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意法半导体电隔离栅极驱动器 控制并保护SiC、MOSGET、IGBT (2018.08.15)
意法半导体（STMicroelectronics）的STGAP2S单路隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，能让使用者选择独立的导通／关断输出或内部主动米勒钳位功能，其可使用於各种开关拓扑控制碳化矽（SiC）或矽MOSFET和IGBT功率电晶体 |
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英飞凌推出12寸晶圆的TRENCHSTOP 1200 V IGBT6分立元件 (2018.08.09)
英飞凌科技股份有限公司推出新一代1200 V IGBT产品TRENCHSTOP IGBT6，为首款以12寸晶圆生产的分立元件IGBT duopack。此全新 IGBT技术为满足客户日益提升的高效率与高功率密度需求所设计 |
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工研院携手强茂 前进电动车功率模组市场 (2018.06.28)
工研院与强茂公司今日签署合作合约，工研院与强茂宣示携手共同建立IGBT智慧功率模组试量产线，将生产工研院自行研发的IGBT智慧功率模组，该产品运作上可较传统产品降低40%热阻，同时降低晶片运作温度达20 |
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英飞凌1EDC Compact系列单通道闸极驱动器 符合UL 1577认证 (2018.05.31)
英飞凌科技股份有限公司推出EiceDRIVER 1EDC Compact 300 mil系列的单通道闸极驱动器 IC。本系列电气隔离驱动器可承受60秒的 VISO= 2500V(rms) 隔离电压测试，符合UL 1577 认证。
由於切换频率高达1,000kHz，不仅能驱动IGBT，也能整合至要求严苛的SiC MOSFET拓扑中 |
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英飞凌推出表面黏着 D2PAK 封装650V IGBT 提供最高功率密度 (2018.05.30)
英飞凌科技股份有限公司扩展TRENCHSTOP 5薄晶圆技术产品组合，推出IGBT与全额定电流 40 A 二极体共同封装於表面黏着 TO-263-3 外型 (也就是 D2PAK) ，最高达40 A的 650V IGBT。
全新的 TRENCHSTOP 5 IGBT 采用 D2PAK 封装，可满足自动化表面黏着组装的电源装置对於更高功率密度日益增加的需求 |
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贸泽供货STMicroelectronics ACEPACK IGBT模组 (2018.05.15)
贸泽电子即日起开始供应STMicroelectronics (ST)的ACEPACK IGBT模组。
Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模组属於专门针对工业应用所设计的最新塑胶功率模组系列，为3 kW至30 kW的工业和电源管理解决方案提供经济且高整合度的功率转换 |
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ROHM开发出业界顶级650V耐压IGBT RGTV/RGW系列 (2018.04.30)
半导体制造商ROHM新开发出兼具业界顶级低导通损耗※1和高速开关特性的650V耐压IGBT※2 “RGTV系列（同级短路承受※3能力版）”和“RGW系列（高速开关版）”，共计21种型号 |
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Infineon超软切换IGBT 飞轮二极体提供领先低损耗技术 (2018.04.17)
英飞凌关系企业Infineon Technologies Bipolar公司针对现今IGBT应用推出全新专用二极体系列产品：Infineon Prime Soft，具有改良的5 kA/μs软关断功能。Prime Soft 以单晶矽设计且广受好评的IGCT飞轮二极体做为技术基础，典型应用包括HVDC/FACT以及使用电压来源转换器的中电压马达 |
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东芝针对输出型光耦合器推出新封装选项SO6L(LF4) (2018.04.03)
东芝电子元件及储存装置株式会社宣布为扩大原输出型光耦合器阵容，即日起为SO6L系列推出全新封装类型；新封装SO6L(LF4)为宽引脚间距封装，SO6L(LF4)封装爬电距离为8mm，其符合产业规格标准 |
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英飞凌推出EconoDUAL 3 IGBT 模组 搭载整合式分流器 (2018.02.21)
英飞凌科技股份有限公司 将 EconoDUAL 3 模组整合度推升至更高境界：推出搭载整合分流器电阻的模组，可在交流路径进行电流监控。透过该产品，变频器制造商可降低成本、提升效能，并简化变频器的设计 |
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简化高电压、高电流变频器 (2017.11.02)
本文聚焦於 EV 变频器，探讨在降低成本的同时，提高系统效率及功能安全性的未来趋势。 |
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了解现代电磁炉的工作原理 (2017.10.18)
电磁锅是通过电磁感应在铁磁体锅具内部产生涡流，从而产生热量。 |
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电动车时代加速来临 (2017.09.05)
至2025年，新能源车占全球车市的比重将来到两成，这个数据看起来微小，但相较2016年不到3%的占比，已有相当大的成长幅度。 |
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英飞凌分离式IGBT推出TRENCHSTOP先进绝缘封装版本 (2017.05.18)
英飞凌分离式IGBT推出TRENCHSTOP先进绝缘封装版本
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出最新的TRENCHSTOP先进绝缘封装技术，包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 两种版本，拥有同级最佳的散热效能以及更简易的制程 |
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英飞凌新款IGBT模组以62 mm封装提供更高的功率密度 (2017.03.22)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)扩展旗下62 mm IGBT模组阵容。全新电源模组能在尺寸不变下，满足对更高功率密度日益增加的需求。业经验证的62 mm封装中采用较大的晶片区域及调整过的DCB基板，以实现更高的功率密度 |
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英飞凌闸极驱动 IC 1EDN提供低功耗和高稳定度 (2016.11.09)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出 1EDN EiceDRIVER 系列产品。该款 1 通道的低侧闸极驱动 IC 适用于驱动 MOSFET、IGBT 以及 GaN 等功率装置。其脚位输出与封装方式完全相容于业界标准，便于直接在现有设计中作替换 |
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英飞凌RC-E独立式IGBT可直接升级既有设计 (2016.10.24)
【德国慕尼黑讯】电磁炉设备通常运用谐振拓朴，实现电流双向流动，并且采用切换频率为18 kHz至40 kHz时可达到最佳效能，且损耗率低的独立IGBT。英飞凌科技（Infineon）推出全新独立IGBT系列产品，满足了上述需求 |
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芯科推新隔离闸极驱动器 为IGBT提供先进监测 (2016.09.12)
Silicon Labs(芯科科技) 近日推出ISOdriver产品系列之新型Si828x隔离闸极驱动器系列产品，其专为保护电源逆变器和马达驱动应用中敏感的绝缘闸双极电晶体(IGBT)而设计。 Si828x ISOdriver系列产品提供了工业隔离等级(5kVrms)和最佳的特性整合，包括选配式DC-DC转换器、业界最快速的去饱和检测、良好的时序特性以及卓越的杂讯和瞬变抑制能力 |
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Littelfuse将收购安森美半导体的精选产品组合 (2016.08.26)
Littelfuse(利特)宣布已经正式达成协议，将以$1亿400万的总价收购安森美半导体（ON Semiconductor）汽车点火应用的产品组合，包括瞬态电压抑制器（TVS）二极体、双向晶闸管及绝缘栅型双极电晶体（IGBT） |
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不仅功率元件 驱动IC将朝向高频化发展 (2016.08.03)
在功率设计领域中，驱动IC一向是相当重要的角色，它也广泛出现在许多应用市场，所以也让不少半导体业者趋之若鹜。然而，随着云端运算与物联网等应用概念的兴起，资料量的快速增加，使得资料中心与伺服器的需求快速成长，但毕竟机房的空间十分有限，若能提少功率密度或是减少系统体积，这是应用服务业者相当乐见的事情 |
硬件组装在一起，只是一堆相互无法联系的零件，零件要能相互联络、沟通与协调，才能构成整体的「系统」的基础，而BIOS便扮演这样的角色。
