理想汽车加速进军高压纯电动车市场 (2024.01.05)
意法半导体(STMicroelectronics,ST)与中国新能源汽车商理想汽车签立一项碳化矽(SiC)长期供货协议,而意法半导体将为理想汽车提供碳化矽MOSFET,支援理想汽车进军高压电池纯电动车市场的策略
东芝首款2200V双碳化矽MOSFET模组协助工业设备高效和小型化 (2023.08.30)
东芝电子开发业界首款用於工业设备的2200V双碳化矽(SiC)MOSFET模组MG250YD2YMS3 。新模组的漏极电流(DC)额定值为250A,并采用该公司的第三代SiC MOSFET晶片。适用於使用DC1500V的应用,如光伏发电系统、储能系统等
Diodes新款碳化矽MOSFET符合车规 可提升车用子系统效率 (2023.07.19)
Diodes公司推出两款符合汽车规格的碳化矽 (SiC) MOSFETDMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q,进一步强化宽能隙 (Wide-Bandgap) 产品阵容。此系列N通道MOSFET产品可满足市场对SiC解决方案不断成长的需求,提升电动与混合动力汽车 (EV/HEV)车用子系统的效率及功率密度,例如电池充电器、车载充电器(OBC)、高效DC-DC转换器、马达驱动器及牵引变流器
ST:以全面解决方案 为工业市场激发智慧并永续创新 (2023.07.17)
意法半导体透过2023年工业巡??论坛,更进一步在不同城市,为不同客户延伸和展现工业解决方案、技术和产品。 透过「激发智慧 永续创新」的主轴,与会者能透过各种技术和产品以及解决方案的介绍,亲身体验前沿技术和激发智慧的应用
ST:提供全面系统解决方案 为工业激发智慧并永续创新 (2023.07.17)
利用意法半导体2023年工业巡??论坛的机会,CTIMES零组件杂志也特别专访了意法半导体亚太区功率离散和类比产品部行销和应用??总裁 Francesco Muggeri,详细阐述ST在工业领域的技术创新
车规碳化矽功率模组基板和磊晶 (2023.06.27)
本文叙述安森美在碳化矽领域从晶体到系统的全垂直整合供应链,并聚焦到其中的核心功率器件碳化矽功率模组,以及对两个碳化矽关键的供应链基板和磊晶epi进行分析。
GE科学家展示超高温SiC MOSFET产品效能 (2023.06.02)
来自通用电气研究(GE Research)的科学家们创造了一项新记录,展示可以承受超过温度 800 ℃的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)。这相较於之前已知的该技术演示高出 200℃,对於极端操作环境中未来应用深具潜力
意法半导体与采埃孚签订碳化矽元件长期供应协定 (2023.04.20)
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布与采埃孚科技集团(ZF)签订碳化矽元件长期供应协定。从2025年起,采埃孚将从意法半导体采购碳化矽元件。根据此长期采购合约,意法半导体将为采埃孚供应超过1,000万个碳化矽元件
电气化趋势不可逆 宽能隙技术助电动车市场跃升 (2023.04.17)
汽车动力系统正从内燃机转向电动机,这是一个不可阻挡的趋势。 宽能隙半导体材料在功率利用和开关频率方面具有独特的优势。 只有宽能隙半导体能够实现电动车的目标,协助汽车向永续出行的发展
Diodes新款工业级碳化矽MOSFET提升功率高密度 (2023.04.13)
Diodes公司推出碳化矽(SiC)系列新品:DMWS120H100SM4 N通道碳化矽 MOSFET,可以应用於工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等领域,对於更高效率与更高功率密度的需求
半导体产业如何推动「绿色低碳」之目标? (2023.03.30)
碳达峰、碳中和已经成为全球关注的话题。半导体技术的发展是打造绿色低碳社会的重要动力。同时,半导体产业亦积极迈向绿化与低碳化,是碳中和策略目标的积极实践者
ST推出碳化矽功率模组 提升电动汽车性能及续航里程 (2022.12.19)
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出了可提升电动汽车性能和续航里程之大功率模组。意法半导体的新碳化矽(SiC)功率模组已被用於现代汽车(Hyundai)的E-GMP电动汽车平台,以及共用该平台的起亚汽车(KIA) EV6等多种车款
ROHM携手马自达与今仙电机签署e-Axle联合开发协定 (2022.11.22)
ROHM与马自达汽车株式会社和今仙电机制作所,就包含e-Axle在内的电动车马达驱动系统中所搭载的逆变器和碳化矽功率模组,签署了联合开发协定。 e-Axle是将马达、减速器和逆变器三合一的「EV心?」,是影响电动车行驶性能和功率转换效率的重要单元
2022.9月(第370期)类比双城记 (2022.09.02)
原本看好的2022年晶片市场, 在俄乌战事陷入僵局,以及通货膨胀的发酵, 急速的抑制了人们的消费力道,也大幅削减了晶片的销售需求。 在晶片市场转入调整期之後
碳化矽MOSFET实现闸极驱动器及运作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驱动方式与传统的矽MOSFET和绝缘闸双极电晶体(IGBT)不同,本文叙述在碳化矽应用进行闸极驱动时,设计人员如何确保驱动器具备足够的驱动能力。
节能降耗势在必行 宽能隙半导体发展加速 (2022.07.27)
宽能隙半导体拥有许多优势,其节能效果非常出色。 碳化矽和氮化??两种技术各有特点,各自的应用情境也有所不同。 宽能隙技术已经催生出一系列相关应用,协助达成碳中和的企业目标


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