 |
美光NAND闪存产品前进3G市场 (2007.03.26)
美光科技（Micron Technology）将把NAND闪存业务推向手机市场。该公司将把控制器电路设计于NAND闪存芯片珠，以及制定与设备端LSI间的接口标准。美光此举是希望能使产品厂商省去在设备端LSI中配备控制器电路的麻烦，以提供终端产品厂商更高便利性 |
|
Intel的Turbo Memory技术将在新迅驰平台上现踪 (2007.03.26)
透过日前在德国所举行的汉诺威计算机展（CeBIT），Intel已经将Robson技术，正式更名为Turbo Memory技术，下一世代迅驰平台Santa Rosa主板中，也都将预留Turbo Memory专用插槽。而Intel初期将推出的512MB及1GB Turbo Memory技术NAND加速模块，也已经由鸿海为其开模试产成功，下半年将配合Santa Rosa平台共同出货 |
|
三星发表8GB之moviNAND闪存 (2007.03.21)
南韩三星电子发表了可将NAND Flash与MMC控制器一起封装在同一芯片中的技术，并推出高达8GB的moviNAND产品，其访问速度为原来4GB规格的两倍，并采用50nm制程的16Gbit NAND Flash。主要应用领域将是具备音乐播放功能的手机和车用GPS等导航系统 |
|
旺宏正式启动NAND闪存开发计划 (2007.02.01)
旺宏将正式启动NAND闪存的开发计划，以SONOS技术为基础，预期四年后完成，届时以45奈米制程技术投入量产，初期生产16GB与32GB的产品，今年并有意寻求策略合作伙伴。
旺宏今年资本支出预计为30亿元至35亿元 |
|
奇梦达将暂停生产NAND Flash (2006.12.18)
在NAND型闪存（Flash）市场上，先前已有瑞萨（Renesas）选择暂时退出此一市场，而德国内存大厂奇梦达（Qimonda）近期也正式表示，待现有库存出清至本季为止，将暂时不再生产NAND型Flash产品，等到往后推出自行开发且跟得上市场的NAND型Flash产品技术后，奇梦达将再视市场状态重回到NAND型Flash领域 |
|
爱德万看好明年DRAM晶圆侦测市场 (2006.11.02)
有鉴于明年台湾有数座十二吋DRAM厂陆续投产，加上VISTA效应，全球最大的内存测试设备厂爱德万认为，假设DRAM报价不要一直好过头，加上NAND Flash厂毛利率不要衰退的太离谱，市场能维持现有的恐怖平衡，则明年DRAM市况应该是不错的 |
|
SanDisk与Toshiba合作推出2GB容量储存卡 (2006.08.09)
自从三星电子（Samsung Electronics）开始量产60奈米制程的8GB MLC NAND闪存储存芯片之后，储存卡大厂们纷纷将各自MicroSD储存卡的容量提高到1GB。不过SanDisk在Toshiba的支持下，最近推出储存容量为2GB的储存卡产品 |
|
等待三星降价 NAND Flash买气低靡 (2006.06.22)
包括三星、东芝等全球前二大NAND芯片供货商均认为，第三季后NAND将出现供不应求的旺季市况，不过若由六月以来NAND价格走势及市场供需情况来看，国内模块厂及通路商似乎没有嗅到NAND即将缺货味道，其中三星及Hynix间的价差扩大，也让许多买家期待三星进一步的降价动作，造成买气持续低靡 |
|
SanDisk将于中国兴建首座封测厂 (2006.06.19)
SanDisk近期投资动作频传，除与日本东芝宣布将携手建立第二座NAND闪存十二吋晶圆厂外，在中国兴建自家首座芯片封装测试及记忆卡组装厂的计划，也终于在近日拍板定案 |
|
NAND闪存 下半年进入旺季 (2006.05.18)
NAND闪存报价第一季持续下跌，除了东芝（Toshiba）营收与市占率逆势成长外，全球NAND闪存主要供货商第一季营收与市占率同步衰退，而龙头厂三星NAND闪存市占率，则首度跌至50％以下 |
|
三星：硬盘时代将逐渐走向终点 (2005.09.20)
三星半导体部门执行长黄昌圭日前表示，硬盘的时代正在逐渐结束，快闪时代即将来临。三星日前推出一款16GB的NAND闪存芯片，使用的是50奈米技术。
黄昌圭表示，NAND快闪技术正在以每年增加一倍容量的速度迅速发展 |
|
苹果NAND芯片下单三星 (2005.09.15)
根据报导，原本在数字音乐市场与苹果计算机势不两立的南韩三星电子，拜苹果iPod系列在市场热卖之赐，反而帮助三星在NAND闪存市场的领导地位更加巩固。
继苹果计算机上周推出最新款超薄iPod nano后，三星证实已经接获苹果订单，负责供应该音乐播放器的NAND快闪记忆芯片 |
|
NAND内存第二季市占率达55％ (2005.08.15)
根据iSuppli所公布的第二季全球NAND及NOR两种闪存的市场排名状况，在NAND芯片供货商大幅扩产，但NOR芯片厂商进行库存去化的情况下，NAND芯片占整个闪存市场比重已达55％。三星及东芝还是占了NAND芯片市场近八成占有率；NOR市场则由英特尔、超威富士通（Spansion）独大，两者共取得过半占有率 |
|
全球Flash内存市场NAND型抢占55% (2005.08.14)
根据工商时报消息，市场调查机构iSuppli公布第二季全球NAND及NOR闪存排名，在NAND芯片供货商大幅扩产，但NOR芯片厂商进行库存去化的情况下，NAND芯片占整个闪存市场比重已达55％ |
|
NAND闪存市场需求降温 (2005.07.01)
自从苹果计算机推出的iPOD系列MP3播放器产品去年底全球热销后，就吸引众家模块厂或通路商抢入争取商机，当然随着市场胃纳量进入饱和期，五月后MP3播放器市场已传出库存水位节节攀高消息 |
 |
大陆储存芯片市场发展趋势分析 (2003.12.05)
随着Flash在通讯、消费性、PC领域的普遍应用，未来Flash必将成?发展最快、最有市场潜力的储存芯片产品，PC及移动电话产业的发展状况就决定了储存芯片的发展前景。本文将从PC与手机应用需求的角度，探讨大陆Flash的市场发展趋势 |
|
NAND型Flash市场今年成长高达38％ (2003.09.15)
根据网站SBN引述市调研究机构Gartner Dataquest最新报告指出，尽管全球NAND型闪存在2002年及2003上半年价格呈现下跌趋势，然而并未因此影响全球NAND型闪存市场规模在2003年冲出相当亮丽的成绩 |
|
Gartner：2003年全球闪存市场成长38% (2003.09.14)
由市场研究机构 Gartner提出的最新研究报告预估，全球闪存市场在2003年将达27.5亿美元，较2002年的19.9亿美元成长38%，而其中NAND闪存芯片组件价格则呈现下滑。
Gartner半导体群产业分析师Joseph Unsworth指出，2002年与2003年上半年因为NAND组件价格下跌，使闪存在主流市场中更为普及，因为越来越多消费者已能接受这样的成本与效能 |
|
Hynix与ST合作 共同开发NAND之Flash产品 (2003.05.02)
不受欧美市场制裁影响，韩国DRAM厂Hynix与意法半导体（ST）合作，共同宣布携手投入NAND快闪记忆体市场。根据协议，Hynix与ST将共同开发全系列NAND产品，预计2003年下半年推出512MB的产品，并由双方共同销售产品 |
|
以提供高整合度半导体储存技术为职志 (2003.03.05)
从1989年首度提出Flash Disk概念就专注于快闪磁盘解决方案的M-System（艾蒙系统），耕耘闪存技术多年，近年来由于信息产品可携式的概念风行，同时具备高储存容量、体积小与重量轻的闪存技术，在可携式产品与可携式储存解决方案上相当受到市场欢迎，使得该公司在发展高整合度的半导体储存技术上更具信心 |
