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KLA-Tencor发表其第三代的磁性度量系统－MRW3 (2006.06.14)
KLA-Tencor发表其第三代的磁性度量系统－MRW3，可供应硬盘机(HDD)以及半导体内存市场。MRW3 是以领先市场的MRW200平台为架构，能够测量产品晶圆中HDD 读写头磁电阻式随机存取内存(MRAM) 的磁性质，以利生产控制并可尽早侦到对于良率有不利影响的制程问题 |
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德国Kontron推出7吋面板的4U工业级Workstation (2006.04.26)
德国Kontron推出一款采用7吋彩色面板并配备有多个扩充插槽的4U工业级Workstation-KWS-4070。这款KWS-4070产品，是针对机架式系统用户提供整合型低成本解决方案，及新的自动控制应用来开发 |
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电容式触控萤幕可携式设备手写输入技术 (2006.01.25)
对于成本敏感的消费性应用，尤其是使用小型触控萤幕的可携式设备，电阻式触控萤幕仍占主流地位。不过，目前触控萤幕的市场出现剧烈变化。在今后的两年中，内表面电容式感测技术可能侵蚀电阻式触控萤幕的市场，并且在今后5～10年中成为市场主流 |
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LED高效率电流驱动设计 (2006.01.25)
在过去几年，高亮度LED已经逐渐成为各种应用的照明来源选择，本文将介绍一个控制高亮度LED电流的简单电路，它包含一个标准型号的高度整合降压型切换式稳压器，可以精确控制LED的电流，是一个以125kHz固定频率运作的直流─直流转换器 |
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NI推出适用可携式系统的Boomer声频放大器芯片 (2005.01.13)
美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)宣布推出三款适用于可携式系统的Boomer声频放大器芯片。这三款芯片是可驱动陶瓷及压电喇叭的单芯片声频放大器。厂商只要采用这几款放大器芯片 |
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补偿PT100换能器正类比回馈元件之概述 (2004.02.05)
电阻式温度侦测器提供高精密、范围极大的温度区间，如搭配合适的资料处理设备即可纪录、处理及传输电气输出讯号。该篇文章将检讨常用温度感测器的基本特性，同时说明RTD PT100温度换能器，并讨论可以将这些元件输出线性化处理的简单类比方法 |
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为手机选择电源管理功能 (2003.11.05)
行动电话除需具备多样化功能，如何在不增加产品体积的前提下拥有更长的电池使用时间与更高效能，对于消费者来说亦是重要的议题，而电源管理IC在此时则扮演关键性的角色；本文将分析新一代行动电话在电源管理IC设计上的不同考量，以及相关技术的发展趋势 |
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找寻梦幻内存 (2003.11.05)
内存在最近这几年随着可携式产品的发展，有了许多不同的面貌与空间，在终端产品轻、薄、短、小的要求之下，半导体记忆技术自然脱颖而出，而具备非挥发的特性更是重点，因此本文将就未来内存型态可能的样貌进行探讨 |
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摩托罗拉推出MRAM芯片 (2003.10.29)
摩托罗拉公司于27日表示，该公司已经制造出 4 兆位的磁电阻式随机存取内存芯片。特定的客户目前正在评估这项先进芯片技术的样品。这项技术里程碑，进一步证实了 MRAM 有可能取代多种现有的内存技术的可行性 |
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摩托罗拉推出MRAM芯片 (2003.10.29)
摩托罗拉公司于27日表示，该公司已经制造出 4 兆位的磁电阻式随机存取内存芯片。特定的客户目前正在评估这项先进芯片技术的样品。这项技术里程碑，进一步证实了 MRAM 有可能取代多种现有的内存技术的可行性 |
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投入MARM研发三星表示已有重大技术突破 (2003.02.13)
据网站Silicon Strategies报导，在IBM、Cypress、Infineon、NEC及Motorola等业者相继投入人力物力，开发最新磁电阻式随机存取记忆体（MRAM）之后，南韩三星电子也宣布加入此一新型记忆体的研发行列，并表示该公司已在技术上获得重大突破 |
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IC内存的统合应用 (2002.06.12)
Motorola的半导体部门及其实验室日前联合发表了业界第一款1Mb MRAM(磁电阻式随机存取内存，magnetoresistive random access memory)通用内存芯片，这让以半导体IC来做系统整合的应用更方便了，也会加大各类消费性电子产品的功能使用 |
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摩托罗拉推出第一款兆位MRAM (2002.06.11)
摩托罗拉半导体事业部(SPS)和摩托罗拉实验室于本周在2002年科技与电路超大规模集成电路座谈会(2002 VLSI Symposia on Technology and Circuits)中，联合发表第一款兆位MRAM(磁电阻式随机存取内存，magnetoresistive random access memory)通用内存芯片 |
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芯片市场战况激烈 (2002.06.11)
美商超威(AMD)9日发表第一款采用0.13微米制程，运转频率为1.8Ghz的最新Athlon XP 2200+微处理器芯片。在此同时，摩托罗拉半导体事业部(SPS)和摩托罗拉实验室，近期在「科技与电路超大规模集成电路座谈会」中，联合发表第一款1Mb MRAM（磁电阻式随机存取内存）芯片，并预定明年推出样品，2004年量产 |
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工研院电子所与台积电携手合作 (2002.03.20)
工研院电子所及台湾集成电路制造公司20日共同宣布，双方于日前正式签订磁电阻式随机存取内存 (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) 合作发展计划。此计划将结合台积公司前段制程技术及电子所的后段制程技术的优势，除了可实时切入下一世代奈米电子的制程技术开发外，将有助于继续维持我国半导体产业技术的优势 |
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DATEL推出二款12位数字控制式电流负载 (2001.11.14)
DATEL的代理商－合讯科技日前表示，DATEL所推出的DTL3A和DTL4A是两款新的12位高分辨率，完全隔离，高负载功率，小体积的数字控制式电流负载。每一位可以控制500uA和 2.5mA的负载电流变化；其控制输入端和负载输出端之间使用光偶合器隔离 |
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突破光电研发新触控式面版 (2000.10.31)
突破光电于2000年4月正式成立，资本额2亿元，配合扩厂需求，预计年底将增至4亿元。在特殊规格的产品上，目前具备72小时内完成产品图、10天样本出炉、3个星期内进入大量生产的实力，原较业界一般交期长达三个月大幅超前; 至于技术方面，4线式电阻式产品目前已开始量产，明年第一季将导入6线式产品 |
