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三菱电机获得变频站订单 强化互联互通稳定不同频率的电网 (2023.10.02)
三菱电机(Mitsubishi Electric)已获得J-Power Transmission Network公司的合同,为该项目提供300MW电压源换流器(VSC)高压直流(HVDC)输电设备静冈县浜松市的新佐久间变频站。该系统预计将於2028年3月底投入使用
投身车电领域的入门课:IGBT和SiC功率模组 (2023.05.19)
随着2021年全球政府激励政策和需求上升,正推动亚太、北美和欧洲地区的电动车市场稳步扩大。作为电能转换的关键核心,IGBT和SiC模组极具市场潜力。
安森美与大众汽车集团就电动车SiC技术达成策略协议 (2023.01.31)
安森美(onsemi)宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署策略协定,为大众汽车集团的下一代平台系列提供模组和半导体元件,以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统最隹化的一部分,形成能够支援大众车型前轴和後轴主驱逆变器的解决方案
Microchip新型一体化混合动力驱动模组 提升电动航空应用设计效能 (2023.01.30)
电动飞机(MEA)设计制造商希??将飞行控制系统从液压转换为电动,以减轻重量和设计复杂性。为了满足航空应用对整合和可配置电源解决方案的需求,Microchip今(30)日推出一款全新的综合性混合动力驱动模组,可减少开发时间和重量,这是全新电源元件产品系列的首款型号
恩智浦推出高效S32K39系列车用MCU 满足未来电气化需求 (2022.11.30)
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)宣布推出全新S32K39系列车用微控制器(MCU),该系列MCU针对电动车(EV)控制应用进行最隹化。新一代S32K39 MCU的高速、高解析度控制可提升能效,在延长行驶里程的同时,提供更顺畅的电动车驾驶体验,满足未来电气化需求
瑞萨推出新一代用於电动汽车逆变器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞萨电子(Renesas Electronics)宣布开发新一代矽绝缘栅双极电晶体(Si-IGBT),以提供低功率损耗且小型的封装。针对新一代电动汽车(EV)逆变器的AE5 IGBT将於2023年上半年开始在瑞萨位於日本那??市工厂的200和300毫米产线上生产
SiC牵引逆变器降低功率损耗和热散逸 (2022.08.25)
本文说明如何在EV牵引逆变器中驱动碳化矽(SiC)MOSFET,透过降低电阻和开关损耗来提高效率,同时增加功率和电流密度。
TI 30A闸极驱动器 减少SiC MOSFET功率损耗和热散逸 (2022.08.11)
随着电动车(EV)制造商之间为了开发成本更低、续航里程更长的车型所进行的竞争日益激烈,电力系统工程师必须设法藉由降低功率损耗和提高牵引逆变器系统效率,来提升续航里程并增加竞争优势
功率半导体元件的主流争霸战 (2022.07.26)
多年来,功率半导体以矽为基础,但碳化矽(SiC)、氮化??(GaN)等第三类半导体材料出现,让功率半导体元件的应用更为多元。
提高电动车充电率 TI推升车用GaN FETs开关频率性能 (2021.02.23)
为了加速电动车(EV)技术导入,满足消费者对续航里程、充电时间与性价比的要求,全球汽车大厂在研发上需要更高的电池容量、更快的充电性能,同时尽可能降低或维持设计尺寸、重量或元件成本
电源元件市场高成长 激化品牌创新与纵横合作 (2020.12.02)
再生能源、智慧运算与无线互联的科技愿景当前,寻获最适的新兴材料、元件架构与系统设计,成为全球电源元件供应大厂争相追求的火种—迸发创新的束束火光,已然在全球前沿电力电子市场发散热力
专为关键电力应用设计:600V大型模组化不断电系统 (2019.11.25)
本文讨论「原生600V」无变压器和自耦变压器UPS系统的技术面向,并详细说明它们可提供的优势。
捷拓提供稳定隔离电源 微型化高功率 (2019.08.01)
目前隔离电源模组已被大量用于智慧制造的泛工业设备,以及绿能、电力与轨道交通等基础设施,将为台湾电源的制造厂商直接或间接带来庞大商机。
您的电动汽车充电系统具有适当的安全性,有效性和可靠性? (2019.05.02)
本文概述了市场上不同类型的电动汽车充电站,展示了常见的结构以及如何将安全性,效率和可靠性整合到最佳设计中。
了解现代电磁炉的工作原理 (2017.10.18)
电磁锅是通过电磁感应在铁磁体锅具内部产生涡流,从而产生热量。
D3 Semiconductor与贸泽电子签署全球分销协定 (2017.06.20)
D3 Semiconductor与贸泽电子签署全球分销协定 D3 Semiconductor宣布贸泽电子 (Mouser Electronics) 现已成为其全球分销合作伙伴。根据协定,贸泽电子目前储备D3 Semiconductor 的完整650 伏额定电压超结金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET) +FET产品线
Mouser率先备货英飞凌TRENCHSTOP 5系列的S5系列IGBT (2015.12.15)
Mouser Electronics为供应英飞凌TRENCHSTOP 5 S5绝缘栅双极电晶体(IGBT)的全球授权代理商。此超薄晶圆TRENCHSTOP 5系列中的全新系列产品具备1.60 VCE(sat)低典型饱和电压(于摄氏175度),即使在高温运作环境中亦可维持高效率
设计高性能低功耗三相无刷直流马达控制系统 (2015.01.14)
概要 如今,工程师将马达控制系统用于数字与模拟技术来应对过去面临的挑战,包括马达速度控制、旋转方向、漂移及马达疲劳等。微控制器(MCU) 的应用为当代工程师提供了动态控制马达动作的机会,从而使其能够应对环境压力和状况
要环保 电动车电源效率就要好 (2013.12.09)
电动车发展的关键之一,在于功率元件的表现能否达到最佳化, 从最基本的静态电流到切换损耗,每一个环结都必须审慎看待。
IR宣布扩充其600 V沟道绝缘栅双极晶体管阵营 (2011.11.18)
国际整流器公司(IR)日前宣布扩充其600 V沟道绝缘栅双极晶体管(IGBT)阵营,为不断电系统(UPS)、太阳能、工业用马达及焊接应用推出IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF组件。 IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF组件利用沟道纤薄晶圆技术,减低导通及开关损耗


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