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英特尔推出新的快闪记忆体 (2000.10.17)
英特尔公司(Intel)日前推出新的快闪记忆体产品，以提高下一代网路行动电话与无线装置的效能。 Intel 1.8伏特无线快闪记忆体为目前市场上效能最高的快闪记忆体解决方案，主要功能的速度较现有的快闪记忆解决方案快四倍以上 |
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Rambus忙于讼诉案件的进行 (2000.09.13)
这个星期对Rambus而言是个多事之秋，因其有四个讼诉案在进行，其中两个分别是在德国对现代电子(Hyundai)及美光(Micron)的诉讼，根据Rambus的说法，此二诉讼案件预计在明年二月将会开庭受审；而另两个是在法国所采取的法律行动 |
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SST投资宇瞻10%股权 (2000.07.25)
SST（Silicon Storage Technology, Inc., Nasdaq: SSTI）Flash专业设计制造公司正式宣布投资宇瞻科技，取得宇瞻科技约10%股权，双方希望藉由策略联盟的方式携手大步前进IA市场。由于Flash适用范围极广，以现有全球产能难以满足市场所有需求，以致全球半导体制造厂商都面临Flash供不应求的难题 |
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吴敏求:旺宏将跻进全球前5大Flash制造商 (2000.07.19)
旺宏电子(MXIC)总经理吴敏求18日表示，闪存将在未来几年内快速成长，依迪讯(Dataquest)的统计，旺宏去年闪存的产出全球排名第12。旺宏总经理吴敏求则预估，未来5年内，待旺宏三厂产能全能量产后，旺宏将跻进全球前5大闪存的制造商 |
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半导体厂商积极抢攻Flash市场 (2000.07.14)
闪存(Flash Memory)市场成长潜力惊人，根据分析机构的预估，闪存全球产值在1998年为25亿美元，预估至今年有机会达到100亿美元，2年产值跃升3倍。国内半导体业者除了华邦、旺宏积极投入外 |
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AMD推出专为蜂巢式移动电话而设计的闪存芯片 (2000.06.23)
美商超威半导体(AMD)宣布推出两款最先进的闪存产品，分别为32MB的Am29BDS323及64MB的Am29BDS643，两者均采用AMD创新的同步读/写架构、高效能爆发模式接口以及超低电压技术。这两款产品可在40MHz至54MHz的频率之间进行作业，最适用于新一代的蜂巢式移动电话，尤其可支持各种新功能，其中包括上网功能、PDA、视讯数据分流传输以及MP3等功能 |
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英特尔宣布售出第10亿颗Flash晶片 (2000.05.26)
英特尔宣布售出第10亿颗闪存芯片，创下新的里程碑。英特尔于1988年推出第一套闪存产品，并立定目标发挥闪存在电源关闭时保存数据的特性，除了磁盘驱动器、磁带以及底片等储存媒体之外，轻巧、强固、可携式且低耗电的数据记忆功能 |
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立生冲刺EEPROM产能 (2000.05.25)
股票上柜在即的立生半导体，目前正全力冲刺自有晶圆厂中EEPROM(电子式可抹写内存0产能，预计在近期内应可取得制程技术上的突破，于下半年迅速将单月营收推升至3亿元以上 |
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2MB Flash货源短缺 (2000.05.21)
英特尔810晶片组在五月淡季发生大缺货，虽然810并非目前市场上最强势的产品，且对主机板厂商的出货影响有限，但主机板厂商却更加担心810缺货恐将对快闪记忆(Flash)的货源产生排挤效应，使得目前已处于缺货状态的2MB快闪记忆体货源更形短缺 |
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Flash产业的近况与展望 (2000.05.01)
参考资料： |
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旺宏接获16M Flash二百万颗订单 (2000.02.18)
旺宏总经理吴敏求宣布，接获第一批手机用16M闪存两百万颗订单，五月起将开始交货。虽然目前闪存订单量已爆增，但由于产能不足，将以逐月提升产能方式增产。由于闪存毛利已由负提升至正二成，预估平均产品毛利率将可望提升至五成的水平 |
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SIA预测今年半导体成长60%来自通讯设备芯片 (2000.02.09)
美国半导体协会(SIA)2月7日发表对今年全球半导体产业的预测指出，今、明两年该产业的营收均可成长二成，且今年的成长值中，有60%的成长来自于通讯设备的晶片需求所贡献 |
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MP3播放机关键元件与厂商 (2000.02.01)
参考资料： |
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MP3播放器市场与结构分析 (2000.02.01)
参考数据： |
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英特尔发表3伏特Intel StrataFlash 闪存 (1999.08.09)
英特尔公司发表3伏特Intel StrataFlash闪存，该产品采用先进的0.25微米制程与多阶微细胞技术，故能在单一高密度的128Mb芯片上兼具程序代码执行与数据储存能力。此支持Page Mode功能之NOR Flash快闪存储元件不仅提供最大的储存容量 |
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英特尔新型快闪记忆体9月供货 (1999.08.04)
英特尔昨(3)日发表新型快闪记忆体，具有很大的储存容量，并可进行高速读取，可应用在各种掌上型设备、智慧手机、网路设备、视讯转换器，以及其他上网硬体设备。
英特尔昨天发表3伏特的英特尔StrataFlash闪存，采用0.25微米制程与多阶微细胞技术，英特尔表示，此一产品可进行高速44奈秒的高效率读取，增加网络链接设备功能 |
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高密度闪存两三年内恐将缺货 (1999.08.03)
据外电报导指出，闪存市场在需求迅速成长下，超
微认为市场产值将由今年的29亿美元，至公元2003年增
加为90亿美元，短短四、五年间成长幅度超过三倍以上，
其中又以高密度闪存未来需求量成长最快 |
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