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纬湃采用英飞凌CoolGaN电晶体打造高功率密度DC-DC转换器 (2024.09.03)
在电动汽车和混合动力汽车中，少不了用於连接高电压电池和低电压辅助电路的DC-DC转换器，而它对於开发更多具有低压功能的经济节能车型也很重要。由TechInsights的资料显示，2023年全球汽车DC-DC转换器的市场规模为40亿美元，预计到2030年将增长至110亿美元，预测期内的复合年增长率为15% |
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Littelfuse新款800V N沟道耗尽型MOSFET采用改进型SOT-223-2L封装 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET新品CPC3981Z。
与标准SOT-223封装相比，这款新产品的SOT-223-2L封装移除中间引脚，将漏极与闸极之间的引脚间距，从1.386毫米增加到超过4毫米间距增加简化宽输入电压电源的隔离管理，实现精巧的印刷电路板布局 |
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高压分离式功率元件HV Si-MOSFET应用效能 (2023.08.01)
本文重点介绍Littelfuse提供2 kV以上的高压分离式功率元件HV Si-MOSFET。 |
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英飞凌扩展CoolSiC系列高电压产品 符合1500 VDC应用需求 (2022.06.08)
高功率密度的需求日益成长，因此推动了开发人员在其应用中采用1500 VDC系统规格，以提高每台逆变器的额定功率和降低系统成本。不过，1500 VDC型系统在系统设计上带来更多挑战，例如在高DC电压下快速切换，这通常需要多层次拓扑，因此需要复杂的设计和相对较多的元件数量 |
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英飞凌推出EiceDRIVER F3增强型系列闸极驱动器 提供全面短路保护 (2022.03.11)
英飞凌科技股份有限公司宣布推出EiceDRIVER F3（1ED332x）增强型系列闸极驱动器，进一步壮大其EiceDRIVER增强型隔离闸极驱动器的产品阵容。
该系列闸极驱动器能够提供可靠且全面的保护，防止短路故障的发生，让包括IGBT在内的传统功率开关以及CoolSIC宽能隙元件得到有效保护 |
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从原理到实例：详解SiC MOSFET如何提高电源转换效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET为例，分析其效率和散热能力方面的优势，并说明如何使用此类元件进行设计。 |
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英飞凌22千瓦工业通用马达驱动参考设计置入最新技术 (2021.09.07)
现今系统方案在电力电子和半导体市场上渐受重视，英飞凌科技推出一个经过测试的工业参考设计该参考设计是一个通用的马达驱动器，额定功率为22千瓦，可直接在380至480伏的三相电网上运行 |
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英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立元件系列 (2021.02.18)
英飞凌科技推出具 650 V 阻断电压，采独立封装的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 产品组合。新款 CoolSiC 混合型产品系列结合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技术的主要优点及共同封装单极结构的CoolSiC 萧特基二极体 |
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英飞凌推出伺服马达专用的碳化矽MADK评估板 (2020.09.09)
马达应用占了电力电子应用市场的主要区块。英飞凌科技宣布推出CoolSiC MOSFET模组化应用设计套件(MADK)评估板，有助缩短该相关应用的产品上市时间。EVAL-M5-IMZ120R-SIC评估板是最高7.5kW马达的MADK平台系列之一员，特别针对伺服马达应用所设计的3相变频器板 |
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英飞凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 采用高压SMD封装 (2020.06.08)
继今年稍早推出的650V产品後，英飞凌科技扩充旗下CoolSiC MOSFET系列电压等级，现在更新添具专属沟槽式半导体技术的1700V电压等级产品。新款1700V表面黏着装置(SMD)产品充分发挥了碳化矽(SiC)强大的物理特性，提供优异的可靠性和低切换及导通损耗 |
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全新Prime Block 50与60 mm模组 专为马达及UPS应用所设计 (2019.12.18)
Infineon Technologies Bipolar 公司扩大其闸流体/二极体模组产品组合。全新 Prime Block 50 mm 模组采用焊料接合技术，60 mm 模组则采用压接技术。其设计目的，在 60 mm 模组电流超过 600 A 或 50 mm 模组电流超过 330 A 时，两者皆可获得最高效能 |
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英飞凌 Easy 系列推出新封装 提供目前最丰富的12 mm无基板功率模组产品组合 (2019.05.07)
英飞凌科技 旗下 Easy 产品系列新增 Easy 3B 新封装，加上既有的 Easy 1B 与 2B 封装，在高12mm无基板的功率模组中成为最丰富的产品组合。Easy 3B 是延伸现有逆变器设计的理想平台，可以输出更高的功率且其在机构方面不需过多的改变 |
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英飞凌推出具备保护功能之逆导 IGBT 为感应加热应用提供创新解决方案 (2019.01.10)
英飞凌科技股份有限公司针对感应加热应用推出 TRENCHSTOP Feature IGBT保护型系列产品。相较於标准 RC-H5 逆导 IGBT，新款产品整合了逻辑功能与专用驱动 IC，可在单一装置中提供多种可编程的保护功能 |
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Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充碳化矽MOSFET器件组合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化矽MOSFET和萧特基二极体的强有力补充 |
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英飞凌推出 650 V TRENCHSTOP IGBT6 适用1 kW 小型马达驱动 (2018.08.28)
英飞凌科技股份有限公司推出新一代 TRENCHSTOP IGBT6技术。此分立式产品具备 650 V 阻断电压，并针对需要长使用时间、高可靠性及高效率的特定应用进行最隹化，例如：主要家电与小型家电、工业缝纫机，以及用於风扇、帮浦及其他 BLDC 马达中的通用型马达 |
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Wolfspeed推出首个满足汽车AEC-Q101标准的SiC器件系列 (2018.08.09)
科锐旗下Wolfspeed宣布推出E-系列碳化矽（SiC）半导体器件，这一新型产品家族针对电动汽车EV和可再生能源市场，能够为车载汽车功率转换系统、非车载充电、太阳能逆变器和其它户外应用提供目前最高的功率密度和长期可靠性 |
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APEC 2018Littelfuse推出超低导通电阻1200V碳化矽MOSFET (2018.03.16)
Littelfuse公司与从事碳化矽技术开发的美商Monolith Semiconductor推出两款1200V碳化矽(SiC) n通道增强型MOSFET，进而扩展第一代电源半导体元件组合。Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系，旨在为工业和汽车市场开发电源半导体 |
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全新缓启动器模组：适用於各种电流等级 (2018.03.14)
英飞凌关系企业 Infineon Technologies Bipolar 公司推出 InfineonR Power Start，专为低电压的缓启动器应用所设计。全新模组系列满足市场对於成本效益与体积精巧的半导体解决方案之需求 |
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英飞凌EconoPIM 3可将额定电流提升至150 A (2017.07.25)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon) 扩充 IGBT 模组EconoPIM 3 包装系列，新款模组的额定电流提升 50%，从100 A 增加到 150 A。全新功率模组以同样的封装尺寸满足对较高功率密度日益增加的需求，典型应用包括电梯、手扶梯、风扇或帮浦内的马达控制 |
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英飞凌新款IGBT模组以62 mm封装提供更高的功率密度 (2017.03.22)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)扩展旗下62 mm IGBT模组阵容。全新电源模组能在尺寸不变下，满足对更高功率密度日益增加的需求。业经验证的62 mm封装中采用较大的晶片区域及调整过的DCB基板，以实现更高的功率密度 |
