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NOR Flash成长驱动力分析 (2004.02.05)
NOR Flash为目前闪存的主流产品，在整体的Flash市场上占有极高的占有率。促成NOR Flash市场成长动力的主要来源为手机、PDA等，本文将以NOR Flash的应用方向作一全面的分析与展望 |
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Hynix宣布开始量产NAND型闪存 (2004.02.04)
路透社报导，韩国内存大厂Hynix日前表示，由于手机与数字相机市场对内存需求庞大，该公司将从2月起开始量产闪存（Flash）；Hynix是在2003年初时与意法半导体进行闪存芯片开发与生产的合作 |
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Microchip推出新型串行式EEPROM产品 (2004.01.14)
微控制器与模拟组件半导体厂商Microchip Technology宣布推出新型串行式EEPROM产品，提供设计人员在低电流运作模式下能有快速的工作速度及较短的写入时间，以帮助用户更快且更有效地撷取大量数据 |
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快闪碟厂商结盟 推广携带型存储装置 (2003.12.09)
数家厂商共组产业组织以推广一种能够小到能够挂在钥匙链上的携带型数据存储设备。这个称为USB快闪碟联盟（USB Flash Drive Alliance）的产业组织由Lexar Media、三星半导体以及其他几家厂商共同成立 |
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大陆储存芯片市场发展趋势分析 (2003.12.05)
随着Flash在通讯、消费性、PC领域的普遍应用，未来Flash必将成?发展最快、最有市场潜力的储存芯片产品，PC及移动电话产业的发展状况就决定了储存芯片的发展前景。本文将从PC与手机应用需求的角度，探讨大陆Flash的市场发展趋势 |
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Toshiba与San Disk将合资兴建12吋晶圆厂 (2003.12.04)
据经济日报报导，日本半导体大厂东芝（Toshiba）3日宣布将与美商新帝（San Disk）合资兴建12吋晶圆厂，以扩大数据存取型闪存（Data Flash）产能，而瑞萨（Renesas）、尔必达（Elpida）及富士通等IDM大厂，2004年也将调高资本支出，后段封测订单则将扩大委外，交予京元电、力成等业者 |
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年底需求旺 闪存合约价持续上扬 (2003.12.02)
据南韩中央日报报导，MP3、随身碟、数字相机等产品因年底旺季而需求大增，关键零组件闪存价格亦因供不应求而持续上扬，512M NAND型闪存合约价已从第二季的10美元上升至第四季的13美元 |
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市调机构预期Flash产值5年内超越DRAM (2003.12.01)
据经济日报报导，由于内存业者南韩三星、海力士（Hynix）、力晶等2004年将大举调拨产能在数据存取型闪存（Data Flash），大幅减少DRAM供给，预计该缺口将逾5％，而市调机构预期，未来五年Data Flash的复合成长率将超越DRAM，产值达150亿美元规模 |
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谁是Flash龙头? 三星与英特尔分庭抗礼 (2003.11.25)
市调机构iSuppli公布2003年第三季全球闪存（Flash）供货商排名，南韩三星（Samsung）取代英特尔（Intel）成为全球最大供货商；但随后另一市调机构Semico Research公布相同的调查却显示，英特尔仍是最大Flash业者；对此Semico认为，NAND及NOR闪存不应加总计算，英特尔及三星分别应该是NOR及NAND型闪存最大供货商 |
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三星集中资源生产Flash以确保龙头地位 (2003.11.22)
电子时报消息，因消费性电子产品及其外围设备对于NAND型Flash需求量只增未减，全球第一大NAND型Flash供货商三星，为持续保有市场占率、掌握庞大商机，并拉开与竞争对手的距离，已将其晶圆厂生产线大幅度由DRAM转做生产NAND型Flash |
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Renesas将委托力晶代工生产闪存 (2003.11.19)
日本半导体大厂日立与三菱合资之瑞萨半导体（Renesas）日前宣布将应用于数字相机和移动电话的1Gb闪存芯片，委托台湾力晶半导体代工，以提高产量；瑞萨表示，力晶将于2004年4～9月开始量产高容量的AND型闪存 |
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旺宏未来Flash产品研发将以自有技术为主 (2003.10.28)
据Digitimes报导，由于目前全球Flash市场需求量不断向上突破，国内存储器业者旺宏未来在Flash研发上将着重在N-bit部份，原因在于Flash必须要拥有自有技术，该公司亦与Renesas签订Flash合作备忘录，双方将合作开发采用0.13微米制程DINOR规格128Mb的Flash，旺宏这部份则将全权主导制造机器设备及制程技术 |
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快闪记忆卡本季将再涨价20％至25％ (2003.10.22)
三星、东芝第四季起虽提高NAND闪存出货量，但二家大厂约七成NAND芯片产能仍被手机与数字相机大厂包下，现货市场中芯片缺货问题仍然严重，不过因终端市场需求不减反增，业界人士预估第四季快闪记忆卡价格仍将上涨20％至25％，256MB快闪记忆卡平均价格将高于80美元 |
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普诚国际更名为正达国际 (2003.10.15)
代理专业的快闪记忆装置〈Flash Memory〉商－普诚国际，宣布将改名为正达国际股份有限公司，而大陆地区则以上海宏衢为名进军市场。该公司经营代理市场多年，经营绩效亮眼将于今年申请股票公开发行，明年底申请上柜，预计2005年初挂牌上市，决定于今年10月1日起正式改为正达 |
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东芝计划增加资本支出以提升Flash与传感器产能 (2003.10.14)
据日本产经新闻报导，为迎合目前消费性电子市场包括数字相机、可照相手机等产品对内存之需求，东芝计划追加设备以提升NAND型闪存（Flash）及CMOS影像传感器的产能。
该报导指出，东芝预定将2003年度半导体设备投资预算自1180亿日圆增加到1300亿日圆，追加投资额幅度约为10％ |
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Flash缺货 三星等厂转拨DRAM产能抢单 (2003.10.08)
10月以来DRAM价格因市场需求未见增温而下跌，但NAND规格闪存却因缺货价格飙涨，包括三星、Hynix、美光、英飞凌等DRAM大厂，均提高闪存产能。此一动作也削减了DRAM产能，市调机构iSuppli预估，今年全球DRAM位年成长率（bit growth）只会达41％，远低于过去七年平均60％以上的成长率 |
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M-Systems与JMTek达成协议 (2003.10.06)
USB快闪磁盘研发厂商M-Systems，对于2002年10月1日控告JMTek LLC侵权一案，两方达成和解。协议条款包括JMTek承认M-Systems在USB快闪磁盘结构TrueFFS技术与全球类似产品上享有专利 |
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内存大厂产能转向Flash DRAM现货价上扬 (2003.09.30)
据经济日报报导，因数据存取型闪存严重缺货，DRAM大厂三星、东芝新增12吋厂增加生产闪存，Hynix也有意跟进，使DRAM市场本周将出现小幅缺货，而南科、茂德及力晶三大业者都认为DRAM现货价本周将反弹 |
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NAND Flash业者调整供货策略 台湾模块厂利多 (2003.09.28)
据工商时报报导，NAND规格闪存（Flash）因快闪记忆卡热销且供货商新产能扩增不及，目前呈现严重供不应求情况，而全球最大NAND Flash供货商三星、东芝，已调整未来供货策略，即优先供应金士顿、创见等合约客户，减少释出至现货市场数量 |
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东芝计划增加NAND型Flash设备投资 (2003.09.22)
根据彭博信息（Bloomberg）报导，全球NAND型闪存（Flash）供货商之一，日本东芝于日前表示，因NAND型闪存需求在全球数字相机（DSC）及可照相手机市场带动下不断成长，因此该公司将考虑再加码投资生产设备以因应市场需求 |
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