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Transphorm新款TOLT封装形式的SuperGaN FET提供更灵活的热管理 (2023.11.29)
Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧，为采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件
Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI应用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管（FET），导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案


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