随着LED的性能持续提高，应用市场也随之扩大，隐藏在背后的原因是使用GaN、AllnGaP发光材料的高辉度LED，拥有长寿命、省电、耐震、低电压驱动等优秀的特色，并且近年来陆续被研发出来的高发光效率LED更是超越灯泡和卤素等，因此，面对未来相信高亮度LED的市场发展将会更为快速与广泛。

LED的封装除了保护内部LED芯片之外，还兼具LED芯片与外部电气连接、散热等功能。LED封装必需具备高强度、高绝缘性、高热传导性与高反射性，接合剂的包覆面积与LED芯片的面积几乎相同，因此无法期待水平方向的热扩散，只能寄望于垂直方向的高热传导性。一般认为未来若能提高热传导率低于氮化铝和氧化铝的反射率，对高功率LED的封装材料具有正面帮助。

因此新一代LED封装所使用的材料，也陆续被业者所开发出来，目前最新的封装材料大多都朝向利用硅来制作，对于这些材料的优劣特性，将会在此次的研讨会中，由Dow Corning Toray 新事业・电子材料事业本部研究开发第一部光关连材料Group Leader中田稔树先生，一一详尽分析。