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CTIMES / 动态随机存取内存
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简介几个重要的Bus规格标准

总的来说,一系列与时俱进的Bus规格标准,便是不断提升在计算机主机与接口设备之间,数据传输速度、容量与质量的应用过程。下面我们就简介几个重要的总线应用规格标准。
DRAM业者将迈入12吋晶圆时代 (2003.08.07)
市场研究机构Strategic Marketing Associates(SMA)公布最新分析报告指出,全球DRAM市场已全面进入12吋晶圆时代,各大DRAM业者皆兴建12吋新厂,而目前全球10大DRAM厂商中,仅美光(Micron)与华邦电尚未宣布12吋厂兴建计划
景气回暖 台湾DRAM厂下半年可转亏为盈 (2003.08.05)
Digitimes报导,全球DRAM景气近来虽已逐渐回升,但DRAM厂2003上半年亏损情况却仍然严重,国内华邦、南科、茂德、力晶等四家DRAM业者上半年亏损金额总计达新台币79.56亿元,其中又以力晶亏损最剧
茂硅将转型为闪存供货商 (2003.07.21)
据工商时报报导, 茂硅于日前公布今年第一季季报,并同时宣布转型计划。茂硅副总经理张东隆表示,茂硅今年下半年将会积极布局闪存市场,并自明年起以成为闪存主要供货商为营运重心
DRAM市场竞争激烈 业界看好三星表现 (2003.07.19)
根据Semico Research 2003上半年全球DRAM市场最新报告,三星(Samsung)、美光(Micron)、英飞凌(Infineon)仍为全球前3大DRAM业者,值得注意的是,正当三星市占率向下滑落,美光、英飞凌却呈现攀升,且英飞凌正逐渐拉近和美光之间的差距
终端需求显现 DRAM价格将维持缓步上扬 (2003.07.17)
据工商时报报导,中国大陆将调降芯片内销加值税的政策,不但有利台湾芯片进军大陆市场,包括南亚科、力晶等对大陆销售DRAM较多的晶圆厂亦可望受惠,而日本瑞萨(Renesas)也表示将持续扩大对力晶、旺宏之委外代工业务;在以上利多消息带动下,近来DRAM业者股价表现亮眼
茂德六月营收表现亮眼 (2003.07.11)
茂德科技六月营收为十七亿二千九百万元,较去年同期成长35.7%,亦较上月成长13%。主要因为六月份出货大部分为DDR 400,而此部分产品的销货中有一小部份可以用DDR 400规格来销售,并享有较DDR 333高的溢价,因此对该公司六月份营收成长有相当程度的贡献
韩国已将Hynix遭课征高额关税一案提交WTO仲裁 (2003.07.04)
据路透社报导,韩国外交通商部日前已针对美国将向Hynix课征高额惩罚性关税一事,向世界贸易组织(WTO)诉请仲裁;外交通商部在声明中表示,该国已根据向WTO诉请贸易仲裁的规定,向美国递交进行双边磋商会议的信函
联电与迅慧共同完成90奈米SRAM原型开发 (2003.07.03)
晶圆大厂联电转投资的IC设计业者迅慧科技(HBA),日前宣布已与联电共同完成90奈米高速静态随机存取内存(SRAM)之原型芯片,预计今年下半年可进行量产,联电企图以此产品提升在电信通讯市场的接单能力与市占率
茂德拟寻求合作伙伴共建第二座12吋厂 (2003.07.01)
据路透社报导,国内DRAM业者茂德科技日前表示,该公司正计划拟寻求合作伙伴共同出资兴建第二座12吋晶圆厂,希望新厂最快将可在2005下半年量产。 该报导指出,茂德营业处处长林育中表示
三星加码投资12吋晶圆生产线 (2003.06.27)
外电报导,三星电子计划在2003年底~2004年投资3兆~4兆韩元(约24~32亿美元),以增设Fab12与Fab13的12吋晶圆生产线。三星预计到2004年中旬,该公司12吋晶圆月产能可达4万片以上,分别为英飞凌(Infineon)、台积电、联电与尔必达(Elpida)等半导体大厂的2~5倍
力晶第二座12吋晶圆厂将在今年动工 (2003.06.26)
据路透社报导,国内DRAM大厂力晶日前表示,该公司第二座12吋晶圆厂将在今年动工,预计最快可在2005年上半完工并开始量产。但力晶副总经理谭仲民亦表示,力晶第二座12吋晶圆厂计画仍有适度弹性,若半导体景气恢复不如预期,该厂设备装机的时成亦有可能延后
三星将追加旗下半导体厂设备投资 (2003.06.26)
据韩国经济新闻报导,三星电子计画追加投资旗下半导体与光电厂之设备投资金额,其中包括生产记忆体之华城厂Fab12与天安厂第五代TFT LCD生产线Line6。 三星电子2003年设备投资总预算为6.78兆韩元,其中包括半导体事业5.77兆韩元、通讯事业3200亿韩元、数位媒体800亿韩元;而此次追加投资金额亦包含在总投资预算之中
科统科技量产FIFO暂存记忆体 (2003.06.24)
科统科技成功量产一系列影像FIFO (First In First Out) 暂存记忆体,记忆容量支援4 Mbits 及2 Mbits, 速度为25ns。本系列产品采用先进的制程,缔造目前业界最具成本优势的FIFO memory,领先竞争者同类型的产品两个世代
美方高额关税判决确定Hynix将面临沉重压力 (2003.06.19)
美国已经决定对Hynix半导体征收44.71%的进口关税,以对韩国政府不当金援造成的市场不公平现象做出惩罚;DRAM业者指出,目前虽仅有美国做出宣判,但其余像欧盟、亚太地区DRAM业者也将陆续做出判决,Hynix未来要在市场中生存倍加困难
因应市场变化三星积极拓展非记忆体产品线 (2003.06.19)
据韩国经济新闻引述业界人士消息表示,一向以DRAM为事业主力的三星电子,最近正重新整置记忆体的产品线,并积极拓展MPU、LDI等显示器驱动IC(DDI)、智慧卡IC等非记忆体产品事业
虹光精密使用Tensilica Xtensa处理器 (2003.06.18)
Tensilica公司,18日宣布虹光精密已经成功地将XtensaR可配置式处理器设计到一台办公室影像产品中,该产品预计在今年下半年进入量产。 「我们之所以选择Tensilica的Xtensa处理器,是因为我们喜欢它的速度,低功率,以及现成的发展工具
国内DRAM测试产能恐将持续供不应求 (2003.06.17)
据工商时报报导,国内DRAM测试市场恐将出现供不应求的现象,其主因是DRAM业者力晶、茂德与南亚科技等,将陆续在第三季开出12吋与8吋厂新产能,但DRAM价格一直陷于低档,业者仍未摆脱亏损状况,下游测试厂也将因代工价无法顺利调涨,而无力扩充DRAM测试产能
三星电子表现突出半导体新成长论为主要推动力 (2003.06.17)
全球半导体业者中少数能在2002年的景气衰退期中仍能屹立不摇、甚至逆势成长者,三星电子可说是其中表现突出的成功案例;据日经产业新闻分析,三星电子半导体事业能够获致成功,除了巨额的投资金额之外,该公司的商品战略及独创的半导体新成长论更是其成长的主要动力
南韩政府计画将Hynix一案提交WTO裁决 (2003.06.16)
南韩政府日前表示,除非欧美撤回对韩国记忆体业者Hynix课征惩罚性关税的决定,南韩计画将与美国及欧洲政府主管单位之间,对该国是否不当补助Hynix的争执,提交至世界贸易组织(WTO)进行仲裁
AMD获三星颁发2002年「最佳供应商」奖 (2003.06.16)
日前宣布获三星电子(Samsung Electronics)评选为2002 年「最佳供应商」。 AMD 一直是三星电子的快闪记忆 体产品供应商,而「最佳供应商」奖是三星电子颁予供应商的最高荣誉

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