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堆叠层数再升级 储存容量免焦虑 (2023.08.28)
本次要介绍的产品，是来自SK海力士（SK Hynix）最新的一项记忆体产品，它就是目前全球最高层树的「321层NAND快闪记忆体」。 |
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科赋发表全新三款 M.2 NVMe 固态硬碟 (2022.11.23)
为因应多样化的消费者族群需求，艾思科（Essencore）旗下新兴记忆体品牌科赋（KLEVV）正式发表 CRAS C930、C910 和 C730 三款M.2 NVMe 固态硬碟。 新一代 CRAS系列 M.2 NVMe 固态硬碟阵容，以先进的储存技术满足从入门消费者至专业玩家的使用需求 |
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??侠CM7系列固态硬碟系列采用PCIe 5.0技术设计 (2022.07.27)
??侠株式会社（Kioxia）宣布CM7系列企业级NVMe固态硬碟为企业资料中心提供新一代效能。??侠CM7系列产品针对高效能、高效率的伺服器和储存需求带来最隹化成效。它采用PCIe 5.0技术设计，提供企业和资料中心标准外形尺寸（EDSFF） E3.S及2.5英寸外形尺寸 |
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SK海力士选用是德整合式PCIe 5.0测试平台 加速记忆体开发 (2022.04.26)
是德科技（Keysight Technologies Inc.）宣布SK海力士（SK hynix）选用是德科技的整合式高速周边元件互连协定（PCIe）5.0测试平台，以加速记忆体开发，进而设计出可支援高速资料传输与大量资料管理的先进产品 |
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嵌入式开发中适用的记忆体选择 (2021.12.22)
本文介绍各种记忆体技术，并以各家供应商推出的产品为例，帮助开发人员了解各种记忆体类型的特性。此外，本文还探讨了各种类型记忆体的最佳应用，以便开发人员有效使用 |
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SSD市场前景艳阳高照 (2019.06.05)
受到SSD价格逼近传统硬碟，特别是在资料中心领域，大量的SSD取代传统硬碟效应正在快速发酵，导致传统硬碟前景蒙尘，相关供应链处境堪忧。 |
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浅谈eSPI汇流排 (2018.11.27)
大多数电脑使用者都知道他们的电脑中的高速汇流排，如PCI-E和USB。但是，在所有电脑中也有一个低速汇流排，用于连接各种设备，如嵌入式控制器 (EC)、底板管理控制器(BMC)、超级 I/O、系统快闪记忆体存储(用于存储 BIOS 代码)和TPM(受信任的平台模组)到系统核心逻辑芯片 (PCH) |
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SSD QLC正式推出 HDD还能稳占多少市场? (2018.10.02)
今年的快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit）可说是高潮不断，许多新品与新技术争相发布，为快闪记忆体的市场擘划了美好的未来。 |
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苹果点头同意 贝恩联盟收购东芝半导体 (2017.09.29)
日本东芝昨(28)日对外宣布，已与由美国私募基金贝恩资本(Bain Capital)领头的美日韩联盟签署旗下半导体事业「东芝记忆体」的出售协议，交易金额达2兆日圆(约5334亿台币) |
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旺宏NAND MCP记忆体方案获美国高通技术最新LTE物联网晶片组采用 (2017.01.13)
全球非挥发性记忆体(Non-Volatile Memory, NVM)厂商旺宏电子(Macronix)宣布,美国高通(Qualcomm Incorporated)旗下子公司高通技术公司(Qualcomm Technologies Inc.)最新研发的LTE Cat. M1/NB -1数据机MDM9206晶片，已采用旺宏电子的NAND MCP快闪记忆体晶片 |
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运用nvSRAM 维持企业级SSD于电源故障时的可靠性 (2013.10.04)
固态硬盘技术简介
固态硬盘（Solid State Drives，简称SSD）是一种能永久储存数据的装置，采用固态半导体的内存，如闪存（NAND Flash），有别于传统硬盘机（HDD）所使用的磁性材料 |
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Spansion 对旺宏提出专利诉讼申请 (2013.08.16)
业界领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司为解决旺宏电子 (Macronix) 公司从过去到现在一直在NOR闪存和XtraROM内存系列产品上持续且扩大的违反 Spansion 专利的情况，今天宣布已在美国国际贸易委员会 (International Trade Commission, ITC) 和北加州联邦地区法院对旺宏提出诉讼 |
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或然率晶片话题十足！ (2010.10.11)
新创公司Lyric以或然率（probability）和可能性（likelihoods）作为设计新一代晶片架构的思维，挑战传统0和1为基础的二进位运算和必然性（certainty）逻辑，有可能彻底改变既 |
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挑战0和1运算思维 Lyric或然率芯片话题十足 (2010.08.19)
传统计算机芯片运算的逻辑基础可能会产生重大变革！一家新创公司Lyric Semiconductor正在设计一款新的处理器，扬弃以往0和1为基础的必然性（certainty）运算逻辑，而以或然率（probability）和可能性（likelihoods）作为设计新一代芯片运算的核心思维 |
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科统科技针对行动装置推出新固态硬盘模块 (2010.07.08)
科统科技（memocom）于周二（6）日宣布，推出两款适用于平板计算机与工业计算机的固态硬盘模块，分别为D37标准SATA接口与D38 PCI Express接口模块系列。着眼于行动笔电与嵌入式产品设计皆已走向轻薄、节能、低耗电的方向 |
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浅谈高密度闪存效能与可靠性提升之管理机制 (2010.03.02)
成本一向是闪存发展的重要驱动力，也因此驱动闪存制程密度的快速提升。然而，高密度闪存除了导致数据存取的效能下降外，数据错误率也大幅上升。本文介绍一个「提交式管理机制」来解决高密度闪存效能与可靠性的问题，同时也改善系统初始化及当机回复的效能 |
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三星量产新30nm内存芯片 读写达133Mbps (2009.12.02)
外电消息报导，三星电子日前宣布，将开始量产两款30奈米制程的NAND闪存芯片。其中一款将采类似DDR内存的双信道传输技术，其读取带宽将是传统闪存芯片的3倍左右，最高可达133Mbps |
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三星电子正式宣布放弃收购SanDisk (2009.09.05)
外电消息报导，三星电子于周四（9/3）宣布，将不再寻求收购内存供货商SanDisk。而两家公司在今年5月时，已签署了一份专利授权协议，终止了双方在闪存市场上的法律诉讼纠纷 |
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英特尔与美光推新34奈米闪存芯片 Q4量产 (2009.08.13)
外电消息报导，英特尔和美光科技于周二（8/11）宣布，已开发出使用34奈米制程的NAND MLC闪存芯片。该芯片的储存容量为每个储存单元3 bit（3-bit-per-cell），高于目前标准的2 bit技术，进而提高芯片的储存容量 |
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NAND Flash玩完?! 硅谷新创公司推出取代技术 (2009.05.21)
外电消息报导，美国硅谷一家新创非挥发性内存储存技术公司于周二（5/19）宣布，该公司开发出一种新的储存用内存（Storage-class memories；SCM）技术，容量可达目前NAND Flash的4倍，并有望取代当前的闪存产品 |
