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意法半导体推出灵活同步整流控制器 提升矽基或氮化??功率转换器效能 (2024.05.14)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）新款SRK1004同步整流控制器降低采用矽基或GaN电晶体之功率转换器的设计难度并提升转换效能，目标应用包括工业电源、携带式装置充电器和AC／DC转接器 |
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英飞凌推出新一代 ZVS 返驰式转换器晶片组 (2024.03.22)
随着 USB-C PD 充电技术逐渐普及，带动整体消费市场对相容性强的充电器的需求提高。因此使用者需要功能强大而又设计精简的适配器。英飞凌科技（Infineon）推出二次侧控制 ZVS 返驰式转换器晶片组 EZ-PD PAG2，由 EZ-PD PAG2P 和 EZ-PD PAG2S组合，并整合USB PD、同步整流器和 PWM 控制器 |
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高压分离式功率元件HV Si-MOSFET应用效能 (2023.08.01)
本文重点介绍Littelfuse提供2 kV以上的高压分离式功率元件HV Si-MOSFET。 |
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ST：提供全面系统解决方案 为工业激发智慧并永续创新 (2023.07.17)
利用意法半导体2023年工业巡??论坛的机会，CTIMES零组件杂志也特别专访了意法半导体亚太区功率离散和类比产品部行销和应用??总裁 Francesco Muggeri，详细阐述ST在工业领域的技术创新 |
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意法半导体ST-ONE系列USD PD控制器提升功率至140W (2023.07.12)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）率先推出通过USB-IF之USB Power Delivery Extended Power Range（USB PD 3.1 EPR）规范认证的整合化数位控制器晶片ST-ONEHP。
ST-ONEHP为ST-ONE系列中的第三款控制器，其输出电压为28V，可简化最高额定功率140W的充电器和电源转接器的开发设计 |
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意法半导体新款隔离式降压转换器晶片灵活可变 (2023.06.06)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出新款10W隔离降压转换器晶片L6983i，具备高效能、小包装，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。
L6983i采用隔离降压拓扑结构，需要的外部元件相较传统隔离式返驰式转换器少，并且不需要光耦合器，进一步节省物料清单成本和PCB面积，适合於需要隔离式DC-DC转换器应用 |
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意法半导体100W和65W VIPerGaN功率转换晶片 可节省空间 (2023.05.26)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）之高压宽能隙功率转换晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关准谐振（Quasi-Resonant，QR）返驰式转换器 |
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英飞凌将收购GaN Systems 进一步强化电源系统领导地位 (2023.03.03)
英飞凌与GaN Systems公司宣布两家公司已签署最终协议，英飞凌将以8.3亿美元的价格收购GaN Systems。GaN Systems是开发基於氮化??的电源转换解决方案的全球技术领导者，总部位於加拿大渥太华，拥有200多名员工 |
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意法半导体推出HVLED101返驰式控制器 提升LED照明性能 (2023.03.01)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）新推出之HVLED101返驰式控制器适用於最高180W的LED灯具，其整合了各种功能、控制专利技术，并提供初级感测稳压支援，助於提升照明性能并可简化灯具电路设计 |
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意法半导体ST-ONEMP数位控制器 简化高效能双埠USB-PD转接器设计 (2023.02.10)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）的高整合度、高效能ST-ONE系列USB供电（USB-PD）数位控制器新增一个支援双埠的ST-ONEMP晶片。
ST-ONEMP数位控制器采用市面第一个ST-ONE架构，在一个封装内整合ArmR CortexR-M0+微控制器、高效能非互补有源钳位返驰式控制器和USB-PD 3.1介面 |
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ROHM推出隔离型DC/DC转换器 助力xEV应用实现小型化 (2022.12.14)
ROHM推出二款隔离型返驰式DC/DC转换器「BD7F105EFJ-C」和「BD7F205EFJ-C」，非常适用於xEV（电动车）的主驱逆变器、车载充电器、电动压缩机以及PTC加热器等配备闸极驱动器的驱动电源 |
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英飞凌推出单级返驰式控制器 可电池充电应用实现扩展设计 (2022.12.09)
采用电池供电的电器是业界增长最快的市场区块之一，此类应用需要节能、稳健和高性价比的电池充电方案。为了满足这一需求，英飞凌推出了适用於返驰式拓扑结构的ICC80QSG单级PWM控制器，进一步扩展了英飞凌旗下AC-DC控制器IC的产品阵容 |
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英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飞凌推出全新CoolMOS PFD7高压MOSFET系列，为950 V超接面（SJ）技术树立新标竿。全新950 V系列具有出色的效能与易用性，采用整合的快速二极体，确保元件坚固耐用，同时降低了BOM（物料清单）成本 |
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以碳化矽MOSFET实现闸极驱动器及运作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驱动方式与传统的矽MOSFET和绝缘闸双极电晶体（IGBT）不同，本文叙述在碳化矽应用进行闸极驱动时，设计人员如何确保驱动器具备足够的驱动能力。 |
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安克创采用英飞凌HFB控制器XDP与CoolGaN IPS 实现高功率密度 (2022.08.04)
随着行动装置、笔记型电脑和电池供电设备的不断增加，消费者对提高充电功率和充电速度的需求与日俱增。这一趋势也为工程师带来一道「难题」：如何在更小的尺寸内实现更高的功率水准，同时满足散热要求 |
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大联大品隹推出Infineon 60W高效率超低待机功耗电源方案 (2022.06.02)
大联大控股宣布，其旗下品隹推出基於英飞??（Infineon）ICE5GSAG器件的60W高效率超低待机功耗电源方案。
近年来，随着全球用电设备的激增，电源技术也在不断地创新迭代 |
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安森美推出USB PD应用方案 确保负载范围内最隹能效 (2022.05.13)
安森美（onsemi），推出用於USB供电（PD）设计的全新三件套组产品。新的控制器和驱动器提供创新的功能，能显着减少高能效AC-DC电源的物料清单（BOM）含量，尤其是在100 W以上的负载范围 |
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ST VIPerGaN50功率电源转换器 优化效能与小型化 (2022.04.12)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）新款VIPerGaN50能简化最高50W的单开关反激式功率电源转换器设计，并整合一个650V氮化??（GaN）功率电晶体，优化电源的效能与小型化。
VIPerGaN50采用单开关拓扑和高整合度，包括内建电流感应和保护电路，并以低成本的5mm x 6mm小型封装 |
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Power Integrations推出采750V GaN切换开关的高效率准谐振PFC IC (2022.03.22)
Power Integrations宣布推出整合了 750 V PowiGaN 氮化??切换开关的 HiperPFS-5 系列功率因数修正 (PFC) IC。新款 IC 的效率高达 98.3%，无需散热片即可提供高达 240 W 的功率，并且可以实现优於 0.98 的功率因数 |
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Power Integrations推出1700V SiC MOSFET高压切换开关 IC (2022.02.15)
Power Integrations在其 InnoSwitch 3-AQ 系列中新增了两款符合 AEC-Q100 标准、额定电压为 1700 伏特的 IC。这些新装置是业界首款采用碳化矽 (SiC) 一次侧切换 MOSFET 的汽车级切换电源供应器 IC |
