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不断进化的电力电子设计：先进模拟工具 (2024.03.22)
电力电子设计领域正在快速演进，引领着高速、高效元件的新时代；而突破性的模拟工具，重新定义了工程师对电力系统进行概念化、设计及验证的方式。在虚拟原型设计中运用模拟工具，带来了设计流程的重大变革 |
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大联大友尚推出基於onsemi和GaN System产品之PD快充电源方案 (2022.09.20)
大联大控股宣布，其旗下友尚推出基於安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343产品以及氮化??系统公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶体管的PD快充电源方案。
以手机、电脑为代表的移动智能设备已经成为人们日常生活的重要工具 |
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大联大友尚推出基于onsemi和GaN System产品的65W PD电源方案 (2021.11.11)
现今移动设备充电功率不断提高，高功率充电器的小型化，便携化将成为未来发展的重要方向。而功率往往和充电器的体积相互影响，亦即输出功率越大，体积通常就越大 |
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赋能未来，勇往直前：SiC MOSFET问世10周年的思索 (2021.04.20)
在SiC MOSFET问世10周年之际，作者回顾科锐公司十年历史所经历的关键时刻，并认为未来的发展会比过去曾经历的增长还要巨大，也为下一步即将增长的产业曲线提出卓见。 |
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大功率射频晶体管面向工业和专业射频能量应用 (2019.01.18)
Ampleon今天宣布，面向工作在2400MHz至2500MHz频率范围内的脉冲和连续波(CW)应用，推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射频功率晶体管。BLC2425M10LS500P适用於各种工业、消费和专业??饪射频能量应用；由於它可以通过单个SOT1250空腔塑料封装提供500W的CW，因此具有非常高的功率与封装比 |
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意法半导体推出新一代车用数位音效功率放大器晶片 (2016.01.05)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）扩大其在车用数位音效技术领域的优势，推出第二代车用数位音效功率放大器晶片，不仅可协助汽车音响系统厂商简化功率放大设计，更为驾乘及乘客带来更出色的听觉飨宴，而且音质不受车厢空间大小的影响 |
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英飞凌推出行动基地台发射器专用的氮化镓装置 (2015.10.02)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出碳化矽（SiC）射频功率电晶体的氮化镓（GaN）系列产品。凭借英飞凌的氮化镓技术，该款新产品可协助行动基地台的制造商打造体积更小、功能更强大，且具弹性的发射器 |
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宜普电源推出全新增?型氮化镓功率电晶体 (2015.08.27)
宜普电源（EPC）推出EPC2039功率电晶体。该产品是一种具备高功率密度的增?型氮化镓（eGaN）功率电晶体，其尺寸只是1.82mm2、80 VDS、6.8 A及在闸极上施加5 V电压时的最大阻抗? 22 微欧姆 |
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沟槽构造SiC-MOSFET可大幅降低导通电阻 (2015.08.14)
ROHM近日研发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立完备的量产体制。与量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用变流器等所有相关设备的功率损耗 |
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宜普演示板采用氮化镓场效应晶体管实现音频高效 (2015.02.06)
宜普电源转换公司（EPC）推出新款采用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管的D类音频放大器参考设计（EPC9106）采用 Bridge-Tied-Load（BTL）设计，包含四个接地的半桥输出功率级电路，使得设计可以升级及扩展 |
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宜普电源推出450 V增强型氮化镓功率晶体管 (2015.01.15)
具备４奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(eGaN FET)并适合于高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。
宜普电源（EPC）推出450 V并通常处于关断状态的增?型功率晶体管（EPC2027），可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度 |
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意法最新双极性功率晶体管媲美MOSFET的能效并节省电路板空间 (2013.10.11)
意法半导体的3STL2540提供双极性晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同等级MOSFET的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本电源管理和DC-DC电源转换器（DC-DC converters）解决方案 |
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科学家开发下一代「完全整合」LED组件 (2013.06.30)
伦斯勒理工学院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智能照明工程技术研究中心稍早前宣布，已经成功地在相同的氮化镓(GaN)上整合LED和功率晶体管。研究人员称这项创新将敲开新一代LED技术的大门，因为它的制造成本更低、更有效率，而且新的功能和应用也远超出照明范畴 |
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意法半导体采用新节能封装扩大高能效功率产品阵容 (2013.05.14)
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体推出了首款采用新封装技术的MDmesh V 超接面（Super-Junction）MOSFET，新封装可提升家用电器、电视机、个人计算机、电信设备和服务器开关电源的功率电路能效 |
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英飞凌荣获奥地利国家创新奖 (2013.04.09)
英飞凌科技荣获 2013 奥地利国家创新奖 (National Innovation Prize)，该公司因其在奥地利菲拉赫(Villach) 厂所开发的 12吋薄晶圆技术而获奖。英飞凌(奥地利)董事会成员，负责技术及创新的 Sabine Herlitschka 博士代表英飞凌从奥地利经济部长 Reinhold Mitterlehner 手上接下这座奖项 |
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快捷半导体SiC BJT上场 锁定5kW应用市场 (2012.11.21)
快捷半导体日前才完成收购碳化硅(SiC)功率晶体管企业TranSiC，掌握了最关键的SiC材料与制程技术，并且能够在超广温度范围下有亮眼出色的性能，以及高于金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）和接面场效晶体管（JFET）技术的双极SiC晶体管技术 |
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快捷半导体SiC BJT上场 锁定5kW应用市场 (2012.11.21)
快捷半导体日前才完成收购碳化硅(SiC)功率晶体管企业TranSiC，掌握了最关键的SiC材料与制程技术，并且能够在超广温度范围下有亮眼出色的性能，以及高于金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）和接面场效晶体管（JFET）技术的双极SiC晶体管技术 |
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R&S气冷式中功率发射机降低高功率发射机能源 (2012.11.08)
R&S TMU9 UHF 中功率发射机以及 R&S THU9 UHF 高功率发射机，已达到相当优异的能源利用效率，例如应于COFDM数字电视标准其能源利用效率高达38%，此两款发射机除了可以大幅节省能源成本外，亦为目前市场上同等级发射机中最高能源利用效率的机种 |
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ST超结型MOSFET系列再添新成员 (2012.01.06)
意法半导体（ST）日前推出MDmesh V系列。MDmesh V系列是高性能MOSFET产品，拥有极低的每单位面积导通电组（on-resistance per area），在650V额定电压应用中可实现高能效和功率密度；对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路，如电子照明控制器、消费性电子电源和太阳能电力转换器可提升能效 |
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吉时利型号2651A高功率电源电表仪器整合实现100A测试应用文件-吉时利型号2651A高功率电源电表仪器整合实现100A测试应用文件 (2011.11.18)
吉时利型号2651A高功率电源电表仪器整合实现100A测试应用文件 |
