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Crolles2联盟迈向新一代量产制程技术 (2005.06.21)
Crolles2联盟日前公布了一份在京都举办的VLSI会议(VLSI Symposium)文件，描述使用传统大量CMOS制程技术与45奈米设计规则，在量产条件下建构面积小于0.25平方微米的6晶体管结构SRAM单元 |
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Crolles2联盟成员ST、Philips与Freescale (2005.02.17)
三家Crolles2联盟的成员─飞思卡尔半导体、飞利浦以及意法半导体宣布，已经在半导体研发领域的合作范围由原先的小于100nm CMOS制程技术，扩至相关的晶圆测试及封装领域 |
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freescale与TSMC联合开发SOI前段技术 (2004.10.14)
飞思卡尔半导体已和台积电(TSMC)签订合约，联合开发新一代的绝缘层上覆硅(SOI)高效能芯片前段技术，目标将锁定在开发65奈米互补金属氧化半导体(CMOS)的先进制程节点。这份为期三年的合约同时也赋予台积电(TSMC)制造权，可利用飞思卡尔的90奈米绝缘层上覆硅(SOI)技术制造产品 |
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摩托罗拉推出MRAM芯片 (2003.10.29)
摩托罗拉公司于27日表示，该公司已经制造出 4 兆位的磁电阻式随机存取内存芯片。特定的客户目前正在评估这项先进芯片技术的样品。这项技术里程碑，进一步证实了 MRAM 有可能取代多种现有的内存技术的可行性 |
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摩托罗拉推出MRAM芯片 (2003.10.29)
摩托罗拉公司于27日表示，该公司已经制造出 4 兆位的磁电阻式随机存取内存芯片。特定的客户目前正在评估这项先进芯片技术的样品。这项技术里程碑，进一步证实了 MRAM 有可能取代多种现有的内存技术的可行性 |
