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全球快闪记忆体市场销售萎缩出货成长 (2002.11.13)
据iSuppli发布的全球快闪记忆体（Flash）市场最新调查报告，2002年全球快闪记忆体销售额预计将较2001年萎缩4.5％，单位平均价格则较去年下跌23％，不过出货数量将较去年成长24％ |
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常忆开始量产供应二合一FWH/LPC快闪记忆体 (2002.11.13)
专业电子零组件代理商益登科技所代理的常忆科技（PMC Flash），日前宣布开始量产Pm49FL002和Pm49FL004，容量2Mbit和4Mbit的FWH/LPC（Firmware Hub/Low Pin Count）快闪记忆体产品，也是率先将这两种架构整合至单颗晶片的快闪元件 |
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为技术添加创意 将产品应用增值 (2002.11.05)
1995年成立于矽谷的常忆科技，专注于快闪记忆体（Flash Memory）的研发与销售，有鉴于以台湾为中心的亚太地区已成为全球资讯产品生产中心，为求接近客户与市场，该公司在1998年9月将总部迁至台湾 |
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飞利浦发表高整合晶片组 (2002.11.04)
皇家飞利浦电子集团4日发表新的高整合晶片组、光学检波器单元(OPU)、韧体和参考设计，将协助针对PC产业的光碟机制造商更快速且更经济地制造和供应市场最高速的DVD+R/RW烧录机 |
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AMD推出Am29BDD160快闪记忆体晶片 (2002.10.28)
美商超微半导体(AMD)宣布，推出型号为Am29BDD160的快闪记忆体晶片。这款16 Mb快闪晶片是专为经常面对严峻及酷热路面环境的车辆而设计，可以满足客户对效能及可靠性方面的严格要求，适合先进的汽车电子系统采用，其中包括动力传动管理、高阶引擎控制模组以及ABS反锁死煞车系统等 |
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需求不振 NOR型Flash持续跌价 (2002.10.25)
据外电报导，手机用NOR型快闪记忆体（Flash）合约价，近来出现大幅下跌情况；虽然厂商已在5～8月之间调整库存水位使价格止跌回稳，但近来仍因需求紧缩而再度跌价，且未来可能持续走跌 |
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东芝、SanDisk合作研发90奈米快闪记忆体 (2002.10.14)
据日本工业新闻报导，东芝、SanDisk将共同研发90奈米制程的NAND型快闪记忆体（Flash），企图藉由先进制程扩增快闪记忆体的产量，以提升竞争能力。
东芝及SanDisk是自1999年开始合作研发新制程技术，至今已共同开发出0 |
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三星成功试产2G Flash (2002.09.16)
据韩国经济新闻报导，三星电子宣布90奈米DRAM以0.10微米制程，试产2G NAND闪存量产成功，并且计划明年第三季将月产2万片12吋晶圆，专门生产NAND闪存。
NAND供货商主要三大家为三星、东芝与日立，根据iSuppli数据指出，去年Flash市场大幅衰退28.6％，平均售价下跌10％，预计今年将成长18％，可望从去年的76亿美元成长至今年的90亿美元 |
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慧荣购并芯片商SMI (2002.09.05)
随着移动电话、数字相机、PDA等可携式消费性电子产品等的普及，各种快闪记忆卡及其应用产品将成为市场主流。观看过去一年，市场成长近60%，未来5年产值可望达到倍数成长 |
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韩国Samsung闪存八月销售破一亿美元 (2002.09.04)
由于数字相机、摄录像机等产品的需求量增加，韩国Samsung（三星）电子投资700亿韩元（约5,824万美元）升级生产设备，带动该公司闪存事业部今年8月销售额首次突破1亿美元 |
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艾可与英飞凌合作开发闪存解决方案 (2002.08.10)
Actel艾可电讯与Infineon英飞凌科技日前宣布一项应用在0.13微米芯片制程的闪存现场可程序逻辑数组闸(FPGA)解决方案合作计划。藉由Actel以闪存为基础的ProASIC FPGA系列及Infineon的制程科技与专业制造技术，将可进一步扩展闪存FPGA技术，并且将其应用在目前及新兴ASIC替换市场，例如：智能卡、汽车工业、工业控制及行动通讯应用等 |
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AMD推出闪存－Am29BDS640G (2002.08.10)
美商超威半导体(AMD)日前宣布，该公司专为手持式设备及蜂巢式移动电话而开发的64Mb 闪存芯片已有量产供货。这款快闪芯片可支持极高的数据传输速度，非同类产品所能及，而且无论采用哪种作业模式，其耗电量都远比竞争产品少，例如其待机模式的耗电量便比竞争产品少95% |
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飞利浦推出I2C多路EEPROM新系列 (2002.08.05)
皇家飞利浦电子集团近日推出适用于I2C/SMBus应用的多路电可清除只读存取器系列。这套创新的半导体器件系列包括PCA9558、PCA9560和PCA9561，是笔记本电脑、服务器、电信和网络设备应用的理想之选，其中有许多都是在亚洲设计和生产的 |
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SmartMedia设计技术探微 (2002.08.05)
由于SmartMedia卡需要整合软硬体技术，因此成为应用FLASH储存数据的电子商品，在价格上比技术简单的DRAM、SRAM更加具有竞争力。本文详述其技术标准与设计架构，从中探讨该产品的市场利基 |
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Microchip推出高容量串行式EEPROM (2002.06.26)
Microchip Technology推出采用8针脚MSOP最小标准封装的128K-Bit与256Kk-Bit I2C串行式EEPROM。新产品与该公司24LCxx系列的设计类似，采用Microchip的先进PMOS Electrically Erasable Cell (PEEC)制程技术设计 |
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英特尔STRATAFLASH内存为明碁所采用 (2002.05.29)
英特尔日前表示，该公司的StrataFlash内存将为明基电通(BenQ Corp.)推出的新款GSM/GPRS移动电话所采用，这是首支采用英特尔StrataFlash技术的GSM/GPRS移动电话。英特尔StrataFlash 内存提供低成本、单芯片型解决方案 |
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ST推出DSP用的4Mbit快闪系统内存 (2002.05.20)
ST日前推出了第三代DSP系统内存产品－4Mbit的闪存DSM2150F5。新产品能为数字信号处理器提供系统内编程的系统级内存解决方案。这一系列产品规格不仅能支持亚德诺的ADSP-2153x DSP系列产品，同时能支持其他16及32位的DSP |
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AMD推出采用MirrorBitO架构的闪存芯片 (2002.05.16)
美商超威半导体 ( AMD )16日宣布该公司的第一款MirrorBit闪存芯片已进入样品供应阶段。这款64MB的闪存订于本季末交货。MirrorBit技术是一项技术上的突破，可让闪存储存比标准快闪多一倍的数据，但承受度、效能及可靠性则丝毫无损 |
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M-Systems 推出Mobile DiskOnChip支持高达64MB储存容量 (2002.04.24)
M-Systems日前推出高效能、超迷你的行动通讯/手持装置市场快闪储存方案－Mobile DiskOnChip支持高达64MB储存容量，以极小的体积提供行动通讯市场更大的储存容量及先进的数据保护功能 |
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ST推出高密度的64Mbit闪存 (2002.04.17)
ST日前发表全新的高密度标准闪存芯片－M28W640C，它的结构为4Mb x 16位，操作电压为3V。新组件采用0.15微米制程，适用于个人数字助理、数字相机、高解晰度电视与蜂巢式电话等消费性应用 |
IEEE的创立，是在于主导电子学的地位、促进电子学的创新，与提供会员实质上的协助。
