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ROHM推出100V耐压SBD「YQ系列」 采用沟槽MOS结构 (2024.01.31)
半导体制造商ROHM针对车载设备、工业设备、消费性电子设备等电源电路和保护电路，推出业界最高等级trr的100V耐压萧特基二极体（SBD）「YQ系列」。 二极体的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用於各种应用
东芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工业设备效率 (2023.07.13)
东芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD），这是该公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工业设备开关电源、电动汽车充电站、光伏逆变器为应用领域
ROHM SiC MOSFET/SiC SBD结合Apex Microtechnology模组提升工控设备功率 (2023.03.31)
电源和马达占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高其效率已成为全球性的社会问题，而功率元件是提高效率的关键。ROHM的SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（简称SiC SBD）已被成功应用於大功率类比模组制造商Apex Microtechnology的功率模组系列产品
Littelfuse扩展eFuse保护IC系列 满足多样化和高标准应用需求 (2023.03.21)
Littelfuse宣布公司的电子保险丝（eFuse）保护IC产品系列最新推出四款多功能电路保护元件。 最新推出的电子保险丝保护IC产品采用了创新设计，是3.3V至28V广泛电源输入应用的理想选择，具有高度整合的保护功能
ROHM SiC SBD成功应用於Murata Power Solutions D1U系列 (2023.03.15)
ROHM（总公司：日本京都市）开发的第3代SiC萧特基二极体（以下简称 SBD）已成功应用於Murata Power Solutions的产品上。Murata Power Solutions是擅长电子元件、电池、电源领域的日本着名制造商村田制作所集团旗下的企业
以降压稳压器解决电流??路发送器功耗问题 (2022.10.27)
本文介绍如何使用 100 mA高速同步单晶片降压型切换稳压器取代LDO稳压器，为电流??路发送器设计精巧型电源。文中评估其性能，并选择符合严格的工业标准的元件。并提供效率、启动和涟波测试资料
HOLTEK推出6V/2A/1.2MHz同步降压转换器IC--HT74153 (2022.07.04)
盛群（Holtek）新推出同步降压转换器IC--HT74153，输入电压范围2.5V至6V，可应用於3至4节乾电池及单节锂电池的产品；2A的输出电流能力，可提供稳定的电压，能驱动低压直流马达及雷射二极体等大电流负载的应用，适用於携带式产品如按摩器、玩具及雷射投线仪等
罗姆推出小型PMDE封装二极体 助力应用小型化 (2022.04.11)
ROHM为满足车电装置、工控装置和消费性电子装置等各类型应用中，保护电路和开关电路的小型化需求，推出了PMDE封装（2.5mm×1.3mm）产品，此次又在产品系列中新增了14款机型
Diodes推出反向放电理想二极体控制器 提高保护电路效率 (2022.03.22)
Diodes公司宣布推出一款用於保护系统，免遭反向放电的理想二极体控制器产品。DZDH0401DW控制器驱动P通道MOSFET来模拟理想二极体，在高达40V的系统中，提供阻断反向电流所需的高侧导轨绝缘
HOLTEK推出新款低功耗200mA同步升压转换器--HT77xxFA (2021.11.29)
盛群半导体(Holtek)新推出一款高效同步升压转换器IC，HT77xxFA。适用于遥控器、无线滑鼠、血糖仪、电动剪及温湿度计等产品。内置萧特基二极体的设计可减少布局面积，对于行动装置的设备具有帮助
Littelfuse新增1700 V碳化矽萧特基阻障二极体提供更快和低损耗开关 (2021.08.17)
Littelfuse公司今（17）日宣布扩充其碳化矽（SiC）二极体产品组合，新增1700 V级产品适用于资料中心、建筑物自动化和其他高功率电子应用。 LSIC2SD170Bxx系列碳化矽萧特基二极体采用TO-247-2L封装，可选择额定电流10A、25A或50A
ROHM扩大车电小型SBD RBR/RBQ产品线 增至178款 (2021.08.11)
半导体制造商ROHM研发出小型高效萧特基二极体（SBD）「RBR系列」、「RBQ系列」各12款产品，适用于车电、工控和消费性电子装置等电路整流和保护用途。目前该二个系列的产品线总计已达178款
Microchip推出耐固性最强的碳化矽功率解决方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣布扩大其碳化矽产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分离元件和电源模组。 Microchip的1700V碳化矽技术是矽IGBT的替代产品
ROHM内建SiC二极体IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 损耗减少67% (2021.07.13)
半导体制造商ROHM开发出650V耐压、内建SiC萧特基二极体的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准「AEC-Q101」
英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立元件系列 (2021.02.18)
英飞凌科技推出具 650 V 阻断电压，采独立封装的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 产品组合。新款 CoolSiC 混合型产品系列结合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技术的主要优点及共同封装单极结构的CoolSiC 萧特基二极体
电源元件市场高成长 激化品牌创新与纵横合作 (2020.12.02)
再生能源、智慧运算与无线互联的科技愿景当前，寻获最适的新兴材料、元件架构与系统设计，成为全球电源元件供应大厂争相追求的火种—迸发创新的束束火光，已然在全球前沿电力电子市场发散热力
Microchip推出最新汽车用700和1200V碳化矽萧特基二极体 (2020.10.29)
汽车电气化浪潮正席卷全球，电动汽车搭载的马达、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化矽（SiC）等创新电源技术。Microchip今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD）功率元件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车品质标准的解决方案，同时支援丰富的电压、电流和封装选项
贸泽供货Microchip AgileSwitch相脚功率模组 整合MOSFET和二极体优点 (2020.10.16)
半导体与电子元件、授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布即日起供货Microchip Technology最新的AgileSwitch相脚SiC MOSFET模组。此模组体积轻巧且具高整合度，整合了碳化矽(SiC)MOSFET和SiC二极体，将两种装置的优点结合到同一个解决方案之中
针对汽车严苛环境设计 完善电源供应系统占小空间、省电及低EMI (2020.04.08)
本文探讨汽车电源供应器规格的关键要求，以及因应汽车规范的解决方案，内容并提供多个范例解决方案，来一一说明高效能元件的组合如何轻易地解决以往无法克服的汽车电源难题
Microchip扩展碳化矽电源晶片产品线 提升能源效率、尺寸和可靠性 (2020.03.17)
业界希??基於碳化矽（SiC）的系统能大幅提升效率、减小尺寸和重量，协助工程师研发创新的电源解决方案；这一需求正在持续、快速地增长。SiC技术的应用场景包括电动汽车、充电站、智慧电网、工业电力系统、飞机电力系统等


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