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ST、Intel及FRANCISCO的恒忆合资案完成交易 (2008.04.01)
意法半导体与英特尔及Francisco Partners公司宣布日前公布的Numonyx合资案已完成交易。交易完成后，意法半导体以NOR和NAND闪存的资产和业务资源（包括相变内存资源和NAND的合资公司），取得Numonyx(恒忆)48.6%的股权和1.556亿美元的长期次级票券，这些长期票券将产生按适当的市场利率计算之利息收益 |
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东芝正式量产128GB多层NAND Flash固态硬盘 (2008.03.24)
位于美国的东芝电子（Toshiba America Electronic Components）近日宣布，东芝将开始量产使用多层NAND闪存架构的固态硬盘（SSD）。这是该公司首次正式量产多层NAND闪存架构的固态硬盘芯片，预估最早上市出货的产品将是嵌入式的128GB内存模块产品，重量约为15g |
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iSuppli:Q2将是08年下半年半导体市场的关键指针 (2008.03.10)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli日前表示，原先预期2008年全球半导体市场的销售收入将快速成长，成长率将从2007年的4.1%提高到7.5%。但由于价格疲软与NAND闪存需求减少等因素，iSuppli预计将微幅下调今年半导体市场的成长预期 |
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东芝将投资兴建两座NAND Flash工厂 (2008.02.22)
东芝将投资兴建两座月产能40万片NAND Flash工厂。据了解，东芝将于2009年春季分别在日本岩手县北上市和三重县四日市同时兴建两座工厂，并计划于2010年正式量产。预计产能为每座工厂每月15万～20万片，总产能将达每月30万～40万片，而总投资额将超过1兆7000亿日圆（约158亿美元） |
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美光今年将推出35nm多层架构的SSD硬盘 (2008.01.23)
美光科技（Micron Technology）2008年将正式推出35奈米制程的多层架构的SSD（solid state drive）固态硬盘产品。据了解，美光2008年将着力于SSD业务上，以加速取代目前的传统硬盘 |
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东芝和SanDisk共同发表43nm制程NAND Flash (2007.12.25)
东芝与美国SanDisk共同发表了采用43nm制程，和2bit/单元多层技术所生产的16Gbit NAND闪存。这种芯片面积仅120平方公厘，可封装在超小型储存卡microSD内。新产品配备了控制栅极驱动电路和存储数组上的电源总线，NAND串数延长至66个，并减小电路面积达9％以上 |
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海力士成功开发24层NAND Flash堆栈封装技术 (2007.09.13)
海力士半导体（Hynix Semiconductor）成功开发出24层堆栈、每层厚度为25μm的NAND型闪存，总厚度为1.4mm的MCP多芯片封装。这是在目前的MCP产品之中，堆栈层数最多的一次。
海力士是于2007年5月开发出了层迭20层芯片的MCP |
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东芝和SanDisk合资的NAND Flash新厂完工启用 (2007.09.07)
东芝和SanDisk共同在四日市举行了NAND型闪存新厂（Fab4）完工启用典礼。东芝社长西田厚聪表示内存业务是「利润成长」目标具体化的表现，并表示Fab4厂拥有三个世界第一的头衔 |
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IC产品破茧催生崭新市场研讨会 (2007.08.22)
从任天堂的Wii藉由MEMS制程开发出Motion Sensor，使人机互动更趋人性化，到苹果推出i-Phone手机借着触控面板技术，成功将复杂多媒体手机简单化，进而吸引了其它诸如手机、MP3 Player、PND、甚至UMPC等可携式电子业者竞相投入触控面板之应用开发 |
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第二季NAND Flash市场规模扩大 价格上涨为主因 (2007.08.20)
市调机构iSuppli公布了2007年第二季（4～6月）NAND闪存的市调结果。数据显示全球市场规模比去年同期成长了10.2％，比上季成长14.4％、达到30亿1200万美元。第二季NAND闪存市场改变了第一季市场需求低迷的态势，由于各厂商的出货量减少，使得第二季NAND闪存的出货量减少，也导致平均售价上涨 |
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NAND Flash Inside！ (2007.07.09)
为了持续提高NAND Flash的储存容量与密度，东芝（Toshiba）计划一改过去持续挑战半导体制程极限的作法，转而透过3D结构以提高NAND Flash的储存密度。此外，其他内存厂商也都不断开发新技术以取代传统浮动闸极（floating gate）结构之NAND Flash，藉此解决该技术容量极限难以突破的问题 |
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都是價格考量拉～ (2007.06.28)
都是價格考量拉～ |
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2009年笔记本电脑的SSD使用率将达到12％ (2007.06.27)
固态硬盘（solid state drive；SSD）前景看好，因此各市调机构纷纷提出该市场的未来预测。iSuppli便指出，SSD占有率到2009年底将达到12％。而预计同时使用硬盘和闪存的混合型硬盘占有率将达到35％ |
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东芝发表三维数组NAND闪存 (2007.06.14)
东芝发表了新一代的NAND闪存技术。据了解，东芝成功研发了不必依赖微细化而能增大NAND闪存容量的储存单元排列技术。在栅极电极膜和绝缘膜交互层迭的结构上，打入贯通上层到下层的小孔，在柱状空隙中填入含杂质的硅 |
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东芝率先推出采用SSD硬盘之笔记本电脑 (2007.06.11)
东芝率先使用SSD固态硬盘于笔记本电脑上。据了解，东芝于今年6月5日发表的笔记本计算机Dynabook SS RX1，其八款型号中已有三款配备了使用NAND闪存的固态硬盘（solid state drive；SSD） |
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SSD将是NAND闪存未来最大应用领域 (2007.05.22)
美光科技（Micron Technology）在Flash Memory Technology Direction研讨会上表示，SSD将决定NAND Flash的未来。美光Memory Products Group首席应用工程师Jim Cooke在演讲时指出，闪存在性能、可靠性、耐久性、耗电、尺寸、重量、耐冲击性、温度等方面均胜过硬盘，缺点在于容量和单位容量的成本较高 |
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2009年将有半数NB采用NAND Flash储存数据 (2007.05.04)
根据一份由iSuppli所调查的最新研究报告指出，到了2009年第四季，超过一半的笔记本电脑将会内建NAND闪存作为数据储存接口，而这也位NAND闪存的市场发展前景注入一剂强心针 |
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SanDisk 与奇梦达共同开发行动储存解决方案 (2007.04.27)
SanDisk与奇梦达达成协议，将运用SanDisk的NAND闪存与控制芯片，以及Qimonda的低功耗行动DRAM，联合开发与制造多重芯片（Multichip；MCP）。这项合作是针对手机市场对于高容量、高度密集数据处理迅速成长的需求所设计 |
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2006年手机闪存排名Spansion市场第一 (2007.04.09)
美国iSuppli调查公司公布了2006年手机闪存储存装置的市占率排名。Spansion超过2005年第一名的Intel，位居2006年榜首，比2005年成长4.1％，市占率为29.9％。Spansion的手机用NOR闪存销售额比2005年成长35％，达到18亿美元，成长速度比起市场整体成长速度16.4％还要快上两倍 |
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三星新款NAND内存具备更高灵活性 (2007.04.03)
南韩三星电子（Samsung Electronics）将于本月起推出新款的NAND闪存Flex-OneNAND。该款闪存的特点在于设备厂商可根据应用的不同，自行设定成本与性能的平衡点。
在该款NAND闪存的记忆单元中，2bit/单元的多值单元（Multi-Level Cell；MLC）与1bit/单元的SLC的比率可自由设定 |
