 |
英飞凌推出高效能 TVS 二极管 (2013.06.15)
英飞凌科技股份有限公司推出全新瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管系列，保护天线及前端装置免于受到瞬态电压的影响。全新 ESD101x 和 ESD103x 二极管可吸收危险的静电放电 (ESD)，防止天线系统遭受损坏，同时维持讯号的完整性 |
|
英飞凌与爱特梅尔就专利诉讼达成和解 (2013.06.15)
德国英飞凌今日宣布与爱特梅尔公司(Atmel Corporation)就专利侵权诉讼达成和解，双方同意撤回所有审理中的专利侵权案件。英飞凌与其子公司英飞凌科技(北美)公司于2011年4月向美国德拉瓦州地方法院递状控告爱特梅尔公司 |
|
英飞凌扩展电路保护产品组合 (2013.06.13)
英飞凌科技股份有限公司推出一系列瞬态电压抑制器 (TVS) 产品，为电子系统提供业界最佳的静电放电 (ESD) 保护。此 ESD102 TVS 二极管 (单线路及多线路数组) 拥有非常低的动态电阻 (Rdyn = 0 |
|
全新英飞凌 3D 影像传感器芯片系列 (2013.05.30)
英飞凌科技股份有限公司宣布推出一系列用于非触控手势辨识的 3D 影像传感器芯片。这些新芯片由英飞凌与德国 pmdtechnologies 公司合作开发，首次结合具数字转换的 3D 影像感测像素数组及控制功能，可用于设计体积非常精巧且准确的单眼系统，应用在计算机及消费性电子装置的手势辨识 |
|
英飞凌开始供应 EiceDRIVER SIL 和 EiceDRIVER Boost IGBT 驱动器 (2013.05.27)
英飞凌科技股份有限公司今日宣布推出新一代高电压 IGBT 闸极驱动器。全新推出的 EiceDRIVER SIL 和 EiceDRIVER Boost 驱动器系针对油电混合车和电动车 (HEV) 的主要变频器所设计，汽车系统供货商将能以更轻松且更符合成本效益的方式，设计遵循 ASIL C/D 功能安全规范 (ISO 26262) 的 HEV 传动子系统 |
|
英飞凌推出高效能低噪声放大器 (2013.05.27)
英飞凌科技推出适用全球导航卫星系统 (GNSS) 且具高成本效益的低噪声放大器 (LNA)，BGA825L6S 拥有极低的噪声指数、高线性度、高增益和低电流消耗，和从 3.6V 低至 1.5V供应电压范围极广的特性 |
|
英飞凌针对高达 300A 电流应用推出全新 TO 无接脚封装 (2013.05.21)
英飞凌科技股份有限公司宣布推出全新的 TO 无接脚封装产品，能减少封装电阻、大幅缩小尺寸，还能改善 EMI 特性。产品包含最新一代的 OptiMOS MOSFET，适用于具有高功率和稳定性需求的应用，像是堆高机、轻型电动车、电子保险丝 (eFuse)、负载点 (PoL) 和电信系统等 |
|
英飞凌于 PCIM 展展出 650V TRENCHSTOP 5 (2013.05.17)
英飞凌科技股份有限公司于德国纽伦堡举行的 PCIM Europe 2013 展会期间展出 650V TRENCHSTOP 5。自 2012 年秋季推出这款新一代薄晶圆绝缘闸双极性晶体管 (IGBT) 后，TRENCHSTOP 5 就获得了广大的市场瞩目，被视为改变游戏规则的技术 |
|
英飞凌针对高达 300A 电流应用推出全新 TO 无铅封装 (2013.05.17)
英飞凌科技股份有限公司宣布推出全新的 TO 无铅封装产品，能减少封装电阻、大幅缩小尺寸，还能改善 EMI 特性。产品包含最新一代的 OptiMOS MOSFET，适用于具有高功率和稳定性需求的应用，像是堆高机、轻型电动车、电子保险丝 (eFuse)、负载点 (PoL) 和电信系统等 |
|
英飞凌推出通过汽车级认证的 EconoDUAL 3 功率模块 (2013.05.16)
英飞凌科技股份有限公司于德国纽伦堡举行的 PCIM Europe 2013 (2013 年 5月 14 至 16 日) 展会上，推出完全符合汽车级标准的全新 EconoDUAL 3 IGBT 模块。新产品能满足商业用、营建及农用车辆等高要求应用，对于这些应用而言，提高可靠性是关键所在 |
|
英飞凌 EiceDRIVER 家族新增 Compact 系列产品 (2013.05.14)
英飞凌科技股份有限公司于今日于德国纽伦堡举办之 2013 年 PCIM 展览中，展出全新的 2EDL EiceDRIVER Compact 半桥式闸极驱动器，适用于阻断电压 600 伏特的应用。本系列产品配备非常快速的靴带式二极管及电阻器 |
|
英飞凌推出TO 247-4针脚封装 CoolMOS MOSFET (2013.05.13)
英飞凌科技股份有限公司今日推出 TO 247-4 针脚封装的CoolMOSTM MOSFET。新增的第四针脚系做为 Kelvin 源极，能有效减少功率 MOSFET 源极接合线的寄生电感，这可使各种硬式切换拓朴 (例如连续导通模式功率因子控制器 (CCM PFC)、升压与双晶体管顺向式 (TTF))，达到最佳效率 |
|
英飞凌推出 CoolMOS C7 (2013.05.09)
英飞凌科技股份有限公司 推出 CoolMOS C7，扩充其高电压产品组合，推出全新 650V 超接面 MOSFET 技术。新款 C7 产品系列可为所有标准封装提供同级最佳 RDS(on)，此系列的低切换损耗也提高了全负载时的效率 |
|
英飞凌推出TLE496x 霍尔传感器系列 (2013.05.05)
英飞凌科技股份有限公司针对汽车及工业应用推出满足其对最高精度、最低功耗和最省空间需求的霍尔传感器。全新的 TLE496x 传感器以英飞凌开发的全新 0.35μm 制程技术为基础，采用目前全球霍尔传感器中体积最精巧的封装 (SOT23) |
|
英飞凌推出TLE496x 霍尔传感器系列 (2013.05.03)
英飞凌科技股份有限公司针对汽车及工业应用推出满足其对最高精度、最低功耗和最省空间需求的霍尔传感器。全新的 TLE496x 传感器以英飞凌开发的全新 0.35μm 制程技术为基础，采用目前全球霍尔传感器中体积最精巧的封装 (SOT23) |
|
英飞凌与格罗方德共同开发 40nm嵌入式Flash制程 (2013.04.30)
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣布共同开发并合作生产 40 奈米 (nm) 嵌入式闪存 (eFlash) 制程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 芯片设计为基础的技术开发，以及采用 40nm 制程的车用微控制器及安全芯片的制造 |
|
英飞凌推出适用于毫米波无线网络回传的 SiGe 收发器系列 (2013.04.18)
英飞凌科技股份有限公司推出单芯片高整合收发器系列，藉由取代了逾10个分离式组件，可简化系统设计及生产流程。新款单芯片高整合度收发器低功耗的特性，有助于降低高数据传输速率毫米波无线网络回传通讯系统的固定成本，适用于数据传输速率超过每秒 1 GB (Gbps)，用于 LTE/4G 基地台及核心网络之间的无线数据链路 |
|
英飞凌与阳光电源强化再生能源领域合作关系 (2013.04.12)
英飞凌科技（亚太）有限公司与中国阳光电源股份有限公司今日共同在安徽省合肥市签署策略合作备忘录，强化双方在再生能源领域的技术合作关系，为再生能源逆变器的关键技术供应链开启了新的时代 |
|
英飞凌推出 DrBlade：采用创新芯片嵌入式封装技术的新一代 DrMOS (2013.04.09)
英飞凌科技股份有限公司今日在 2013 应用电力电子研讨会暨展览会 (APEC) 中宣布推出 DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的整合式 DC/DC 驱动器及 MOSFET VR 功率级(power stage) |
|
英飞凌推出 650V Rapid 1 与 Rapid 2 系列进攻高压超快速硅二极管市场 (2013.04.08)
英飞凌科技股份有限公司今日推出高效率、快速回复的 650V Rapid 1 与 Rapid 2 硅二极管系列。Rapid 二极管结合英飞凌在超薄晶圆制造、低耗损垂直结构的专业知识，加上独特的组件设计，效能表现卓著 |
