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CTIMES / Ddr4
科技
典故
第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期,贝尔实验室开始一项研究计划,目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日,由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管,优点是体积更小、更可靠、且成本低廉,不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业,同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
TrendForce:Q3利基型DRAM价格预估持平 (2018.08.07)
据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新调查,DRAM原厂已陆续与客户谈定7月份利基型记忆体合约价,价格大致和6月相同。展??第三季,预期DDR4利基型记忆体报价水准将较接近主流标准型与伺服器记忆体,因原厂可透过封装打线型式的改变(bonding option)做产品别更换
宇瞻科技工业用记忆体拓展抗硫化应用 抢占边缘储存商机 (2018.05.15)
宇瞻科技(Apacer)开发全球首款抗硫化记忆体模组,陆续取得多国专利,以创新专业技术站稳全球,锁定工业应用情境日趋复杂、智慧应用装置多元化发展,与边缘运算终端装置崛起趋势
凌华科技新型无风扇电脑搭载第六代Intel Core处理器 (2016.06.14)
嵌入式电脑产品与智慧型应用平台供应商─凌华科技(ADLINK)针对旗下无风扇嵌入式电脑产品线推出全新超值型MVP-6000系列,结合价格、最适功能与效能,突破工业电脑的极限
宜鼎全新DDR4 Mini DIMM微型记忆体提供网通应用储存方案 (2016.05.06)
因应新世代的记忆体DDR4将逐步迈入市场主流规格,以及云端运算和大数​​据(Big Data)分析等进入大量采用阶段,工控记忆体模组厂商宜鼎国际(Innodisk),推出全新DDR4 Mini DIMM高效能微型记忆体,其具备符合通讯设备ATCA规范,0
创意电子宣布LPDDR4 IP进度 重申致力研发DDR3/4 DIMM应用 (2016.03.18)
弹性客制化 IC及混合讯号 IP 厂商创意电子(GUC)新增两款16奈米制程IP:LPDDR3/4 PHY/Controller IP,分别采用台积电(TSMC)16FF+及16FFC制程。此外,公司也重申努力投入持续成长的 DIMM 市场,计画在今年完成 DIMM 最佳化 DDR3/4 PHY/Controller IP 设计定案
宜鼎国际推出DDR4宽温记忆体模组系列 (2015.12.17)
工控记忆体模组厂商宜鼎国际推出DDR4宽温记忆体模组系列,支援Intel Skylake H/S/U及Broadwell平台,符合JEDEC规范,满足工控业界各种的需求,能比DDR3提高30%的性能及可靠度,并且降低20%的功耗
研扬推出新款网路安全系统FWS-7520 (2015.12.02)
研扬科技(AAEON)日前发表一款网路安全系统产品。随着网路日新月异,越来越重要,IoT的应用也越来越广泛,人们追求的不仅是快速的网路,更是安全无虞的网路设备。研扬最新研发网路安全系统—FWS-7520,搭载英特尔最新Xeon D-1500系列处理器
宜鼎国际发表工控应用DDR4易失存储器模块 (2015.03.19)
工控储存厂商宜鼎国际(Innodisk)发表全系列工控应用UDIMM/SODIMM/ECC 和UDIMM/SODIMM DDR4易失存储器模块(DRAM),符合JEDEC最新规范,满足工控业界各种需求,因应Intel即将于2015年中推出的工控应用主流主板Skylake,宜鼎国际全系列产品将协助客户轻松升级
Altera展示FPGA中的DDR4记忆体资料速率 (2014.12.25)
Altera公司宣布,在矽晶片中展示了DDR4记忆体介面,其运作高速率为2,666 Mbps。 Altera的Arria 10 FPGA和SoC是目前支援此速率DDR4记忆体的FPGA,记忆体性能比前一代FPGA提高了43%,比20 nm FPGA高出10%
为DDR4记忆体模组连接器选择合适材料 (2014.12.22)
在电子行业,绿色设计(Green Design)是现今业界主要的关注重点。除了降低能耗,业界对在连接器外壳中使用某些卤素作为阻燃剂的作法,也有越来越多的限制。支援下一代绿色设计的记忆体必需满足提高性能、增加功率密度、改进可靠性、降低功耗并避免使用有害物质等诸多要求
行动DRAM瞬息万变 LPDDR2被谁后来居上? (2011.04.01)
智能型手机和媒体平板装置大量传输数据的应用趋势,正改变行动DRAM内存的发展样貌,LPDDR2的出货量很有机会在今年底前取代LPDDR1,成为行动DRAM的主流内存规格。但其他新兴技术急起直追的态势,也值得密切注意

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